Wing Shing Electronic Co manufacturer of power semiconductors DB3, DB6, DB4 Datasheet
DO-35 玻壳封装双向触发二极管
t
BI-DIRECTIONAL TRIGGER DIODES
3-1
DB3
符号 参数 测试条件 型号 外 型 尺 寸
Symbol Parameter Test Condition Type Package
V
BO
+V
- -V
BO
BO BREAKDOWN VOLTAGE
± V
VOLTAGE SEE FIG 1
V
O
IBO
t
r
I
B
击穿电压
BREAKDOWN VOLTAGE SEE FIG 1
击穿电压对称性 见图1 DB-3 3
SYMMETRY SEE FIG 1
动态回弹电压 DB-3 5
DYNAMIC BREAKBACK
输出电压 见图2
OUTPUT VOLTAGE SEE FIG 2
击穿电流
BREAKDOWN current
上升时间 见图3
Rise time SEE FIG 3
漏电电流
Vm=0.5VBO(Max)
Bleakage Current
I= IBO to IF=10mA
见图1
见图1 DO-35尺寸图
SEE FIG 1
Min Typ Max Uni
DB-3 28 32 36
DB-4 35 40 45 V
DB-6 56 60 70
DB-4 3 V
DB-6 4
DB-4 5 V
DB-6 10
5
100
1.5
10 A
29±1
3.8±0.2
V
A
29±1
s
0.11.8
±
0.5
0.2
±
单位
单位
mm)
mm
)
极限参数
极限参数
极限参数极限参数
LIMITING VALUES
符号
Symbol
功耗
Power Dissipution On Pented Circuit
P
c
I
F
max
T
r
T
j
Wing Shing Computer Components Co., (H.K.)Ltd. Tel:(852)2341 9276 Fax:(852)2797 8153
Homepage: http://www.wingshing.com E-mail: wsccltd@hkstar.com
贮存与工作结温范围
Storage and Operation Junction Temperature Range
参数
Parameter
峰值脉冲电流
50
a
=
t
p=10 s
t
pps
120
T a40
Value
150
DB-3 2.0
DB-4 2.0
DB-6 16
40 to 125
40 to 110
Unit
mW
A
-
玻壳封装双向触发二极管特性曲线
(
3-2
WS
DB3
玻壳封装双向触发二极管特性曲线
玻壳封装双向触发二极管特性曲线玻壳封装双向触发二极管特性曲线
I --V
+I
F
10mA
v I
I
BO
B
V
0.5
V
+V
BO
V
BO
-I
F
FIG-1 I - V 特性曲线
Current - voltage characterisitics
10K
FIG-2 输出电压测试电路
Test circuit for output voltage
90%
10%
500K
0.1 F V
I
P
DIAC
O
20
mW
P
160
120
80
40
050
load up to 1500 watts
Tamp
100
t
r
FIG-3 测试电路见图2 调整R IP=0.5A
Test circuit see diagram 2,Adjust R for I=0.5A
3.3k
120V
50HZ
200k
F
0.1
100V
TRIAC
DIAC
FIG -5 功耗环境温度关系曲线
Power dissipation versus ambiept temperature( maximum values) Typical DIAC-TRIAC full-wave phase control
最大值
FIG-4 典型DIAC-TRIAC 全波相控电路
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