Wing Shing Electronic Co manufacturer of power semiconductors 9013 Datasheet
C
C
C
C
NPN SILICON TRANSISTOR
9013
FEATURES
特特特特 征征征征
Power dissipation 最大耗散功率
P
: 0.625 W Tamb=25
CM
Collector current 最大集电极电流
I
Collector-base voltage
V
: 0.5 A
CM
: 45 V
(BR)CBO
集电极--基极击穿电压
TO 92
1.EMITTER
发 射 极
2.BASE
基 极
3.COLLECTOR
集 电 极
1 2 3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
电电电电 特特特特 性性性性
Parameter
参参参参 数数数数
Collector-base breakdown voltage
集电极
集电极--基极击穿电压
集电极集电极
Collector-emitter breakdown voltage
集电极
集电极--发射极击穿电压
集电极集电极
Emitter-base breakdown voltage
发射极
发射极--基极击穿电压
发射极发射极
Collector cut-off current
集电极
集电极--基极截止电流
集电极集电极
Collector cut-off current
集电极
集电极--发射极截止电流
集电极集电极
Emitter cut-off current
发射极
发射极--基极截止电流
发射极发射极
DC current gain(note)
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益直流电流增益
Collector-emitter saturation voltage
集电极
集电极--发射极饱和压降
集电极集电极
Base-emitter saturation voltage
基极
基极--发射极饱和压降
发射极饱和压降
基极基极
发射极饱和压降发射极饱和压降
Base-emitter voltage
基极
基极--发射极正向电压
发射极正向电压
基极基极
发射极正向电压发射极正向电压
基极击穿电压
基极击穿电压基极击穿电压
发射极击穿电压
发射极击穿电压发射极击穿电压
基极击穿电压
基极击穿电压基极击穿电压
基极截止电流
基极截止电流基极截止电流
发射极截止电流
发射极截止电流发射极截止电流
基极截止电流
基极截止电流基极截止电流
发射极饱和压降
发射极饱和压降发射极饱和压降
Tamb=25 unless otherwise specified
环境温度
环境温度 除除除除 非非非非 另另另另 有有有有 规规规规 定
环境温度环境温度
Symbol
符 号
V(BR)
V(BR)
V(BR)
I
CBO
I
CEO
I
EBO
H
FE 1
H
FE 2
CBO
CEO
EBO
Test conditions
测 试 条 件
Ic= 100 A IE=0
Ic= 0. 1 mA IB=0 25 V
IE= 100 A IC=0
VCB= 40 V IE=0 0.1
VCE= 20 V IB=0 0.1
VEB= 5 V IC=0 0.1
V
= 1 V, IC= 50 mA 64 300
E
V
= 1V, I
E
=500 mA 40
MIN
最小值
45 V
5 V
VCE(sat) IC= 500 mA, IB=50 mA 0.6 V
VBE(sat) IC= 500mA, IB= 50 mA 1.2 V
V
BE
IE=100mA 1.4 V
TYP
典型值
定
定定
MAX
最大值
UNIT
单位
A
A
A
Transition frequency
特征频率
特征频率
特征频率特征频率
CLASSIFICATION OF H
Rank
档次
档次
档次档次
Range
范围
范围
范围范围
Wing Shing Computer Components Co., (H.K.)Ltd. Tel:(852)2341 9276 Fax:(852)2797 8153
Homepage: http://www.wingshing.com E-mail: wsccltd@hkstar.com
DEFGHI
64-91 78-112 96-135 112-166 144-220 190-300
FE(1)
f
T
分类
分类
分类分类
V
= 6 V, IC= 20 mA
E
f =30MHz
150 MHz
Loading...