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BPY 12
BPY 12 H 1
Silizium-PIN-Fotodiode
Silicon-PIN-Photodiode
BPY 12
BPY 12 H 1
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
● Kurze Schaltzeit (typ. 25 ns)
Anwendungen
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
Features
● Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm
● Short switching time (typ. 25 ns)
Applications
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
feo06697 fso06016
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BPY 12
BPY 12 H 1
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
BPY 12 Q62702-P9
BPY 12 H 1 Q62702-P1029
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
T
Verlustleistung,
= 25 °C
A
Total power dissipation
Kennwerte (
Characteristics (
T
= 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
A
T
= 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
A
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
V
R
P
tot
Wert
Value
Einheit
Unit
– 55 ... + 100 °C
20 V
150 mW
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit,
V
R
= 5 V
Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom,
V
= 20 V
R
Dark current
Symbol
Symbol
S
λ
S max
Wert
Value
Einheit
Unit
180 (≥ 100) nA/Ix
920 nm
λ 400 ... 1100 nm
A 20 mm
L × B
× W
L
ϕ±60 Grad
I
R
4.47 × 4.47 mm
deg.
10 (≤ 100) nA
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BPY 12 H 1
Kennwerte (
Characteristics (
T
= 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
A
T
= 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
A
Bezeichnung
Description
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
Spectral sensitivity
Quantenausbeute, λ = 850 nm
Quantum yield
E
Leerlaufspannung,
= 1000 Ix
v
Open-circuit voltage
Kurzschlußstrom,
E
= 1000 Ix
v
Short-circuit current
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
= 50 Ω; VR= 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
L
Durchlaßspannung,
I
= 100 mA, E = 0
F
Forward voltage
V
Kapazität,
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0
R
Capacitance
Symbol
Symbol
S
λ
Wert
Value
0.60 A/W
η 0.86
V
O
I
SC
t
, t
r
f
V
F
C
0
365 (≥ 310) mV
180 µA
25 ns
1.3 V
140 pF
Einheit
Unit
Electrons
Photon
Temperaturkoeffizient für
Temperature coefficient of V
Temperaturkoeffizient für
Temperature coefficient of I
V
O
O
I
SC
SC
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
= 20 V, λ = 850 nm
R
Nachweisgrenze,
V
= 20 V, λ = 850 nm
R
Detection limit
TC
TC
NEP
V
I
– 2.6 mV/K
0.15 %/K
9.4 × 10
D* 4.7 × 10
–14
12
W
√
Hz
cm · √Hz
W
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Relative spectral sensitivity
S
= f (λ)
rel
Dark current
I
= f (VR), E = 0
R
Photocurrent IP= f (Ev), VR = 5 V
Open-circuit-voltage V
= f (Ev)
O
Capacitance
C =f (V
), f = 1 MHz, E = 0
R
Total power dissipation
P
= f (TA)
tot
Dark current
I
= f (TA), VR= 10 V, E = 0
R
Directional characteristics S
rel
= f (ϕ)
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