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MPSA42 | MPSA44
2 x 1.27
E
B C
4.6
±0.1
4.6
±0.1
min 12.5
16
23.5
18
9
2 x 2.54
E B C
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
High Voltage NPN Transistors
Hochspannungs-NPN-Transistoren
Version 2017-12-07
TO-92 (10D3)
MPSA42 | MPSA44
Typical Applications
Signal processing,
(1)
(2)
Switching, Amplification
Commercial grade 1)
Features
High collector voltage
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
(1) Taped in ammo pack
(2) On request: in bulk
Weight approx. 0.18 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
IC= 500 | 300 mA
h
T
(Raster 2.54)
(Raster 1.27, suffix “BK”)
FE1
jmax
> 40
= 150°C
4000
5000
MSL N/A
V
= 300 | 400 V
CEO
P
= 625 mW
tot
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Verstärken
Standardausführung 1)
Besonderheiten
Hohe Kollektorspannung
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
(1) Gegurtet in Ammo-Pack
(Raster 2.54)
(2) Auf Anfrage: Schüttgut
(Raster 1.27, Suffix “BK”)
Dimensions - Maße [mm]
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren
MPSA92
–
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
MPSA42 MPSA44
Collector-Emitter-voltage - Kollektor-Emitter-Spannung B open V
Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung E open V
Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung C open V
Power dissipation – Verlustleistung P
Collector current – Kollektorstrom DC I
Base current – Basisstrom I
Junction temperature – Sperrschichttemperatur T
CEO
CBO
EBO
tot
C
B
j
300 V 400 V
300 V 500 V
6 V
625 mW 3)
500 mA 300 mA
100 mA –
-55...+150°C
Characteristics Kennwerte
Tj = 25°C MPSA42 MPSA44
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
IE = 0 VCB = 200 V
VCB = 400 V
I
CBO
< 100 nA
–
–
< 100 nA
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
IB = 0 VEB = 6 V
VEB = 4 V
I
EBO
< 100 nA
–
–
< 100 nA
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
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MPSA42 | MPSA44
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
1
Characteristics Kennwerte
Tj = 25°C MPSA42 MPSA44
Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 1)
IC = 1 mA IB = 0.1 mA
IC = 10 mA IB = 1 mA
IC = 20 mA IB = 2 mA
IC = 50 mA IB = 5 mA
Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 1)
IC = 20 mA IB = 2 mA
IC = 10 mA IB = 1 mA
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
VCE = 10 V IC = 1 mA
IC = 10 mA
IC = 10 mA
IC = 30 mA
IC = 50 mA
IC = 100 mA
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
VCE = 20 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz f
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
VCB = 20 V, IE = ie = 0, f = 1 MHz C
Thermal resistance junction – ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
V
CEsat
V
BEsat
h
FE
T
CBO
R
thA
–
–
< 400 mV
< 500 mV
< 500 mV
–
< 750 mV
< 900 mV
–
> 25
> 40
–
< 750 mV
> 40
> 50
typ. 200
> 40
–
–
> 45
> 40
> 50 MHz –
< 3 pF < 7 pF
< 200 K/W 2)
–
–
–
1 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
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