Infineon FS10R06XL4 Data Sheet
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS10R06XL4
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
Kollektor Dauergleichstrom
DC collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Gate Emitter Spitzenspannung
gate emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
Tvj = 25 °C
=80°C
T
C
=
T
25 °C
C
t
= 1ms, TC =
p
80 °C
Tc= 25°C, Transistor
= 1ms I
t
p
V
I
C,nom.
I
CRM
P
V
FRM
CES
I
C
tot
GES
I
F
vorläufige Daten
preliminary data
600
10
17
20
76
20
+
10
20
V
A
A
A
W
V
A
A
Grenzlastintegral
I²t value
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage
= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
V
R
RMS, f= 50Hz, t= 1min
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
V
= 15V, Tvj= 25°C, IC= I
Kollektor Emitter Sättigungsspannung
collector emitter saturation voltage
Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage
Gateladung
gate charge
Eingangskapazität
input capacitance
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor Emitter Reststrom
collector emitter cut off current
GE
VGE= 15V, Tvj= 125°C, IC= I
= VGE, Tvj= 25°C, IC=
V
CE
VGE= -15V...+15V Q
f= 1MHz, T
f= 1MHz, T
V
CE
= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
vj
= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
vj
600
V, V
=
C,nom
C,nom
0,4
= 0V, Tvj= 25°C
GE
I²t
V
ISOL
min. typ. max.
V
CEsat
mA 4,5
V
GE(th)
C
ies
C
res
I
CES
G
12
A²s
2,5
- 1,95 2,55 V
- 2,20 - V
-
-
5,5
0,05
6,5
-
-
-
-
-5mA
kV
V
µC
nF0,45
nF - 0,04
Gate Emitter Reststrom
gate emitter leakage current
prepared by: P. Kanschat
approved: M. Hierholzer
V
= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C
CE
date of publication: 2003-01-24
revision: 2.0
1 (8)
I
GES
-
- 400
nA
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS10R06XL4
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
A, V
Einschaltverzögerungszeit (induktive Last)
turn on delay time (inductive load)
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
Abschaltverzögerungszeit (induktive Last)
turn off delay time (inductive load)
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn on energy loss per pulse
Ausschaltverlustenergie pro Puls
turn off energy loss per pulse
Kurzschlussverhalten
SC data
Modulinduktivität
stray inductance module
I
=
10
C
= ±15V, RG =
V
GE
V
= ±15V, RG =
GE
=
I
10
C
V
= ±15V, RG =
GE
= ±15V, RG =
V
GE
=
I
10
C
= ±15V, RG =
V
GE
= ±15V, RG =
V
GE
I
=
10
C
V
= ±15V, RG =
GE
V
= ±15V, RG =
GE
I
=
10
C
=
R
27 25 nH
G
=
I
10
C
=
R
27 25 nH
G
t
≤ 10µsec, VGE ≤ 15V, Tvj= 125°C,
P
V
=
360
CC
=
CC
A, V
=
CC
A, V
=
CC
=
A, V
CC
A, V
=
CC
= 125°C, Lσ =
Ω, T
vj
A, V
=
CC
Ω, T
= 125°C, Lσ =
vj
V, V
CEmax=VCES -LσCE
V
300
Ω, T
27 - 20 - ns
Ω, T
27 - 21 - ns
V300
Ω, T
27 - 7 - ns
Ω, T
27 - 8 - ns
300 V
Ω, T
27 - 80 - ns
Ω, T
27 - 110 - ns
300
V
Ω, T
27 - 18 - ns
Ω, T
27 - 25 - ns
300 V
300 V
= 25°C
vj
= 125°C
vj
= 25°C
vj
= 125°C
vj
= 25°C
vj
= 125°C
vj
= 25°C
vj
= 125°C
vj
·|di/dt|
vorläufige Daten
preliminary data
min. typ. max.
t
d,on
t
r
t
d,off
t
f
E
on
E
off
I
SC
L
σCE
0,25
-
0,30
-
-
- 25 -
-
mJ
-mJ
A40 -
nH
Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
lead resistance, terminal-chip
Tc= 25°C
Charakteristische Werte / characteristic values
Diode Wechselrichter / diode inverter
= 0V, Tvj= 25°C
A, V
=
I
Durchlassspannung
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
10 - 1,85 2,25 V
F
=
I
10 - 1,90 - V
F
=
I
10 A/µs
F
V
=
R
V
=
R
=
I
10 A/µs
F
=
V
R
=
V
R
I
=
10 A/µs
F
V
=
R
=
V
R
300
300
300
300
300
300
GE
= 0V, Tvj= 125°C
A, V
GE
A, -di
F
V, V
V, V
A, -di
F
V, V
V, V
A, -di
F
V, V
V, V
/dt =
1500
= -10V, Tvj= 25°C
GE
= -10V, Tvj= 125°C
GE
/dt =
1500
= -10V, Tvj= 25°C
GE
= -10V, Tvj= 125°C
GE
/dt =
1500
= -10V, Tvj= 25°C
GE
= -10V, Tvj= 125°C
GE
R
CC´/EE´
-
-
V
F
I
RM
8
mΩ
-26- A
-27- A
Q
- 0,55 - µC
r
- 0,95 - µC
E
rec
- 0,15 - mJ
- 0,2 - mJ
2 (8)
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS10R06XL4
Charakteristische Werte / characteristic values
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Nennwiderstand
rated resistance
Abweichung von R
deviation of R
100
Verlustleistung
power dissipation
B-Wert
B-value
100
= 25°C
T
c
= 100°C, R
T
c
= 25°C P
T
c
R
= R1 exp[B(1/T2 - 1/T1)] B
2
100
= 493Ω
Thermische Eigenschaften / thermal properties
Innerer Wärmewiderstand; DC
thermal resistance, junction to case; DC
Wärmewiderstand; DC
thermal resistance, junction to heat sink; DC
Transistor Wechselr. / transistor inverter
Diode Wechselrichter / diode inverter
Transistor Wechselr. / transistor inverter
Diode Wechselrichter / diode inverter
R
25
∆R/R
25
25/50
R
thJC
R
thJH
vorläufige Daten
preliminary data
min. typ. max.
-
-5
-5 - 5
- -
20
- 3375 -
- - 1,65 K/W
- - 3,80 K/W
- 2,20 - K/W
- 4,50 - K/W
kΩ
%
mW
K
Übergangs-Wärmewiderstand; DC
thermal resistance, case to heat sink; DC
= 1 W/m*K / λ
λ
Paste
Transistor Wechselr. / transistor inverter
Diode Wechselrichter / diode inverter
= 1 W/m*K / λ
λ
Paste
grease
grease
= 1 W/m*K
= 1 W/m*K
Höchstzulässige Sperrschichttemp.
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operation temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Innere Isolation
internal insulation
CTI
comperative tracking index
Anpresskraft pro Feder
mounting force per clamp
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Luftstrecke
clearance distance
Anschluss - Kühlkörper
terminal to heat sink
Anschluss - Anschluss
terminal to terminal
Anschluss - Kühlkörper
terminal to heat sink
Anschluss - Anschluss
terminal to terminal
T
R
T
thCH
vjmax
T
F
G
- 0,70 - K/W
- 1,00 - K/W
--
-40 - 125
op
-40
stg
150
°C
°C
- 125 °C
Al
2O3
225
20..50
25
10,5
N
g
mm
5mm
9
5
mm
mm
3 (8)
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