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BPX 63
Silizium-Fotodiode mit sehr kleinem Dunkelstrom
Silicon Photodiode with Very Low Dark Current
BPX 63
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 350 nm bis 1100 nm
● Sperrstromarm (typ. 5 pA)
● TO-18, Bodenplatte, mit klarem Epoxy-
Gießharz
Anwendungen
● Belichtungsmesser,
Belichtungsautomaten
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Features
● Especially suitable for applications from
350 nm to 1100 nm
● Low reverse current (typ. 5 pA)
● TO-18, base plate, transparent epoxy
resin lens
Applications
● Exposure meters, automatic exposure
timers
BPX 63 Q62702-P55
fet06012
Semiconductor Group 361
10.95
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Grenzwerte
Maximum Ratings
BPX 63
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit
t ≤ 3 s)
T
S
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3 s)
Sperrspannung
V
R
Reverse voltage
Verlustleistung,
= 25 °C
A
P
tot
T
Total power dissipation
Kennwerte (
T
= 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
A
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 ... + 80 °C
230 °C
7V
200 mW
Wert
Value
Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit,
V
R
= 5 V
Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom, VR = 1 V
Dark current
S
λ
S max
10 (≥ 8) nA/Ix
800 nm
λ 350 ... 1100 nm
A 0.97 mm
L × B
× W
L
H
ϕ±75 Grad
I
R
0.985 × 0.985 mm
0.2 ... 0.8 mm
deg.
5 (≤ 20) pA
2
Semiconductor Group 362
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Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
BPX 63
Bezeichnung
Description
Nullpunktsteilheit, E = 0
Zero crossover
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
Spectral sensitivity
Quantenausbeute, λ = 850 nm
Quantum yield
Leerlaufspannung,
E
= 1000 Ix
v
Open-circuit voltage
E
Kurzschlußstrom,
= 1000 Ix
v
Short-circuit current
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
= 1 kΩ; VR= 5 V; λ = 850 nm; Ip = 10 µA
L
Durchlaßspannung,
I
= 100 mA, E = 0
F
Forward voltage
V
Kapazität,
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0
R
Capacitance
Symbol
Symbol
S
0
S
λ
Wert
Value
≤ 0.4 pA/mV
0.50 A/W
η 0.73
V
I
t
V
C
r
SC
O
, t
F
f
0
450 (≥ 380) mV
10 µA
1.3 µs
1.3 V
100 pF
Einheit
Unit
Electrons
Photon
Temperaturkoeffizient von
Temperature coefficient of V
Temperaturkoeffizient von
Temperature coefficient of I
V
O
O
I
SC
SC
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
= 1 V, λ = 850 nm
R
V
Nachweisgrenze,
= 1 V, λ = 850 nm
R
Detection limit
TC
TC
NEP
V
I
– 2.6 mV/K
0.16 %/K
2.5 × 10
D* 3.9 × 10
–15
13
W
√Hz
cm · √Hz
W
Semiconductor Group 363
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BPX 63
Relative spectral sensitivity
S
= f (λ)
rel
Dark current
I
= f (VR), E = 0
R
Photocurrent IP= f (Ev), VR = 5 V
Open-circuit-voltage V
= f (Ev)
O
Capacitance
C =f (V
), f = 1 MHz, E = 0
R
Total power dissipation
P
= f (TA)
tot
Dark current
I
= f (TA), Ev= 0 V, VR = 1 V
R
Directional characteristics S
rel
= f (ϕ)
Semiconductor Group 364
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