Datasheet ECG302, NTE302 Specification

NTE302

Silicon NPN Transistor

AM, CB Transmitter Driver, Switch

Description:

D 27−MHz AM CB Transmitter Driver Stage Switch

Absolute Maximum Ratings:

Collector−to−Base Voltage, V
Collector−to−Emitter Voltage, V
Emitter−to−Base Voltage, V

Peak Collector Current, ICM 1.5A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Base Current, IB 0.5A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Collector Power Dissipation, P

TA = +25°C 950mW. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

TC = +25°C 7.9W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Operating Junction Temperature, Tj +150°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Storage Temperature Range, T
Thermal Resistance, Junction−to−Case, R

100V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

CBO

50V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

CEO

6V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

EBO

C

−50° to +150°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

stg

thJC

12°C/W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise spcified)

Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit

Collector Cutoff Current I

Emitter Cutoff Current I

Base−Emitter Voltage V

Collector−Emitter Sustaining Voltage V

Collector−Emitter Saturation Voltage V

Base−Emitter Saturation Voltage V

DC Current Gain h

Small Signal Current Gain ⎥hfe⎥ VCB = 2V, IE = −10mA,

Collector Output Capacitance C

CBO

EBO

BE

CEO(sus)IC

CE(sat)

BE(sat)

FE1

C

VCB = 25V, IE = 0 − − 0.2 µA

VEB = 6V, IC = 0 − − 0.2 µA

VCE = 6V, IC = 5mA − − 0.7 V

= 2mA 50 − − V

IC = 1A, IB = 50mA

VCE = 2V, IC = 100mA 98 − 649 −

VCE = 1V, IC = 1A 70 − − −

f = 10MHz

VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz − 16 40 pF

− − 0.3 V

− − 1.0 V

− 18 − dB

.386 (9.8) Max

.323
(8.2)
Max

.288
(7.3)
Max

.118
(3.0)

.284
(7.22)

EBC

.165 (4.2)

Max

.075 (1.9)

.122 (3.1) Dia

0.25 (0.65) Max

.490

(12.44)

Min