Infineon TT162N, TD162N, DT162N Data Sheet

N

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor

Kenndaten

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Elektrische Eigenschaften

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom
average on-state current

Stoßstrom-Grenzwert
surge current

Grenzlastintegral
I²t-value

Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage

Module

TT162N

TT162N TD162N DT162N

TT162N...-K TD162N...-A

/dt)

cr

cr

1200 1400

1200 1400

1300 1500

= -40°C... T

T

vj

Tvj = -40°C... T

Tvj = +25°C... T

vj max

vj max

vj max

TC = 85°C I

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T

= T

vj

, tP = 10 ms

vj max

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T

= T

vj

, tP = 10 ms

vj max

DIN IEC 747-6 f = 50 Hz,
i

= 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs

GM

Tvj = T

6.Kennbuchstabe / 6

6.Kennbuchstabe / 6

, vD = 0,67 V

vj max

DRM

th

letter C

th

letter F

V

DRM,VRRM

V

DSM

V

RSM

I

TRMSM

TAVM

I

TSM

I²t

/dt)

(di

T

(dv

D

1600VV

1600VV

1700VV

260 A

162 A

5200
4400AA

135000

97000

150 A/µs

500

1000

A²s
A²s

V/µs
V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage

Schleusenspannung
threshold voltage

Ersatzwiderstand
slope resistance

Zündstrom
gate trigger current

Zündspannung
gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage

Haltestrom
holding current

Einraststrom
latching current

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current

Zündverzug
gate controlled delay time

Tvj = T

Tvj = T

Tvj = T

, iT = 500 A v

vj max

vj max

vj max

Tvj = 25°C, vD = 6 V I

Tvj = 25°C, vD = 6 V V

Tvj = T
T

vj

Tvj = T

= T

, vD = 6 V

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

DRM

DRM

Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 Ω I

Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω
i

= 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs,

GM

t

= 20 µs

g

Tvj = T

vj max

vD = V

DIN IEC 747-6T
i

GM

, vR = V

DRM

RRM

= 25 °C,

vj

= 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs

V

r

T

GT

I

GD

V

H

I

L

iD, i

t

gd

T

(TO)

GT

GD

max.

1,41 V

0,85 V

0,95 mΩ

max.

max.

max.
max.

150 mA

2V

105mA

mA

max. 0,25 V

max. 200 mA

max. 800 mA

R

max. 30 mA

max. 3 µs

prepared by:

C.Drilling date of publication: 04.07.02

approved by: J.Novotny

BIP AC / Warstein,den 18.01.88 Spec

A513MT

revision: 1

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N

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values

Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time

Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Thermische Eigenschaften

Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature

Betriebstemperatur
operating temperature

Lagertemperatur
storage temperature

Module

TT162N

T

= T

vj max

, iTM = I

TAVM

DRM

th

letter O

vj

vRM = 100 V, vDM = 0,67 V
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs

5.Kennbuchstabe / 5

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec

pro Modul / per Module, Θ = 180° sin
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC

pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm

t

V

R

R

T

T

T

q

thJC

thCH

vj max

c op

stg

ISOL

typ. 200 µs

2,5
3,0

max.
max.
max.
max.

max.
max.

0,100
0,200
0,096
0,192

0,03
0,06

125

-40...+125 °C

-40...+130 °C

kV
kV

°C/W
°C/W
°C/W
°C/W

°C/W
°C/W

°C

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Mechanische Eigenschaften

Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex

Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact

Innere Isolation
internal insulation

Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque

Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque

Steueranschlüsse
control terminals

Gewicht
weight

Kriechstrecke
creepage distance

Schwingfestigkeit
vibration resistance

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AlN

Toleranz / Tolerance ± 15% M1 6 Nm

Toleranz / Tolerance ± 10% M2 6 Nm

DIN 46 244 A 2,8 x 0,8

G typ. 310 g

15 mm

f = 50 Hz 50 m/s²

file-No. E 83336

Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.

BIP AC / Warstein,den 18.01.88 Spec

A513MT

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N

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor

Maßbild

Maßbild

Maßbild

Module

TT162N

12 3

45

76

TT

12 3

76

45

TT-K

12 3

45

TD

12 3

45

TD-A

12 3

76

DT

BIP AC / Warstein,den 18.01.88 Spec

A513MT

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N

S

=

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor

R,T – Werte
Di

R,T-Werte

Pos. n1234567

R

[°C/W] 0,0094 0,0224 0,0586 0,102

thn

τn [s] 0,0014 0,0253 0,267 1,68

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z

Analytische Funktion / Analytical function:

Module

Analytical elements of transient thermal impedance Z

TT162N

=

thJC

n

max

S

n=1

für DC

thJC

for DC

thnthJC

– t

t

n

- e1RZ

Luftselbstkühlung / Natural cooling

3 Module pro Kühlkörper / 3 modules per heatsink

Kühlkörper / Heatsink type: KM17

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z

Analytical elements of transient thermal impedance Z

Pos. n1234567

R

[°C/W] 1,71 0,135 0,013

thn

τn [s] 1200 14 4

Verstärkte Kühlung / Forced cooling

3 Module pro Kühlkörper / 3 modules per heatsink

Kühlkörper / Heatsink type: KM17

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z

Analytical elements of transient thermal impedance Z

Pos. n1234567

R

[°C/W] 0,515 0,119 0,026

thn

τn [s] 354 13,6 2,41

(45W)

thCA

thCA

(Papst 4650N)

thCA

thCA

Analytische Funktion / Analytical function:

BIP AC / Warstein,den 18.01.88 Spec

A513MT

n

max

n=1

thnthCA

– t

t

n

- e1RZ

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