
TVS和ESD保护
V I S H AY I N T E R T E C H N O LO G Y, I N C .
选 型 指 南二 极 管
Tr a n s Z o r b® 雪崩 T V S
®
PA R
特 殊 功能 瞬 态电 压 抑制 器
E S D 保 护器 件
可提 供 E S D 保 护的 E M I 滤 波器
汽 车 T VS
w w w. v i s h a y. c o m

瞬态电压抑制器
TransZorb® 雪崩 TVS
Vishay 的TransZorb®瞬态电压抑制器(TVS)采用了目前最先进的技术,可提供业界最大的电压范围。此设计允许雪崩击穿二极
管TVS在较短时间内吸收大量能量而不被损坏。 Vishay的TransZorb TVS没有耗损机制,具有足够快的导通时间和极佳的箝位特
性。
P
PPM
(W)
100
200
300
(1)
器件
(2)
系列 形式
MSPxx(A) 表面贴装 MicroSMP 3.3 - 5.0 4.1 - 6.4 5 %(A)
TGL41-nn(A) 表面贴装 MELF (DO-213AB) 81 - 171 100 - 200 5 %(A)/10 %(空白)
P4KE530 &
P4KE550
SMAJ530 &
SMAJ550
塑料轴向封装 DO-41 (DO-204AL) 477 & 495 530 & 550
表面贴装 DO-214AC (SMA) 477 & 495 530 & 550
封装
P4SMAnnA 表面贴装 SMA (DO-214AC) 85.5 - 459 100 - 540 5 %
P4SMAnnCA 表面贴装 SMA (DO-214AC) 85.
SMAJxx(A), C(A) 表面贴装 SMA (DO-214AC) 85 - 188 94.4 - 209 5 %(A)/10 %(空白)
BZW04(P)-xx(B) 塑料轴向封装 DO-41 (DO-204AL) 5.8 - 376 6.45 - 418 7 %(P)/5 %(空白)
P4KEnn(A) 塑料轴向封装 DO-41 (DO-204AL) 5.5 - 459 6.8 - 540 5 %(A)/10 %(空白)
P4KEnnC(A) 塑料轴向封装 DO-41 (DO-204AL) 5.5 - 376 6.8 - 440 5 %(A)/10 %(空白)
400
P4KEnnD 塑料轴向封装 DO-41 (DO-204AL) 5.8 - 47.8 6.8 - 56 3.5 % (D)
P4SMAnnA, CA 表面贴装 SMA (DO-214AC) 5.8
SMAJxx(A), C(A) 表面贴装 SMA (DO-214AC) 5.0 - 78 6.4 - 86.7 5 %(A)/10 %(空白)
SMPxx(A) 表面贴装 DO-220AA (SMP) 3.3 - 36 4.10 - 40.0 5 %(A)/10 %(空白)
TGL41-nn(A) 表面贴装 MELF ( DO-213AB) 5.5 - 77.8 6.8 - 91 5 %(A)/10 %(空白)
500
SAxx(A), C(A) 塑料轴向封装 DO-15 (DO-204AC) 5.0 - 170 6.4 - 189 5 %(A)/10 %(空白)
SMA5Jxx(A), C(A) 表面贴装 SMA (DO-214AC) 5.0 - 40 6.4 - 44.4 5 %(A)/10 %(空白)
P6KEnn(A) 塑料轴向封装 DO-15
(DO-204AC) 5.5 - 459 6.8 - 540 5 %(A)/10 %(空白)
P6KEnnC(A) 塑料轴向封装 DO-15 (DO-204AC) 5.5 - 376 6.8 - 440 5 %(A)/10 %(空白)
P6SMBnnA 表面贴装 SMB (DO-214AA) 5.8 - 459 6.8 - 540 5 %
P6SMBnnCA 表面贴装 SMB (DO-214AA) 5.8 - 185 6.8 - 220 5 %
600
SM6TnnA, CA 表面贴装 SMB (DO-214AA) 5.8 - 188 6.8 - 220 5 %
SMA6JxxA 表面贴装 SMA (DO-214AC) 5.0 - 28 6.40 - 34.4 5 %
SMBGxx(A), C(A) 表面贴装 SMB (DO-215AA) 5.0 - 188 6.4 - 209 5 %(A)/10 %(空白)
MBJxx(A), C(A) 表面贴装 SMB (DO-214AA) 5.0 - 188 6.4 - 209 5 %(A)/10 %(空白)
S
SMBJ3V3 表面贴装 SMB (DO-214AA) 3.3 4.1最小值
800
1000
SMB8JxxC(A) 表面贴装 SMB (DO-214AA) 5.0 - 40 6.4 - 44.4 5 %(A)/10 %(空白)
SMB10Jxx(A)
表面贴装 SMB (DO-214AA) 5.0 - 40 6.4 - 44.4 5 %(A)/10 %(空白)
1.5KEnn(A) 塑料轴向封装 1.5KE 5.5 - 459 6.8 - 540 5 %(A)/10 %(空白)
1.5KEnnC(A) 塑料轴向封装 1.5KE 5.5 - 376 6.8 - 440 5 %(A)/10 %(空白)
1500
1N6267 - 1N6303 塑料轴向封装 1.5
1.5SMCnnA 表面贴装 SMC (DO-214AB) 5.8 - 459 6.8 - 540 5 %
KE 5.5 - 171 6.8 - 200 5 %(A)/10 %(空白)
1.5SMCnnCA 表面贴装 SMC (DO-214AB) 5.8 - 185 6.8 - 220 5 %
ICTE-xx 塑料轴向封装 1.5KE 5.0 - 18 6.0 - 21.2 不适用
注解:
(1) 利用10/1000 μs脉冲进行测量
(2) 部件编号中,"xx" 代表V
3) 部件编号中"nn"表示标称电压,"xx"或(m)脚注表示最低电压。 目前正在计划
(
实现更高的电压指标(可达600 V)。请与当地销售商联系确定产品信息
(4) 双向极性用后缀"C"或"CA"来表示(BZW04使用后缀"B")
, "nn" 代表标称电压
WM
V
WM
范围
(V)
V
(BR)
(3)
范围
(V)
(m)
不适用
(m)
不适用
V
(BR)
(后缀)
公差
5 - 185 100 - 220 5 %
- 77.8 6.8 - 91 5 %
(5) 大部分TVS产品取得了UL标准497B下保护器类别(QVGQ2)的认证,且单向
和双向器件都采用文件号E136766。具体信息请参考各自的数据手册。
For technical support, contact DiodesAmericas@vishay.com,
DiodesEurope@vishay.com,DiodesAsia@vishay.com
www.vishay.comVishay Intertechnology

Tr ansZor b® 雪崩 TVS (续)
瞬态电压抑制器
(1)
P
PPM
(W)
器件
(2)
系列 形式
封装
V
WM
范围
(V)
V
(BR)
范围
(V)
(3)
V
(BR)
(后缀)
公差
ICTE-xxC 塑料轴向封装 1.5KE 8.0 - 18 9.4 - 21.2 不适用
1N6373 - 1N6378 塑料轴向封装 1.5KE 5.0 - 18 6.0 - 21.2 不适用
1500
(续)
1N6382 - 1N6386 塑料轴向封装 1.5KE 8.0 - 18 9.4 - 21.2 不适用
SM15TnnA, CA 表面贴装 SMC (DO-214AB) 5.8 - 188 6.8 - 220 5 %
SMCGxx(A), C(A) 表面贴装 SMC (DO-215AB) 5.0 - 188 6.4 - 209 5 %(A)/10 %(空白)
SMCJxx(A), C(A) 表面贴装 SMC (DO-214AB) 5.0 - 188 6.4 - 209 5 %(A)/10
%(空白)
SMPCxx(A) 表面贴装 SMPC (TO-277A) 5.0 - 36 6.4 - 40 5 %
5000
注解:
(1) 利用10/1000 μs脉冲进行测量
(2) 部件编号中,"xx" 代表V
(3) 部件编号中"nn"表示标称电压,"xx"或(m)脚注表示最低电压。目前正在计
划实现更高的电压指标(可达600 V)。请与当地销售商联系确定产品信息
(4) 双向极性用后缀"C"或"CA"来表示(BZW04使用后缀"B")
5KPxx(A) 塑料轴向封装 P600 5.0 - 188 6.4 - 209 5 %(A)/10 %(空白)
(5) 大部分TVS产品取得了UL标准497B下保护器类别(QVGQ2)的认证,且单向
和双向器件都采用文件号E136766。具体信息请参考各自的数据手册。
, "nn" 代表标称电压
WM
PAR® 汽车 TVS
Vishay的汽车瞬态电压抑制器(TVS)利用了PAR®专利技术,相比于其他雪崩TVS二极管,其可在更大的温度范围内(可达185
oC)表现出极佳的稳定性和功率处理能力。本产品组合包含了专门用于负载突降浪涌保护的器件,封装类型有轴向和表面贴装两
种。
P
PPM
(W)
250
300
400
600
1500
3000
3600
4600
6000
6600
(1)
器件
(2)
系列 形式
封装
V
WM
范围
(V)
V
(BR)
TPSMPnn(A) 表面贴装 DO-220AA (SMP) 5.5 - 5.8 6.8 5 %(A)/10 %(空白)
TPSMPnn(A) 表面贴装 DO-220AA (SMP) 6.05 - 10.2 7.5 - 12 5 %(A)/10 %(空白)
TMPG06-nn(A) 塑料轴向封装 MPG06 5.5 - 7.78 6.8 - 9.1 5 %(A)/10 %(空白)
TPSMPnn(A) 表面贴装 DO-220AA (SMP) 10.5 - 36.8 13 - 43 5 %(A)/10 %(空白)
TPSMAnn(A) 表面贴装 SMA (DO-214AC) 5.5 - 36.8 6.8 - 43 5 %(A)/10 %(空白)
TMPG06-nn(A)
塑料轴向封装 MPG06 8.1 - 36.8 10 - 43 5 %(A)/10 %(空白)
P4KAnn(A) 塑料轴向封装 DO-41 (DO-204AL) 5.5 - 36.8 6.8 - 43 5 %(A)/10 %(空白)
TPSMBnn(A) 表面贴装 SMB (DO-214AA) 5.5 - 36.8 6.8 - 43 5 %(A)/10 %(空白)
P6KAnn(A) 塑料轴向封装 DO-15 (DO-204AC) 5.5 - 36.8 6.8 - 43 5 %(A)/10 %(空白)
TPCnn(A) 表面贴装 SMPC (TO-277A) 5.5 - 36.8 6.8 - 43 5 %(A)/10 %(空白)
TPSMCnn(A) 表面贴装 SMC (DO-214AB) 5.5 - 40.2 6.8 - 47 5 %(A)/10 %(空白)
nn(A) 塑料轴向封装 1.5KA 5.5 - 40.2 6.8 - 47 5 %(A)/10 %(空白)
1.5KA
3KASMCnn(A) 表面贴装 SMC (DO-214AB) 10 - 43 11.1 - 52.8 5 %(A)/10 %(空白)
(4)
SM5A27 表面贴装 DO-218AB 22 27
SM5Sxx(A) 表面贴装 DO-218AB 10 - 36 11.1 - 40 5 %(A)/10 %(空白)
(4)
SM6A27 表面贴装 DO-218AB 22 27
SM6Sxx(A) 表面贴装 DO-218AB 10 - 36 11.1 - 40 5 %(A)/10 %(空白)
6KA24 塑料轴向封装 P600 24 29.7 10 %
(4)
SM8A27 表面贴装 DO-218AB 22 27
SM8Sxx(A) 表面
贴装 DO-218AB 10 - 43 11.1 - 47.8 5 %(A)/10 %(空白)
范围
(V)
(3)
V
(BR)
(后缀)
±
3 V
±
3 V
±
3 V
公差
注解:
(1) 利用10/1000 μs脉冲进行测量
(2) 部件编号中,"xx" 代表V
(3) 部件编号中”nn”表示标称电压,”xx”表示最小电压
(4) 对于10 μs/10 ms负载突降脉冲标称值,请参考数据手册
, "nn" 代表标称电压
WM
For technical support, contact DiodesAmericas@vishay.com,
(5) 所有汽车TVS都仅为单向极性
(6) 所有汽车TVS都利用PAR专利工艺技术实现优越的高温性能
(7) 大部分TVS产品取得了UL标准497B下保护器类别(QVGQ2)的认证,且单
向和双向器件都采用文件号E
DiodesEurope@vishay.com,DiodesAsia@vishay.com
136766。具体信息请参考各自的数据手册。
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特殊功能
瞬态电压抑制器
低电容瞬态电压抑制器
(1)
P
PPM
(W)
器件
(2)
系列 形式
封装
V
WM
范围
(V)
V
(BR)
500 SACxx 塑料轴向封装 DO-15 (DO-204AC) 5.0 - 50 7.6 - 55.5 不适用
1500 LCExx(A) 塑料轴向封装 1.5KE 6.5 - 28 7.22 - 31.1 5 %(A)/10 %(空白)
低前向电压瞬态电压抑制器
范围
(V)
(3)
V
公差
(BR)
(后缀)
(1)
P
PPM
(W)
器件
系列 形式
封装
600 LVB14A 表面贴装 SMB (DO-214AA) 12 13.2 - 14.8 100
注解:
(1) 利用10/1000 μs脉冲进行测量
(2) 部件编号中 "xx" 代表V
(3) 部件编号中”nn”表示标称电压,”xx”或(m)脚注表示最小电压
,"nn" 代表标称电压
WM
TVS封装尺寸
表面贴装 长度 宽度 高度
DO-218AB 13.5 8.5 4.85
DO-214AA (SMB J) 4.3 3.6 2.3
DO-214AB (SMC J) 6.8 5.9 2.3
DO-214AC (SMA) 4.2 2.6 2.14
DO-215AA (SMB G) 4.3 3.6 2.3
DO-215AB (SMC G) 6.8 5.9 2.3
Micro SMP 2.2 1.3 0.65
DO-220AA (SMP) 3.4 2 1
TO-277A (SMPC) 6.1 4.3 1.1
V
WM
(V)
V
(BR)
(V)
范围
最大ID @ V
(µA)
WM
轴向封装 本体长度 本体直径 引线长度 引线直径
MPG06 3.1 2.4 25.4 0.61
DO-204AL (DO-41) 4.6 2.4 25.4 0.79
DO-204AC (DO-15) 6.7 3.1 25.4 0.79
1.5KE 8.4 5.1 25.4 1.02
P600 8.8 8.8 25.4 1.27
单位:毫米
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ESD保护器件
ESD保护器件和EMI滤波器
峰值脉
(*) =
PPP 峰值脉
冲功率
IEC 61000-
@ 8/20µs
(*) =
@ 10/1000
00 (*) 120 30 1
4-5
C
负载电容
D
@ VR= 0 V
ESD抗扰性
IEC 61000-
4-2
0 1
线路数目
I
PPM
PPM
冲电流
IEC 610004-5@8/20µs
@ 10/1000
部件
编号
BZG04-8V2 DO214AC (SMA) 8.2 20 9 14.8 20.3 (*) 300 (*) 1200 30 1
BZG04-9V1 DO214AC (SMA) 9.1 5 10 15.7 19.1 (*) 300 (*) 1100 30 1
BZG04-10 DO214AC (SMA) 10 5 11 17 17.7 (*) 300 (*) 1000 30 1
ZG04-11 DO214AC (SMA) 11 5 12 18.9 15.9 (*) 300 (*) 850 30 1
B
BZG04-12 DO214AC (SMA) 12 5 14 20.9 14.4 (*) 300 (*) 815 30 1
BZG04-13 DO214AC (SMA) 13 5 15 22.9 13.1 (*) 300 (*) 785 30 1
BZG04-15 DO214AC (SMA) 15 5 17 25.6 11.7 (*) 300 (*) 710 30 1
BZG04-16 DO214AC (SMA) 16 5 19 28.4 10.6 (*) 300 (*) 655 30 1
BZG04-18 DO214AC (SMA) 18 5 21 31 9.7 (*) 300 (*) 610 30 1
BZG04-20 DO214AC (SMA) 20 5 23 33.8 8.9 (*) 300 (*) 570 30 1
BZG04-22 DO214AC (SMA) 22 5 25 38.1 7.9 (*) 300 (*) 545 3
BZG04-24 DO214AC (SMA) 24 5 28 42.2 7.1 (*) 300 (*) 505 30 1
BZG04-27 DO214AC (SMA) 27 5 31 46.2 6.5 (*) 300 (*) 475 30 1
BZG04-30 DO214AC (SMA) 30 5 34 50.1 6 (*) 300 (*) 450 30 1
BZG04-33 DO214AC (SMA) 33 5 37 54.1 5.5 (*) 300 (*) 420 30 1
BZG04-36 DO214AC (SMA) 36 5 40 60.7 4.9 (*) 300 (*) 390 30 1
BZG04-39 DO214AC (SMA) 39 5 44 65.5 4.6 (*) 300 (*) 370 30 1
BZG04-43 DO214AC (SMA) 43 5 48 70.8 4.2 (*) 300 (*) 350 30 1
BZG04-47 DO214AC (SMA) 47 5 52 78.6 3.8 (*) 300 (*) 330 30 1
BZG04-51 DO214AC (SMA) 51 5 58 86.5 3.5 (*) 300 (*) 310 30 1
BZG04-56 DO214AC (SMA) 56 5 64 94.4 3.2 (*) 300 (*) 291 30 1
BZG04-62 DO214AC (SMA) 62 5 70 103.5 2.9 (*) 300 (*) 280 30 1
BZG04-68 DO214AC (SMA) 68 5 77 114 2.6 (*) 300 (*) 275 30 1
BZG04-75 DO214AC (SMA) 75 5 85 126 2.4 (*) 300 (*) 260 30 1
BZG04-82 DO214AC (SMA) 82 5 94 139 2.2 (*) 300 (*) 250 30 1
BZG04-91 DO214AC (SMA) 91 5 104 152 2 (*) 300 (*) 243 30 1
BZG04-100 DO214AC (SMA) 100 5 114 167 1.8 (*) 300 (*) 170 30 1
G04-110 DO214AC (SMA) 110 5 124 185 1.6 (*) 300 (*) 153 30 1
BZ
BZG04-120 DO214AC (SMA) 120 5 138 204 1.5 (*) 300 (*) 150 30 1
BZG04-130 DO214AC (SMA) 130 5 153 224 1.3 (*) 300 (*) 145 30 1
BZG04-150 DO214AC (SMA) 150 5 168 249 1.2 (*) 300 (*) 140 30 1
BZG04-160 DO214AC (SMA) 160 5 188 276 1.1 (*) 300 (*) 135 30 1
BZG04-180 DO214AC (SMA) 180 5 208 305 1 (*) 300 (*) 131 30 1
BZG04-200 DO214AC (SMA) 200 5 228 336 0.9 (*) 300 (*) 122 30 1
BZG04-220 DO214AC (SMA) 220 5 251 380 0.8 (*) 3
GL05T SOT-23 5 20 6 - 17 300 5 25 1
GL12T SOT-23 12 1 13 - 12 300 5 25 1
GL15T SOT-23 15 1 17 - 10 300 5 25 1
GL24T SOT-23 24 1 27 55 5 300 5 25 1
GMF05C-HS3 LLP75-6A 5 1 6 12.5 12 200 150 30 5 4
GMF05C-HSF LLP75-6L 5 1 6 12.5 12 200 150 30 5 4
GMF05LC-HS3 LLP75-6A 5 0.1 6 12.5 5 70 50 30 5 4
GMF05LC-HSF LLP75-6L 5 0.1 6 12.5 5 70 50 30 5 4
1) BiAs表示双向和非对称箝位性能 - 在两个方向进行保护,但具有不同的箝位电平
BiSy表示双向和对称箝位性能 - 在两个方向进行保护,且具有相同的箝位电平
Uni 表示单向箝位性能,只在一个方向进行保护
封装
名称
V
RWM
范围
IR反向漏
工作
(V) (µA) (V) (V) [A] (W) (pF) (kV) BiAs BiSy Uni
电流 @
V
RWM
V
BR min
穿电压
击
VC箝位
电压
@ I
受保护
1)
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ESD保护器件和EMI滤波器
ESD保护器件(续)
峰值脉
(*) =
PPP 峰值脉
冲功率
IEC 61000-
@ 8/20µs
(*) =
@ 10/1000
CD负载电容
4-5
@ VR= 0 V
8 65 30 2 1
000 305 30 1
ESD抗扰性
IEC 61000-
4-2
0 30 1
I
PPM
PPM
冲电流
IEC 610004-5@8/20µs
@ 10/1000
部件
编号
GSOT03 SOT-23 3.3 100 4 12.3 30 369 600 30 1
GSOT03C SOT-23 3.3 100 4 12.3 30 369 600 30 2 1
GSOT04 SOT-23 4 20 5 14.3 30 429 450 30 1
GSOT04C SOT-23 4 20 5 14.3 30 429 450 30 2 1
GSOT05 SOT-23 5 10 6 16 30 480 35
GSOT05C SOT-23 5 10 6 16 30 480 350 30 2 1
GSOT05CL SOT-23 5.5 1 6 12 13 156 120 30 2 1
GSOT05L SOT-23 5.5 1 6 12 13 156 115 30 1
GSOT08 SOT-23 8 5 9 19.2 18 345 250 30 1
GSOT08C SOT-23 8 5 9 19.2 18 345 250 30 2 1
GSOT12 SOT-23 12 1 14 26 12 312 150 30 1
GSOT12C SOT-23 12 1 14 26 12 312 150 30 2 1
GSOT15 SOT-23 15 1 17 28.8 8 230 120 30 1
GSOT15C SOT-23 15 1 17 28.8 8 230 120 30 2 1
GSOT24 SOT-23 24 1 27 47 5 235 80 30 1
GSOT24C SOT-23 24 1 27 47 5 235 80 30 2 1
GSOT36 SOT-23 36 1 39 71 3.5 248 65 30 1
GSOT36C SOT-23 36 1 39 71 3.5 24
SMF5V0A SMF (DO-219AB) 5 400 6 9.2 21.7 (*) 1000 1030 30 1
SMF6V0A SMF (DO-219AB) 6 400 7 10.3 19.4 (*) 1000 1010 30 1
SMF6V5A SMF (DO-219AB) 6.5 250 7 11.2 17.9 (*) 1000 850 30 1
SMF7V0A SMF (DO-219AB) 7 100 8 12 16.7 (*) 1000 750 30 1
SMF7V5A SMF (DO-219AB) 7.5 50 8 12.9 15.5 (*) 1000 730 30 1
SMF8V0A SMF (DO-219AB) 8 25 9 13.6 14.7 (*) 1000 670 30 1
SMF8V5A SMF (DO-219AB) 8.5 10 9 14.4 13.9 (*) 1000 660 30 1
SMF9V0A SMF (DO-219AB) 9 5 10 15.4 13.5 (*) 1000 620 30 1
SMF10A SM
SMF11A SMF (DO-219AB) 11 2.5 12 18.2 11 (*) 1000 460 30 1
SMF12A SMF (DO-219AB) 12 2.5 13 19.9 10.1 (*) 1000 440 30 1
SMF13A SMF (DO-219AB) 13 1 14 21.5 9.3 (*) 1000 420 30 1
SMF14A SMF (DO-219AB) 14 1 16 23.2 8.6 (*) 1000 370 30 1
SMF15A SMF (DO-219AB) 15 1 17 24.4 8.2 (*) 1000 350 30 1
SMF16A SMF (DO-219AB) 16 1 18 26 7.7 (*) 1000 340 30 1
SMF17A SMF (DO-219AB) 17 1 19 27.6 7.2 (*) 1000 310 30 1
SMF18A SMF (DO-219AB) 18 1 20 29.2 5.8 (*) 1
SMF20A SMF (DO-219AB) 20 1 22 32.4 6.2 (*) 1000 270 30 1
SMF22A SMF (DO-219AB) 22 1 24 35.5 5.6 (*) 1000 265 30 1
SMF24A SMF (DO-219AB) 24 1 27 38.9 5.1 (*) 1000 240 30 1
SMF26A SMF (DO-219AB) 26 1 29 42.1 4.8 (*) 1000 225 30 1
SMF28A SMF (DO-219AB) 28 1 31 45.4 4.4 (*) 1000 210 30 1
SMF30A SMF (DO-219AB) 30 1 33 48.4 4.1 (*) 1000 205 30 1
SMF33A SMF (DO-219AB) 33 1 37 53.3 3.8 (*) 1000 190 30 1
SMF36A SMF (DO-219AB) 36 1 40 58.1 3.4 (*) 1000 180 30 1
1) BiAs表示双向和非对称箝位性能 - 在两个方向进行保护,但具有不同的箝位电平
BiSy表示双向和对称箝位性能 - 在两个方向进行保护,且具有相同的箝位电平
Uni表示单向箝位性能,只在一个方向进行保护!
封装
名称
F (DO-219AB) 10 2.5 11 17 11.8 (*) 1000 570 30 1
V
RWM
范围
IR反向漏
工作
(V) (µA) (V) (V) [A] (W) (pF) (kV) BiAs BiSy Uni
电流 @
V
RWM
V
BR min
穿电压
击
VC箝位
电压
@ I
受保护
线路数目
1)
For technical support, contact DiodesAmericas@vishay.com,
DiodesEurope@vishay.com,DiodesAsia@vishay.com
www.vishay.comVishay Intertechnology

ESD保护器件(续)
ESD保护器件和EMI滤波器
峰值脉
PPP 峰值脉
冲功率
IEC 61000-
4-5
@ 8/20µs
(*) =
@ 10/1000
CD负载电容
@ VR= 0 V
ESD抗扰性
IEC 61000-
4-2
受保护
线路数目
1)
I
PPM
部件
编号
SMF40A SMF (DO-219AB) 40 1 44 64.5 3.1 (*) 1000 165 30 1
SMF43A SMF (DO-219AB) 43 1 48 69.4 2.9 (*) 1000 160 30 1
SMF45A SMF (DO-219AB) 45 1 50 72.7 2.8 (*) 1000 155 30 1
SMF48A SMF (DO-219AB) 4
SMF51A SMF (DO-219AB) 51 1 57 82.4 2.4 (*) 1000 145 30 1
VBUS051BD-HD1 LLP1006-2L 5 0.1 7 16 3 45 1.3 15 1
VBUS051CD-HD1 LLP1006-2L 5.5 0.1 7 14 2 28 0.8 9 1
VBUS052BD-HTF LLP75-4L 5 0.1 7 16 3 45 2.5 15 2
VBUS052CD-FAH LLP1713-7L 5 0.1 7 18 3.5 63 1 15 2
VBUS053AZ-
HAF(管脚1、2
、3到7)
VBUS053AZ-
HAF(管脚6到7)
VBUS053BZ-
HNH(管脚1-3
到9)
VBUS053BZ-
HNH(管脚4到9)
VBUS053CZ-
HAF(管脚1、2
、3到7)
VBUS053CZ-
HAF(管脚6到7)
VBUS054B-HS3 LLP75-6A 5 0.1 6 15 3 45 1 15 4
VBUS054B-HSF LLP75-6L 5 0.1 6 15 3 45 1 15 4
VBUS054CD-FHI LLP2513-11L 5 0.1 7 18 3.5 63 1 15 4
VBUS054CV-06S SOT-23-6L 28 0.1 7 22 11 242 2.5 30 4
VBUS054CV-HS3 LLP75-6A 5 0.1 6 22 11 242 2.5 30 4
VBUS054DD-HF4 LLP1010-5L 5 0.1 7 19 3 45 1 15 4
VBUS05L1-DD1 LLP1006-2M 5.5 0.05 7 17 2 34 0.4 9 1
VCUT03B1-DD1 LLP1006-2M 3.5 0.1 6 1
VCUT0505B-HD1 LLP1006-2L 5 0.1 7 16 3.5 56 20 20 1
VCUT05A4-05S SOT-23-5L 5.5 0.1 7 16 3.5 56 20 20 4
VCUT05B1-DD1 LLP1006-2M 5.5 0.1 6 12.5 3 38 13 30 1
VCUT0714A-02Z SOD-923 14 0.1 15 30 2 54 8.5 25 1 1
VCUT0714A-HD1 LLP1006-2L 14 0.1 15 30 2 54 8.5 25 1 1
VESD01-02V SOD-523 1 100 2 9 7 63 180 8 1
VESD03-02V SOD-523 3 20 4 12 9 108 110 8 1
VESD03A1B-HD1 LLP1006-2L 3.3 0.5 5 9 3.5 31 28 30 1
VESD03A1C-02Z SOD-923 3.3 1 5 10 9.5 95 85 30 1
VESD03A1C-HD1 LLP1006-2L 3.3 1 5 10 9.5 95 90 30 1
D05-02V SOD-523 5 0.1 7 20 6 120 55 8 1
VES
VESD05A1-02V SOD-523 5 1 6 12 16 192 150 30 1
封装
名称
LLP75-7L 5.5 0.1 7 18 3 36 1 15 3
LLP75-7L 12 0.1 15 30 8 240 80 30 1
LLP1713-9L 5.5 1 7 18 3 36 1 12 3
LLP1713-9L 12 0.
LLP75-7L 5.5 1 7 18 3 36 1 15 3
LLP75-7L 28 0.1 32 60 3 180 50 8 1
V
RWM
范围
IR反向漏
工作
电流 @
(V) (µA) (V) (V) [A] (W) (pF) (kV) BiAs BiSy Uni
8 1 53 77.4 2.6 (*) 1000 150 30 1
V
BR min
V
穿电压
RWM
1 15 30 8 240 85 30 1
击
VC箝位
电压
@ I
冲电流
IEC 610004-5@8/20µs
PPM
1.5 3.5 40 15 18 1
(*) =
@ 10/1000
1) BiAs表示双向和非对称箝位性能 - 在两个方向进行保护,但具有不同的箝位电平
BiSy表示双向和对称箝位性能 - 在两个方向进行保护,且具有相同的箝位电平
Uni表示单向箝位性能,只在一个方向进行保护!
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ESD保护器件和EMI滤波器
ESD保护器件(续)
峰值脉
(*) =
PPP 峰值脉
冲功率
IEC 61000-
4-5
@ 8/20µs
(*) =
@ 10/1000
CD负载电容
@ VR= 0 V
ESD抗扰性
IEC 61000-
4-2
受保护
线路数目
部件
编号
封装
名称
V
RWM
范围
工作
IR反向漏
电流 @
V
RWM
V
BR min
穿电压
击
VC箝位
电压
@ I
PPM
I
PPM
冲电流
IEC 610004-5@8/20µs
@ 10/1000
(V) (µA) (V) (V) [A] (W) (pF) (kV) BiAs BiSy Uni
VESD05A1A-HD1 LLP1006-2L 5 1 6 12 16 192 150 30 1
VESD05A1B-02V SOD-523 5 0.1 6 11 3 33 23 20 1
VESD05A1B-02Z SOD-923 5 0.1 6 11 3 33 23 20 1
VESD05A1B-HD1 LLP1006-2L 5 0.1 6 11 3 33 23 20 1
VESD05A1C-02
Z SOD-923 5 1 6 10 8 80 63 30 1
VESD05A1C-HD1 LLP1006-2L 5 0.2 6 10 8 80 63 30 1
VESD05A4A-HS4 LLP1010-6L 5 0.1 6 12 2.5 30 15 15 4 3
VESD05A5A-HS3 LLP75-6A 5 0.1 6 13 2.5 33 15 15 5 4
VESD05A5A-HSF LLP75-6L 5 0.1 6 13 2.5 33 15 15 5 4
VESD05A6A-HAF LLP75-7L 5 0.1 6 13 2.5 33 15 15 6 5
VESD05A6-HAF LLP75-7L 5 1 6 12 5 60 50 30 6 5
VESD05A8A-HNH LLP1713-9L 5 1 6 13 5 65 35 25 8 7
VESD05A8B-HNH LLP1713-9L 5 0.5 6 13 4 52 23 17 8 7
VESD05A8C-HNH LLP1713-9L 5 0.1 6 13 2.5 33 13 8 8 7
VESD08-02V SOD-523 8 0.1 9 30 4 120 35 8 1
ESD09A4A-HS4 LLP1010-6L 9 0.1 11 23 1.5 30 10 8 4
V
VESD09A4A-HSF LLP75-6L 9 0.1 11 23 1.5 30 10 8 4
VESD12-02V SOD-523 12 0.1 14 25 2 50 30 8 1
VESD12A1A-HD1 LLP1006-2L 12 0.1 14 24 8 200 65 30 1
VESD12A1C-02Z SOD-923 12 0.1 14 23 4 92 36 30 1
VESD12A1C-HD1 LLP1006-2L 12 0.1 14 23 4 92 36 30 1
1) BiAs表示双向和非对称箝位性能 - 在两个方向进行保护,但具有不同的箝位电平
BiSy表示双向和对称箝位性能 - 在两个方向进行保护,且具有相同的箝位电平
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1)
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部件编号
封装
名称
V
RWM
范围
工作
I
R
反向漏
电流@
V
RWM
V
BR min
击穿
电压
@ 1mA
可提供ESD保护的EMI滤波器
VC箝位
@ I
电压
PPM
I
峰值脉
PPM
冲电流
根据IEC
61000-4-5
@ 8/20 µs
CD负载电容
@ VR= 0 V
ESD- 抗
扰性
根据IEC
61000-
4-2
RS 串联电阻
线路
电感
Ls
3dB截止
频率
受保护线路
数目
2)
(V) (µA) (V) (V) (A)
VEMI255A-HS3 LLP75-6A 5 1 6 8 4 60 30 50 100 2
VEMI353A-HAF LLP75-7L 5 1 6 8 4 60 30 30 100 3
VEMI355A-HAF LLP75-7L 5 1 6 8 4 60 30 50 100 3
VEMI35AA-HAF LLP75-7L 5 1 6 8 4 60 30 100 100 3
VEMI45AA-HNH LLP1713-9L 5 1 6 8 4 60 30 100 100 4
VEMI45AB-HNH LLP1713-9L 5 1 6 8 4 40 18 100 130 4
VEMI45AC-
HNH
VEMI45LA-HNH LLP1713-9L 5 1 6 8 4 53 25 12 10 150 4
VEMI65AA-HCI LLP2513-13L 5 1 6 8 4 60 30 100 100 6
VEMI65AB-HCI LLP2513-13L 5 1 6 8 4 40 18 100 130 6
VEMI65AC-HCI LLP2513-13L 5 1 6 8 2 20 10 100 240 6
VEMI85AA-HGK LLP3313-17L 5 1 6 8 4 60 30 100 100 8
VEMI85AB-HGK LLP3313-17L 5 1 6 8 4 40 18 100 130 8
VEMI85AC-
HGK
VEMI85LA-HGK LLP3313-17L 5 1 6 8 4 53 25 12 10 150 8
2) BiAs表示双向和非对称箝位性能 - 在两个方向进行保护,但具有不同的箝位电平
LLP1713-9L 5 1 6 8 2 20 10 100 240 4
LLP3313-17L 5 1 6 8 2 20 10 100 240 8
(pF) (kV) (Ohm) (nH) (MHz) BiAs
ESD 封装尺寸
表面贴装 长度 宽度 高度
SOD-923 1.0 0.6 0.38
SOD-523 1.6 0.8 0.6
SMF 3.7 1.8 0.98
LLP75-4L 1.6 1.6 0.57
LLP75-6A 1.6 1.6 0.75
LLP75-6L 1.6 1.6 0.57
LLP75-7L 1.6 1.6 0.57
LLP1006-2L/LLP1006-2M 1.0 0.6 0.38
LLP1010-6L 1.0 1.0 0.38
LLP1713-9L 1.7 1.35 0.55
LLP2513-13L 2.5 1.35 0.55
LLP3313-17L 3.3 1.35 0.55
LLP1010-5L 1.0 1.0 0.38
LLP1713-7L 1.7 1.35 0.55
LLP2513-11L 2.5 1.35 0.55
SOT-23 2.85 2.50 1.0
SOT-23-5L 2.9 2.8 1.0
SOT-23-6L
2.9 2.8 1.0
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二极管封装
DO-218AB
TO-277A (SMPC)
DO-214AB (SMC J)
DO-214AC (SMA)
DO-215AB (SMC G)
DO-215AA (SMB G) DO-214AA (SMB-J)
MPG06
DO-204AL (DO-41)
DO-220AA (SMP)
Micro SMP
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DO-204AC (DO-15)
1.5KE
P600
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二极管封装
SOD-923
LLP1006-2L
LLP1006-2M
LLP75-6A
SOD-523
LLP1010-6L
LLP75-6L
LLP1713-9L
SMF
LLP2513-13L
LLP75-4L
LLP75-7L
LLP3313-17L
LLP1010-5L
LLP1713-7L
LLP2513-11L
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SOT-23
SOT-23-5L
SOT-23-6L
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半导体:
整流器 • 高功率二极管和晶闸管 • 小信号二极管• 齐纳和抑制二极管 • 场效应管 • 光电产品 • 集成电路•
模块
无源器件:
电阻产品 • 磁性元件 • 电容器
世界上最大的制造商之一
分 立 半 导 体 和 被 动 元 件
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美洲
美国
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SHIBUYA-KU
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