Infineon BSM15GD120DLCE3224 Data Sheet

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module
IGBT-Modules

BSM15GD120DLC E3224

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage

Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current

Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current

Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation

Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage

Dauergleichstrom
DC forward current

Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current

Grenzlastintegral der Diode

2

t - value, Diode

I

T

= 80 °C I

C

= 25 °C I

T

C

= 1 ms, TC = 80°C I

t

P

=25°C, Transistor P

T

C

= 1 ms I

t

P

= 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C

V

R

V

CES

C,nom.

C

CRM

tot

V

GES

I

F

FRM

2

I

t

+/- 20V V

1200 V

15 A
35 A

30 A

145 W

15 A

30 A

93

A2s

Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

Charakteristische Werte / Characteristic values

Transistor / Transistor

I

= 15A, VGE = 15V, Tvj = 25°C V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage

Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage

Gateladung
gate charge

Eingangskapazität
input capacitance

Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance

Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current

Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current

C

= 15A, VGE = 15V, Tvj = 125°C

I

C

= 0,6mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C V

I

C

= -15V...+15V Q

V

GE

f = 1MHz,T

f = 1MHz,T

V

CE

V

CE

V

CE

= 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V C

vj

= 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V C

vj

= 1200V, VGE = 0V, Tvj = 25°C I
= 1200V, VGE = 0V, Tvj = 125°C

= 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C I

V

ISOL

min. typ. max.

CE sat

GE(th)

ies

res

CES

GES

- 2,1 2,6 V

- 2,4 2,9 V

4,5 5,5 6,5 V

- 0,16 - µC

G

-1-nF

- 0,07 - nF

-276µA

- 200 - µA

- - 400 nA

2,5 kV

prepared by: Mark Münzer date of publication: 2006-01-31

approved by: M. Hierholzer revision: 4

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Technische Information / Technical Information

IGBT-Module
IGBT-Modules

BSM15GD120DLC E3224

Charakteristische Werte / Characteristic values

Transistor / Transistor

I

= 15A, VCC = 600V

Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)

Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)

Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)

Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)

Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse

Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse

Kurzschlußverhalten
SC Data

Modulinduktivität
stray inductance module

C

= ±15V, RG = 56Ω, Tvj = 25°C

V

GE

VGE = ±15V, RG = 56Ω, Tvj = 125°C - 0,08 - µs
I

= 15A, VCC = 600V

C

= ±15V, RG = 56Ω, Tvj = 25°C

V

GE

VGE = ±15V, RG = 56Ω, Tvj = 125°C - 0,05 - µs
I

= 15A, VCC = 600V

C

= ±15V, RG = 56Ω, Tvj = 25°C

V

GE

VGE = ±15V, RG = 56Ω, Tvj = 125°C - 0,34 - µs
I

= 15A, VCC = 600V

C

= ±15V, RG = 56Ω, Tvj = 25°C

V

GE

= ±15V, RG = 56Ω, Tvj = 125°C - 0,05 - µs

V

GE

I

= 15A, VCC = 600V, VGE = 15V

C

= 56Ω, Tvj = 125°C, LS = 140nH

R

G

I

= 15A, VCC = 600V, VGE = 15V

C

= 56Ω, Tvj = 125°C, LS = 140nH

R

G

tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V, RG = 56Ω
TVj≤125°C, VCC=900V, V

CEmax=VCES -LsCE

·dI/dt

min. typ. max.

t

d,on

t

r

t

d,off

t

f

E

on

E

off

I

SC

L

sCE

- 0,07 - µs

- 0,05 - µs

- 0,3 - µs

- 0,03 - µs

- 2 - mWs

- 1,5 - mWs

- 130 - A

- 60 - nH

Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse – Chip
module lead resistance, terminals – chip

=25°C R

T

C

Charakteristische Werte / Characteristic values

Diode / Diode

I

= 15A, VGE = 0V, Tvj = 25°C V

Durchlaßspannung
forward voltage

Rückstromspitze
peak reverse recovery current

Sperrverzögerungsladung
recovered charge

Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy

F

I

= 15A, VGE = 0V, Tvj = 125°C

F

I

= 15A, - diF/dt = 380A/µsec

F

= 600V, VGE = -15V, Tvj = 25°C I

V

R

V

= 600V, VGE = -15V, Tvj = 125°C

R

IF = 15A, - diF/dt = 380A/µsec
VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 25°C Q
V

= 600V, VGE = -15V, Tvj = 125°C

R

IF = 15A, - diF/dt = 380A/µsec
VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 25°C E

V

= 600V, VGE = -15V, Tvj = 125°C

R

CC‘+EE‘

- 5,9 - mΩ

min. typ. max.

- 1,8 2,3 V

F

- 1,7 2,2 V

RM

rec

-14-A

-18-A

- 1,5 - µAs

r

- 3,4 - µAs

- 0,6 - mWs

- 1,3 - mWs

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Technische Information / Technical Information

g

IGBT-Module
IGBT-Modules

BSM15GD120DLC E3224

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässi
maximum junction temperature

Betriebstemperatur
operation temperature

Lagertemperatur
storage temperature

e Sperrschichttemperatur

Transistor / transistor, DC
Diode/Diode, DC - - 1,50 K/W

pro Modul / per module

= 1 W/m * K / λ

λ

Paste

grease

= 1 W/m * K

min. typ. max.

R

thJC

R

thCK

T

vj

T

op

T

stg

- - 0,86 K/W

- 0,02 - K/W

- - 150 °C

-40 - 125 °C

-40 - 150 °C

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix

Innere Isolation
internal insulation

CTI
comperative tracking index

Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque

Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque

Gewicht
weight

terminals M5 M1 3 6 Nm

M2 Nm

G 180 g

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.

AL

2O3

225

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.

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