Page 1
SBX2030 ... SBX2050
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
Halogen
FREE
Ø 1.6
±0.05
Ø 8
±0.1
7.5
±0.1
62.5
±0.5
Type
Schottky Barrier Rectifier Diodes
Version 2018-02-19
Ø 8 x 7.5 (~P600)
Dimensions - Maße [mm]
SBX2030 ... SBX2050
Schottky-Gleichrichterdioden
Typical Applications
Solar Bypass Diodes, Polarity
Protection, Free-wheeling diodes,
Output Rectification in DC/DC
Converters
Commercial grade 1)
Features
Best trade-off between VF and IR 2)
Lowest value R
Low forward voltage drop
Smaller package outline
than industry standard
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped in ammo pack
On request: on 13” reel
Weight approx. 2 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
for lowest T
thL
I
= 20 A
FAV
VF1< 0.45 V
T
= 150°C
jmax
j
Niedrigster R
500
1000
MSL N/A
V
= 30 ... 50 V
RRM
I
= 290/330 A
FSM
V
~ 0.30 V @ 5 A
F125
Typische Anwendungen
Solar-Bypassdioden,
Verpolschutz, Freilaufdioden,
Ausgangsgleichrichtung in
Gleichstromwandlern
Standardausführung 1)
Besonderheiten
Optimale Auswahl von VF und IR 2)
Wert für niedrigstes T
thL
Niedrige Fluss-Spannung
Gehäusegröße kleiner
als Industriestandard
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Gegurtet in Ammo-Pack
Auf Anfrage: auf 13” Rolle
j
Maximum ratings 3) Grenzwerte 3)
Type
Typ
SBX2030* 30
SBX2040* 40 40
SBX2045* 45 45
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
[V]
RRM
* Not for new design. Will be replaced by /
Nicht für Neuentw. Werden ersetzt durch
SBX2040-3G/SBX2045-3G
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
[V]
RSM
30
SBX2050 50 50
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Peak forward surge current,
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
Storage temperature
Lagerungstemperatur
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
TA = 50°C I
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms)
FAV
I
FSM
i2t
T
j
T
j
T
S
20 A 4)
290 A
330 A
480 A2s
-50...+150°C
≤ 200°C 2)
-50...+175°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes”
Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes”
3 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
4 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Page 2
SBX2030 ... SBX2050
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150100
50
0
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
T = 125°C
j
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
0
V
F
0.4 0.6
[V]
1.0
T = 25°C
j
10
10
10
1
10
3
2
-1
[mA]
I
R
0
V
RRM
40 60 80 100
[%]
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung
T = 25°C
j
T = 150°C
j
T = 125°C
j
T = 75°C
j
Characteristics Kennwerte
Type
Typ
SBX2030 ... SBX2045 typ. 0.30 5 125°C < 0.45 5 25°C < 0.59 20 25°C
SBX2050 typ. 0.32 5 125°C < 0.47 5 25°C < 0.61 20 25°C
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] @ IF [A] @ T
Forward voltage
Durchlass-Spannung
j
VF [V] @ IF [A] @ T
j
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] @ IF [A] @ T
j
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = V
RRM
Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität VR = 4 V C
Thermal resistance junction to ambient – Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung R
Thermal resistance junction to lead – Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht R
I
R
j
thA
thL
< 500 µA
typ. 25 mA
720 pF
< 10 K/W 1)
< 2.1 K/W 2)
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 Measured in 3 mm distance from case – use for bypass diodes test
Gemessen in 3 mm Abstand vom Gehäuse – für Bypass-Diodentest
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
Loading...