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模块
SGG1 系列
50A1200V IGBT
特点：
◇SPT 芯片技术（软穿通）
◇MOS 输入控制
◇超薄 IGBT 芯片，大电流低损耗，更低的拖尾电流
◇VCE（sat）饱和电压更低,正温度系数,更易于并联使用
◇高开关频率和更低开关损耗
◇高抗短路能力
◇优化的 EMC 特性
◇模块大爬电距离设计
◇DBC 绝缘电压大于 2500V
典型应用：
◇AC 和 DC 电机控制
◇变频器
◇UPS
◇工业加热电源
◇电焊机
工艺特点：
◇“真空+氢气”多气体保护焊接工艺，实现大面积无空洞焊接。
◇超声波扫描检测技术保证更加可靠的焊接质量。
绝对最大值 Tc=25℃，除特殊说明
参数名称 符 号 条 件 数 值 单位
IGBT
RMS
集-射极击穿电压
集电极直流电流
集电极重复峰值电流
栅极-发射极峰值电压
结温
存储温度
绝缘电压
反向二极管
正向直流电流
正向重复峰值电流
VCES 1200 V
IC
ICRM
VGES ±20 V
Tvj -40—+150
Tstg -40—+125
VISOL
IF
IFRM
Tc=25（80）℃ 75（50）
Tc=25（80）℃，tp=1ms 150（100）
RMS，1min，50Hz
Tc=25（80）℃ 75（50）
Tc=25（80）℃，tp=1ms 150（100）
© 2006 SINGA CORP, Specifications subject to change without notice.
威海新佳电子有限公司
地址 :山东 威海 高区 火炬路 223 号
销售电话:0631-5680009 传真:0631-5680010
电子信箱:singa@singa.cn
网站: http://www.singa.cn http://www.whsinga.com.cn
2500 V
A
A
℃
℃
A
A
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模块
SGG1 系列
50A1200V IGBT
正向浪涌电流
特性值 Tc=25℃，除特殊说明
参数名称 符号 条件
IGBT
栅极阈值电压 VGE（th） VGE=VCE，Ic=2mA，Tj=25℃
集电极-发射极断态电
流
栅极-发射极断态电流
集电极-发射极斜率电
阻
集电极-发射极饱和电
压
输入电容
输出电容
反向传输电容
IFSM
ICES
IGES
rCE
VCE
（SAT）
Cies 4.5 n F
Coes
Cres 0.55 n F
tp=10ms，sin，Tj=125℃
VGE=0V，VCE=VCES
VGE=0V，VGE=±20V，
Tj=25℃
VGE=15V，Tj=25（125）℃
IC=50A，VGE=15V，芯片参
数
VGE=0，VCE=25V，f=1MHz
最小 典型 最大
5 7 V
0.1 0.3 m A
-200 200 nA
18（24） 24（30）
1.9（2.1） 2.35（2.55）
0.6 n F
500 A
数值
单位
m Ω
V
模块杂散电感
开通延时时间 td（on）
上升时间
关断延时时间 td（off）
下降时间
单个脉冲的开通损耗
单个脉冲的关断损耗
反向二极管
正向电压
反向恢复峰值电流
反向恢复时间
热学特性
IGBT 结壳热阻
LCE 25 n H
tr 55 ns
tf 40 ns
Eon 5.7 mj
Eoff
VF
IRRM 40 A
trr
Rth(j-c)
VCC=600V，IC=50A
Rgon=Rgoff=15Ω，
Tj=125℃，VGE=±15V
IF=50A；VGE=0V；Tj=25
（125）℃
IF=50A，VGE=0，
-diF/dt=900A/μs，Tj=125℃，
VR=600V
每个 IGBT
90 ns
440 ns
4.7 mj
400 nS
2（1.8） 2.5（1.9）
0.3 K/W
V
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模块
SGG1 系列
50A1200V IGBT
模块壳散热阻
机械特性
安装力矩
端子连接力矩
重量
颜色
外型尺寸
外形图
Rth(j-c)D
Rth(c-s)
M1 M6 3 5 NM
M2 M5 2.5 5 NM
MAX 176 g
MAX 94×34×30.5 mm
每个反向二极管
每个模块
白色
0.65 K/W
0.05 K/W
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