Diotec ZPD1, ZPD15, ZPD3, ZPD3.3, ZPD12 Datasheet

Diotec

ZPD 1 … ZPD 51 (500 mW)

Silicon-Z-Diodes Silizium-Z-Dioden

Nominal breakdown voltage 1…51 V
Nenn-Arbeitsspannung

Standard tolerance of Z-voltage ± 5 % (E24)

Ø 1.9

max

Standard-Toleranz der Arbeitsspannung

Glass case DO-35
Glasgehäuse SOD-27

Ø 0.56

max

Weight approx. 0.13 g
Gewicht ca.

Standard packaging taped in ammo pack see page 17

Dimensions / Maße in mm Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack siehe Seite 17

Standard Z-voltage tolerance is graded to the international E 24 standard.
Other voltage tolerances and higher Z-voltages on request.

Die Toleranz der Arbeitsspannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen
Reihe E 24. Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage.

Maximum ratings Grenzwerte

Z-voltages see table on next page
Arbeitsspannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite

Power dissipation T = 25 °C P 500 mW )

A tot

Verlustleistung

Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur T – 50…+200°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur T – 50…+200°C

j
S

Characteristics Kennwerte

1

Thermal resistance junction to ambient air R < 0.3 K/mW )

thA

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

1

) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

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01.01.99

1

ZPD 1 … ZPD 51 (500 mW)

Diotec

Maximum ratings Grenzwerte

Type Zener voltage ) Dynamic resistance Temp. Coeffiz. Reverse voltage Max. Z-current )
Typ Arbeitsspanng. ) Inhär.diff. Widerstand of Z-voltage Sperrspannung Arbeitsstrom )

I = 5 mA I = 5 mA I = 1 mA …der Z-spanng. I = 100 nA I [mA] at T =

Z Z Z R Z A

U [V] r [ ] at f = 1 kHz 10 [°C] U [V] 45°C 25°C

ZPD 1 ) 0.7…0.8 6.5 (<8) < 50 –26…–23 – 280 340

3

Z zj VZ R

2 1

2 1

-4

ZPD 2.7 2.5…2.9 75(<83) <500 –9…–4 – 135 160
ZPD 3 2.8…3.2 80(<95) <500 –9…–3 – 117 140
ZPD 3.3 3.1…3.5 80(<95) <500 –8…–3 – 109 130
ZPD 3.6 3.4…3.8 80(<95) <500 –8…–3 – 101 120
ZPD 3.9 3.7…4.1 80(<95) <500 –7…–3 – 92 110
ZPD 4.3 4.0…4.6 80(<95) <500 –6…–1 – 85 100
ZPD 4.7 4.4…5.0 70(<78) <500 –5…+2 – 76 90
ZPD 5.1 4.8…5.4 30(<60) <480 –3…+4 >0.8 67 80
ZPD 5.6 5.2…6.0 10(<40) <400 –2…+6 >1 59 70
ZPD 6.2 5.8…6.6 4.8(<10) <200 –1…+7 >2 54 64
ZPD 6.8 6.4…7.2 4.5(<8) <150 +2…+7 >3 49 58
ZPD 7.5 7.0…7.9 4(<7) < 50 +3…+7 >5 44 53
ZPD 8.2 7.7…8.7 4.5(<7) < 50 +4…+7 >6 40 47
ZPD 9.1 8.5…9.6 4.8(<10) < 50 +5…+8 >7 36 43
ZPD 10 9.4…10.6 5.2(<15) < 70 +5…+8 >7.5 33 40
ZPD 11 10.4…11.6 6(<20) < 70 +5…+9 >8.5 30 36
ZPD 12 11.4…12.7 7(<20) < 90 +6…+9 >9 28 32
ZPD 13 12.4…14.1 9(<25) <110 +7…+9 >10 25 29
ZPD 15 13.8…15.6 11(<30) <110 +7…+9 >11 23 27
ZPD 16 15.3…17.1 13(<40) <170 +8…+9.5 >12 20 24
ZPD 18 16.8…19.1 18(<50) <170 +8…+9.5 >14 18 21
ZPD 20 18.8…21.2 20(<50) <220 +8…+10 >15 17 20
ZPD 22 20.8…23.3 25(<55) <220 +8…+10 >17 16 18
ZPD 24 22.8…25.6 28(<80) <220 +8…+10 >18 13 16
ZPD 27 25.1…28.9 30(<80) <250 +8…+10 >20 12 14
ZPD 30 28…32 35(<80) <250 +8…+10 >22.5 10 13
ZPD 33 31…35 40(<80) <250 +8…+10 >25 9 12
ZPD 36 34…38 40(<90) <250 +8…+10 >27 9 11
ZPD 39 37…41 50(<90) <300 +10…+12 >29 8 10
ZPD 43 40…46 60(<100) <700 +10…+12 >32 7 9.2
ZPD 47 44…50 70(<100) <750 +10…+12 >35 6 8.5
ZPD 51 48…54 70(<100) <750 +10…+12 >38 6 7.8

1

) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

2

) Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen

3

) The ZPD 1 is a diode operated in forward. Hence, the index of all parameters should be “F” instead of “Z” .

The cathode is to be connected to the negative pole.
Die ZPD 1 ist eine in Durchlaß betriebene Si-Diode. Daher ist bei alle Kenn- und Grenzwerten der Index “F ”
anstatt “Z” zu setzten. Die durch den Ring gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.

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