Infineon D690S Data Sheet
S
Datenblatt / Data sheet
Schnelle Diode
Fast Diode
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Kenndaten
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Elektrische Eigenschaften
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
D690S
Tvj = -25°C... T
I
TC = 100 °C I
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms I
I
Tvj = 25°C, tP = 10 ms
T
= T
vj
vj max
= 25°C, tP = 1 ms
T
vj
T
= T
vj
vj max
Tvj = 25°C, tP = 10 ms
= T
T
vj
vj max
T
= 25°C, tP = 1 ms
vj
T
= T
vj
vj max
V
vj max
RRM
FRMSM
FAVM
FAVM
FRMS
I
FSM
, tP = 10 ms
, tP = 1 ms
I²t
, tP = 10 ms
, tP = 1 ms
2000
2200
1600
690
2400
2600
870 A
1360 A
14000
11500
33400
27500
980
661
558
378
V
V
A
A
A
A
A
A
10
10
10
10
3
A²s
3
A²s
3
A²s
3
A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie 200 A ≤ iF ≤ 3000 A
on-state characteristic
FFF
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung
peak value of forward recovery voltage
Durchlaßverzögerungszeit
forward recovery time
Sperrstrom
reverse current
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Sperrverzögerungszeit
reverse recovery time
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
T
vj
iD)1i(lnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=
F
DIN IEC 747-2
T
vj = Tvj max
DIN IEC 747-2, Methode / Method II
T
vj = Tvj max, iFM
di
F
Tvj = 25°C , vR = v
T
vj
DIN IEC 747-2, Tvj = T
i
FM
v
R
DIN IEC 747-2, Tvj = T
i
FM
v
R
DIN IEC 747-2, Tvj = T
i
FM
v
R
, iF = 3000A
vj max
vF
V
vj max
r
vj max
= T
A=
vj max
(TO)
0,5
T
V
FRM
, diF/dt = 50A/µs, vR = 0V
t
fr
= 3000A
/dt = 50A/µs, vR = 0V
= T
vj max
, vR = V
RRM
RRM
vj max
i
R
I
RM
= 1020A, -diF/dt = 50A/µs
≤ 0,5V
RRM
, v
RM
= 0,8V
vj max
RRM
Q
r
= 1020A, -diF/dt = 50A/µs
≤ 0,5V
RRM
, v
RM
= 0,8V
vj max
RRM
t
9µs
rr
= 1020A, -diF/dt = 50/µs
≤ 0,5V
RRM
, v
RM
= 0,8V
RRM
max.
-1,575E-01
B=
C=
D=
6,000E-04
2,421E-01
-1,582E-02
typ. 16,5 V
typ. 6,2 µs
max.
max.
V
2,7
V
1,0
mΩ
25
mA
250
mA
155 A
970 µAs
prepared by:
H.Sandmann
date of publication: 2008-09-15
approved by: M.Leifeld
IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann A 48/08
Seite / page A 14/92
revision: 3.0
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S
Datenblatt / Data sheet
Schnelle Diode
Fast Diode
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Thermische Eigenschaften
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Mechanische Eigenschaften
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
D690S
Kühlfläche /cooling surface
beidseitig / two sided, Θ = 180° sin
beidseitig / two sided, DC
Anode / anode, Θ = 180° sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, Θ = 180° sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
T
T
Seite 3
F 10…24 kN
G typ. 300 g
25 mm
f = 50 Hz 50 m/s²
R
thJC
R
thCH
vj max
-40...+150
c op
T
-40...+150
stg
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
150
page 3
0,039
0,036
0,063
0,060
0,930
0,900
0,005
0,010
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C
°C
°C
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
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