Infineon D721S Data Sheet
Mark eting Informati on
D 721 S
C
±
ø3,5
A
Euro pean PowerSemicondu cto r and
Electronics Compan y
0,1
-
48
-0,2
75
Applikation: Freilau fdiode in Spannu ngszwisch enkreisumrich ter
bis V
D(DC )
= 2 0 00 V
VWK January
Schnelle Gleichrichterdiode
D 721 S 45 T
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
1)
1)
1)
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Fast Diode
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung 3500 V, 4000V
repetitive peak reverse voltage tvj = -40°C...125°C V
RRM
Stoßspitzensperrspannung 3600 V, 4100V
non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...125°C V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current I
Dauergrenzstrom / mean forward current tC = 85°C I
RSM
FRMSM
FAVM
tC = 52°C 1080 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral t
t
= 25°C I
vj
FSM
tvj = 125°C 15000 A
= 25°C I²t 1,3x106A²s
vj
I²t-value tvj = 125°C 1,13x106A²s
Kritische periodische Ausschaltstromsteilheit t
= 125°C, IFM = 2000 A, VR = 3000 V (-di/dt)
vj
com
critical repetitive rate of fall of on - state C = 0,25 µF, R = 6 Ω
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung / cont. direct reverse voltage tc = -40°C ... +85°C V
Durchlaßspannung / forward voltage tvj = 125°C iFM = 2500 A V
Schleusenspannung / threshold voltage tvj = 125°C V
Ersatzwiderstand / forward slope resistance tvj = 125°C r
Sperrstrom / reverse current tvj = 125°C, vR = 0,67 V
tvj = 125°C, vR = V
RRM
RRM
Rückstromspitze / peak reverse recovery current iFM = 1000 A, -diF/dt = 250 A/µs I
tvj = 125 °C; vR = 1000 V;
C = 0,25 µF; R = 6 Ω
Sperrverzögerungsladung iFM = 1000 A, -diF/dt = 250 A/µs Q
recovered charge tvj = 125 °C; vR = 1000 V;
C = 0,25 µF; R = 6 Ω
R(D)
F
(TO)
T
i
R
RM
rr
4500 V
4600 V
1700 A
720 A
16000 A
500 A/µs
typ. 2000V
3,5 V
1,7 V
0,69 mΩ
ca. 75 mA
140 mA
600 A
1700 µAs
Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thJC
thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided 0,018 K/W
Anoden / anode 0,033 K/W
Kathode / cathode 0,04 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thCK
thermal resistance, case to heatsink beidseitig / two-sided 0,005 K/W
einseitig / single-sided 0,01 K/W
Höchstzul. Sperrschichttemp. / max. junction temperat. tvjmax 125 °C
Betriebstemperatur / operating temperature tc op -40...+125°C
Lagertemperatur / storage temperature t
stg
-40...+150°C
Gehäuse, siehe Anlage / case, see appendix Seite / page 1
Anpreßkraft /clamping force F 15...36 kN
Gewicht / weight G ca. 600 g
Luftstrecke / air distance ca. 20 mm
Kriechstrecke / creepage distance 30 mm
Feuchteklasse / humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit / vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the
belonging technical notes.
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standart value)
D 721 S
4000
i
F
[A]
3000
2000
1000
0
1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4, 5
vF [V]
D 721 S_01
Fig. 1
On- state characteristic iF = f(VF)
tvj = 125°C
Upper limit of scatter range
Lower limit of scatter range
4000
3500
P
FAV
[W]
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
D 721 S_02
500 1000 1500 2000 2500
Fig. 2
On-state losses (aver age values)
IF = f(P
tvj = 125 °C
FAV
90%80% 70%100% 60%
50%
40%
30%
20%
10%
5%
IF [A]
)
0,06
0,05
Z
thJC
[K/W]
0,04
0,03
0,02
0,01
2 3 4 6 8 2 3 4 6 8 2 3 4 6 8 2 3 4 6 8 2 3 4 6 8
0
0,001 0,01 0,1 1 10 100
t [s]
D 721 S_03
Fig. 3
Transient thermal impedance Z
1 - Two-sided cooling
= f(t), DC
thJC
2 - Anode-sided cooling
3 - Cathode-sided cooling
Analytical elements of transient ther mal impedance Z
1. Z
thJC
2. Z
thJC
r [K/W]τ [s] r [K/W]τ [s] r [K/W]τ [s]
1 0,00637 1,80000 0,02137 8,00000 0,02837 6, 80000
2 0,00904 0,14000 0,00904 0,14000 0,00904 0, 14000
3
3 0,00267 0,01410 0,00167 0,01410 0,00167 0, 01410
4 0,00080 0,00265 0,00080 0,00265 0,00080 0, 00265
5 0,00012 0,00067 0,00012 0,00067 0,00012 0, 00067
2
Σ
0,00180 - 0,03300 - 0,04000 -
Analytical function:
n
max
1
ZthJC = Σ R
n = 1
(1-EXP(-t/τn))
thn
3. Z
thJC
thJC
for DC
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