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BPY 48 P
Silizium-Fotoelement
Silicon Photovoltaic Cell
BPY 48 P
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 420 nm bis 1060 nm
● Kathode = Chipunterseite
● Mit feuchtigkeitsabweisender Schutzschicht
überzogen
● Weiter Temperaturbereich
Anwendungen
● für Meβ-, Steuer- und Regelzwecke
● zur Abtastung von Lichtimpulsen
● quantitative Lichtmessung im sichtbaren
Licht- und nahen Infrarotbereich
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Features
● Especially suitable for applications from
420 nm to 1060 nm
● Cathode = back contact
● Coated with a humidity-proof protective
layer
● Wide temperature range
Applications
● For control and drive circuits
● Light pulse scanning
● Quantitative light measurements in the
visible light and near infrared range
BPY 48 P Q60215-Y65
fso06634
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Grenzwerte
Maximum Ratings
BPY 48 P
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Kennwerte (
Characteristics (
T
= 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
A
T
= 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
A
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit,
V
R
= 0 V
Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
V
R
Symbol
Symbol
S
λ
S max
Wert
Value
Einheit
Unit
– 55 ... + 100 °C
1V
Wert
Value
Einheit
Unit
0.5 (≥ 0.35) µA/Ix
850 nm
λ 420 ... 1060 nm
A 70 mm
2
Abmessungen der
bestrahlungsempfindlichen Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom,
V
= 1 V; E = 0
R
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
Spectral sensitivity
Quantenausbeute, λ = 850 nm
Quantum yield
E
Leerlaufspannung,
= 1000 Ix
v
Open-circuit voltage
E
Kurzschluβstrom,
= 1000 Ix
v
Short-circuit current
L × B
× W
L
5.78 × 12.18 mm
ϕ±60 Grad
deg.
I
R
S
λ
η 0.80
10 (≤ 180) µA
0.55 A/W
Electrons
Photon
V
O
I
SC
460 (≥ 280) mV
0.5 (≥ 0.35) mA
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T
Kennwerte (
= 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
A
Characteristics (
T
= 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
A
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Bezeichnung
Description
Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
= 1 kΩ; VR= 1 V; λ = 850 nm; Ip = 50 µA
L
Temperaturkoeffizient von
Temperature coefficient of V
Temperaturkoeffizient von
Temperature coefficient of I
Kapazität,
V
= 1 V, f = 1 MHz, Ev = 0 Ix
R
V
O
O
I
SC
SC
Capacitance
Relative spectral sensitivity
S
= f (λ)
rel
Open-circuit voltage VO= f (Ev)
Short-circuit current I
Symbol
Symbol
t
, t
r
f
TC
V
TC
I
C
0
= f (Ev)
SC
Wert
Value
Einheit
Unit
10 µs
– 2.6 mV/K
0.2 %/K
6nF
Capacitance
C =f (V
), f = 1 MHz, E = 0
R
Directional characteristics S
rel
= f (ϕ)
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