Datasheet SBX2540-3G-DIO Specification

SBX2540-3G

Pb

E

L

V

W

E

E

E

R

o

H

S

Halogen

FREE

Typ e

Ø 1.6

±0.0 5

Ø 5.4

±0.1

62.5

±0.5

7.5

±0.1

SBX2540-3G

Schottky Barrier Rectifier Diodes 3rd Generation

Schottky-Gleichrichterdioden 3. Generation

Version 2018-09-28

Typical Applications

Ø 5.4 x 7.5

(Low R

thL

)

Dimensions - Maße [mm]

Solar Bypass Diodes, Polarity Protection,
Free-wheeling diodes,
Output Rectification in DC/DC
Converters
Commercial grade 1)

Features

Best trade-off between VF and IR 2)
Lowest R
Smaller package outline
than SBX2540
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)

Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)

Taped in ammo pack

On request: on 13” reel

Weight approx. 2 g Gewicht ca.

Case material UL 94V-0 Gehäusematerial

Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen

for lowest T

thL

I

FAV

V
T

F@5A

jmax

= 25 A
< 0.45 V
= 150°C

V

= 40 V

RRM

I

= 290/330 A

FSM

V

~ 0.25 V @ 5 A

F125

Typische Anwendungen

Solar-Bypassdioden,

Verpolschutz, Freilaufdioden,

Ausgangsgleichrichtung in

Gleichstromwandlern

Standardausführung 1)

Besonderheiten

Optimale Auswahl von VF und IR 2)

j

Niedrigster R

für niedrigstes T

thL

j

Gehäusegröße kleiner

als SBX2540

Konform zu RoHS, REACH,

Konfliktmineralien 1)

500

1000

Gegurtet in Ammo-Pack

Auf Anfrage: auf 13” Rolle

MSL N/A

Maximum ratings 3) Grenzwerte 3)

Type
Typ

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

V

[V]

RRM

Surge peak reverse voltage

Stoßspitzensperrspannung

V

[V]

RSM

SBX2540-3G 40 40

Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last

Peak forward surge current,
Stoßstrom in Fluss-Richtung

Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb

Storage temperature
Lagerungstemperatur

Half sine-wave
Sinus-Halbwelle

TA = 50°C I

50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms)

FAV

I

FSM

i2t

T

j

T

j

T

S

25 A 4)

290 A
330 A

420 A2s

-50...+150°C
≤ 200°C

2,5)

-50...+175°C

1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book

Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches

2 For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes”

Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes”
3 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
4 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
5 Meets the Requirements of IEC 61215 bypass diode thermal test

Erfüllt die Anforderungen des IEC 61215 Bypass-Diodentests

© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1

SBX2540-3G

120

100

80

60

40

20

0

[%]

I

FAV

Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )

1

1

[°C]

T

A

150100

50

0

10

2

10

1

1

10

-1

10

-2

[mA]

I

R

0

V

RRM

40 60 80 100

[%]

Typ. i nstantan eous leak ag e cu rren t v s. rev. v oltage
Typ. S p errstrom ( Au genb li ckswert) ü . Sp errsp an nu n g

T = 2 5 °C

j

T = 1 0 0 °C

j

T = 1 2 5 °C

j

T = 7 5°C

j

T = 5 0°C

j

T = 1 5 0 °C

j

Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)

10

10

1

10

10

2

-1

-2

[A]

I

F

0

V

F

0.4 0.6

[V]

1.0

T = 25°C

j

T = 125°C

j

Characteristics Kennwerte

Type
Typ

SBX2540-3G typ. 0.25 5 125°C < 0.45 5 25°C < 0.57 25 25°C

Forward voltage

Durchlass-Spannung

VF [V] @ IF [A] @ T

Forward voltage

Durchlass-Spannung

j

VF [V] @ IF [A] @ T

j

Forward voltage

Durchlass-Spannung

VF [V] @ IF [A] @ T

j

Leakage current
Sperrstrom

Tj = 25°C
Tj = 100°C

VR = V

RRM

Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität VR = 4 V C

Typical thermal resistance junction to ambient
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung

R

Typical thermal resistance junction to lead (at the case)
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschlussdraht (am Gehäuse)

I

R

j

thA

R

thL

< 200 µA

typ. 10 mA

720 pF

< 10 K/W 1)

< 2.1 K/W 2)

1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG

Disclaimer: See data book page 2 or website

Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet