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Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
Neu: in SMT und als Reverse Gullwing
Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter
New: in SMT and as Reverse Gullwing
BPW 34 FA
BPW 34 FAS
BPW 34 FAS (E9087)
5.4
Cathode marking
4.0
3.7
0.6
0.4
0.6
0.4
0.8
0.6
1.4
1.8
Approx. weight 0.1 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
0.7
1.2
0.5
0.3
Photosensitive area
2.65 mm x 2.65 mm
0.35
0.2
0.8
0.6
4.9
4.5
4.3
0.6
0.4
0 ... 5˚
5.08 mm
spacing
Chip position
2.2
0.6
0.4
1.9
3.5
3.0
GEO06643
BPW 34 FA
feo06075
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für den Wellenlängen-
bereich von 830 nm bis 880 nm
● Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
● DIL-Plastikbauform mit hoher
Packungsdichte
● BPW 34 FAS/(E9087): geeignet für
Vapor-Phase Löten und IR-Reflow Löten
Anwendungen
● IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Gerätefernsteuerung
● Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Features
● Especially suitable for the wavelength range
of 830 nm to 880 nm
● Short switching time (typ. 20 ns)
● DIL plastic package with high packing
density
● BPW 34 FAS/(E9087): Suitable for
vapor-phase and IR-reflow soldering
Applications
● IR-remote control of hi-fi and TV sets, video
tape recorders, remote controls of various
equipment
● Photointerrupters
Semiconductor Group 1 1998-08-27
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BPW 34 FA, BPW 34 FAS
BPW 34 FAS (E9087)
0...0.1
0...0.1
1.1
0.9
0...5˚
1.5
1.7
GEO06863
1.1
0.9
0.2
0.2
4.0
0.1
3.7
0.1
Chip position
1.2
1.1
0.3
6.7
6.2
4.5
4.3
1.8
±0.2
0.9
0.7
Photosensitive area Cathode lead
2.65 mm x 2.65 mm
Chip position
1.2
1.1
0.3
feo06861
BPW 34 FAS
6.7
6.2
4.5
4.3
1.8
±0.2
0.9
0.7
Photosensitive area Cathode lead
2.65 mm x 2.65 mm
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
0...5˚
1.5
1.7
4.0
GEO06916
BPW 34 FAS (E9087)
3.7
BPW 34 FA Q62702-P1129
BPW 34 FAS Q62702-P463
feo06916
BPW 34 FAS (E9087) Q62702-P1829
Semiconductor Group 2 1998-08-27
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Grenzwerte
Maximum Ratings
BPW 34 FA, BPW 34 FAS
BPW 34 FAS (E9087)
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 870 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
= 5 V, Ee = 1 mW/cm
R
2
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
V
R
P
tot
Symbol
Symbol
S
λ
S max
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 ... + 85 °C
32 V
150 mW
Wert
Value
Einheit
Unit
50 (≥ 40) µA
880 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom, VR = 10 V
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
Quantenausbeute
Quantum yield
Leerlaufspannung, Ee = 0.5 mW/cm
2
Open-circuit voltage
λ 730 ... 1100 nm
A 7.00 mm
L × B
L
× W
2.65 × 2.65 mm × mm
2
ϕ±60 Grad
deg.
I
R
S
λ
2 (≤ 30) nA
0.65 A/W
η 0.93 Electrons
Photon
V
O
320 (≥ 250) mV
Semiconductor Group 3 1998-08-27
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Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 870 nm)
Characteristics (cont’d)
BPW 34 FA, BPW 34 FAS
BPW 34 FAS (E9087)
Bezeichnung
Description
Kurzschlußstrom, Ee = 0.5 mW/cm
2
Short-circuit current
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
= 50 Ω; VR= 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
L
Durchlaßspannung, IF= 100 mA, E = 0
Forward voltage
Kapazität, VR= 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance
Temperaturkoeffizient von V
Temperature coefficient of V
Temperaturkoeffizient von I
Temperature coefficient of I
O
O
SC
SC
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
= 10 V
R
Nachweisgrenze, VR= 10 V,
Detection limit
Symbol
Symbol
I
SC
t
, t
r
f
V
F
C
0
TC
V
TC
I
NEP
Wert
Value
23 µA
20 ns
1.3 V
72 pF
– 2.6 mV/K
0.03 %/K
3.9 × 10
D* 6.8 × 10
– 14
12
Einheit
Unit
W
√Hz
cm · √Hz
W
Semiconductor Group 4 1998-08-27
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BPW 34 FA, BPW 34 FAS
BPW 34 FAS (E9087)
Relative spectral sensitivity
S
= f (λ)
rel
100
S
rel
%
80
70
60
50
40
30
20
10
0
400
600 800 1000 nm 1200
Dark current
I
= f (VR), E = 0
R
4000
Ι
R
pA
3000
2000
1000
0
0 5 10 15 V 20
OHF01430
λ
OHF00080
V
R
Photocurrent IP= f (Ee), VR = 5 V
Open-circuit voltage V
34
10
µ
AmV
Ι
P
= f (Ee)
O
OHF01428
10
Total power dissipation
P
= f (TA)
tot
160
V
mW
P
O
tot
140
2
10
1
10
0
10
-1
10
0
10
Capacitance
C =f (V
C
), f = 1 MHz, E = 0
R
100
pF
80
70
60
50
40
30
20
10
0
-2
10
V
O
Ι
P
10110
-1
10010110210V
2
W/cm
µ
OHF00081
V
3
10
2
10
1
10
0
10
4
2
10
E
e
120
100
80
60
40
20
0
0
20 40 60 80 ˚C 100
Dark current
I
= f (TA), VR= 10 V, E = 0
R
3
10
nA
Ι
R
2
10
1
10
0
10
-1
10
R
20 40 60 80 ˚C 100
0
OHF00958
T
A
OHF00082
T
A
Directional characteristics S
40 30 20 10
50
60
70
80
90
100
rel
= f (ϕ)
0
ϕ
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
20 40 60 80 100 1200.40.60.81.0
0
OHF01402
Semiconductor Group 5 1998-08-27
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