東芝インテリジェントパワーデバイス
高耐圧 シリコン モノリシック パワー集積回路
TPD4123K
TPD4123K は高耐圧 SOI プロセスによる､高圧 PWM 方式の DC
ブラシレスモータドライバで､3 シャント抵抗電流検出対応品です。
レベルシフト型ハイサイドドライバ､ローサイドドライバ､過電流保
護回路､過熱保護回路､減電圧保護回路､出力 IGBT､FRD を内蔵して
おり､マイコンによる制御信号入力により直接 DC ブラシレスモータ
を可変速駆動できます。
特 長
• 高圧大電流ピンと制御ピンをパッケージの両側に分離しています。
• 3 シャント抵抗電流検出に対応しています。
• ブートストラップ方式によりハイサイドドライバ電源が不要です。
• ブートストラップダイオードを内蔵しています。
• デッドタイムを最小 1.4μs に設定が可能で正弦波駆動用に最適です。
• IGBT による三相フルブリッジを内蔵しています。
• FRD を内蔵しています。
• 過電流保護､過熱保護､減電圧保護機能を内蔵しています。
• 7V(標準)のレギュレータを内蔵しています。
• パッケージは DIP26 ピンです。
この製品は MOS 構造ですので取り扱いの際には静電気にご注意ください。
HDIP26-P-1332-2.00
質量: 3.8 g (標準)
TPD4123K
1
2008-04-16
ピン接続
4123
現品表示
IS3
IS3
26
26
26
1
1
1
GND
GND
2
2
2
NC
NC
W
W
25
25
25
3
3
3
NC
NC
4
4
4
HU
HU
BSW
BSW
24
24
24
5
5
5
HV
HV
V
V
23
23
23
6
6
6
HW
HW
BB
BB
7
7
7
LU
LU
22
22
22
8
8
8
LV
LV
TPD4123K
U
IS1
10
10
10
RS
RS
11
11
11
DIAG
DIAG
IS2
IS2
20
20
20
12
12
12
NC
NC
IS1
19
19
19
13
13
13
V
V
BSV
V
BSV
V
21
21
21
9
9
9
LW
LW
BSU
U
BSU
17
18
17
18
17
18
14
15
15
15
V
V
CC
CC
16
16
16
GND
GND
14
14
NC
NC
REG
REG
TPD4128K
TPD
製品名 (または略号)
ロット表示
(週別)
K
2
2008-04-16
回路ブロック図
TPD4123K
V
CC
V
REG
HU
HV
HW
LU
LV
LW
DIAG
15
13
4
5
6
7
8
9
11
7 V
レギュレータ
入力保護
ロジック
電源
低下
保護
電源
低下
保護
ハイサイド
レベルシフト
ドライバ
過熱保護
ローサイド
ドライバ
電源
低下
保護
電源
低下
保護
18
21
24
23
17
22
25
26
20
BSU
BSV
BSW
V
BB
U
V
W
IS3
IS2
過電流保護
19
10
1/16
IS1
RS
GND
3
2008-04-16
端子説明
端子番号 端子記号 端子の説明
1 GND 接地端子。
2 NC 未使用端子。内部のチップには接続されていません。
3 NC 未使用端子。内部のチップには接続されていません。
4 HU U 相ハイサイド側の IGBT の制御端子。1.5V 以下で OFF､2.5V 以上で ON します。
5 HV V 相ハイサイド側の IGBT の制御端子。1.5V 以下で OFF､2.5V 以上で ON します。
6 HW W 相ハイサイド側の IGBT の制御端子。1.5V 以下で OFF､2.5V 以上で ON します。
7 LU U 相ローサイド側の IGBT の制御端子。1.5V 以下で OFF､2.5V 以上で ON します。
8 LV V 相ローサイド側の IGBT の制御端子。1.5V 以下で OFF､2.5V 以上で ON します。
9 LW W 相ローサイド側の IGBT の制御端子。1.5V 以下で OFF､2.5V 以上で ON します。
10 RS 過電流検出端子。
11 DIAG オープンドレイン構造の診断出力端子で､抵抗でプルアップする。異常時にオンします。
12 NC 未使用端子。内部のチップには接続されていません。
13 V
14 NC 未使用端子。内部のチップには接続されていません。
15 VCC 制御電源端子。(15V 標準)
16 GND 接地端子。
17 U U 相出力端子。
18 BSU U 相ブートストラップコンデンサ接続端子。
19 IS1 U 相 IGBT エミッタ/FRD アノード端子。
20 IS2 V 相 IGBT エミッタ/FRD アノード端子。
21 BSV V 相ブートストラップコンデンサ接続端子。
22 V V 相出力端子。
23 VBB 高圧電源端子。
24 BSW W相ブートストラップコンデンサ接続端子。
25 W W 相出力端子。
26 IS3 W 相 IGBT エミッタ/FRD アノード端子。
7V レギュレータ出力端子。
REG
TPD4123K
4
2008-04-16
入力端子等価回路
TPD4123K
HU, HV, HW, LU, LV, LW
V
CC
4 kΩ
19.5 V
2 kΩ 2 kΩ
HU/HV/HW
LU/LV/LW
端子内部回路図
RS
RS
DIAG
端子内部回路図
入力端子内部回路図
6.5 V
6.5 V
200 kΩ
442 kΩ
5 pF
2 kΩ
6.5 V
6.5 V
内部回路へ
内部回路へ
内部回路へ
DIAG
26 V
5
2008-04-16
タイミングチャート
HV
HW
入力信号
LU
LV
LW
VU
出力電圧
VW
VV
HU
TPD4123K
6
2008-04-16
TPD4123K
真理値表
入 力 ハイサイド ローサイド
モード HU HV HW LU LV LW U 相 V 相 W 相 U 相 V 相 W 相
正常 H L L L H L ON OFF OFF OFF ON OFF OFF
H L L L L H ON OFF OFF OFF OFF ON OFF
L H L L L H OFF ON OFF OFF OFF ON OFF
L H L H L L OFF ON OFF ON OFF OFF OFF
L L H H L L OFF OFF ON ON OFF OFF OFF
L L H L H L OFF OFF ON OFF ON OFF OFF
過電流 H L L L H L OFF OFF OFF OFF OFF OFF ON
H L L L L H OFF OFF OFF OFF OFF OFF ON
L H L L L H OFF OFF OFF OFF OFF OFF ON
L H L H L L OFF OFF OFF OFF OFF OFF ON
L L H H L L OFF OFF OFF OFF OFF OFF ON
L L H L H L OFF OFF OFF OFF OFF OFF ON
過熱 H L L L H L OFF OFF OFF OFF OFF OFF ON
H L L L L H OFF OFF OFF OFF OFF OFF ON
L H L L L H OFF OFF OFF OFF OFF OFF ON
L H L H L L OFF OFF OFF OFF OFF OFF ON
L L H H L L OFF OFF OFF OFF OFF OFF ON
L L H L H L OFF OFF OFF OFF OFF OFF ON
VCC H L L L H L OFF OFF OFF OFF OFF OFF ON
減電圧 H L L L L H OFF OFF OFF OFF OFF OFF ON
L H L L L H OFF OFF OFF OFF OFF OFF ON
L H L H L L OFF OFF OFF OFF OFF OFF ON
L L H H L L OFF OFF OFF OFF OFF OFF ON
L L H L H L OFF OFF OFF OFF OFF OFF ON
VBS H L L L H L OFF OFF OFF OFF ON OFF OFF
減電圧 H L L L L H OFF OFF OFF OFF OFF ON OFF
L H L L L H OFF OFF OFF OFF OFF ON OFF
L H L H L L OFF OFF OFF ON OFF OFF OFF
L L H H L L OFF OFF OFF ON OFF OFF OFF
L L H L H L OFF OFF OFF OFF ON OFF OFF
DIAG
7
2008-04-16
TPD4123K
絶対最大定格
電源電圧
出力電流(DC) I
出力電流 (パルス) I
入力電圧 VIN -0.5~7 V
V
REG
許容損失(Tc = 25°C) PC 23 W
動作接合温度 T
接合温度 Tj 150 °C
保存温度 T
(Ta = 25°C)
項目 記号 定格単位
電流 I
VBB 500 V
18 V
V
CC
1 A
out
2 A
outp
50 mA
REG
-40~135 °C
jopr
-55~150 °C
stg
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格/動作範囲以内での使用においても､高負荷 (高
温および大電流/高電圧印加､多大な温度変化等) で連続して使用される場合は､信頼性が著しく低下するお
それがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) お
よび個別信頼性情報 (信頼性試験レポート､推定故障率等) をご確認の上､適切な信頼性設計をお願いします。
8
2008-04-16
TPD4123K
電気的特性
動作電源電圧
消費電流
入力電圧
入力電流
出力飽和電圧
FRD 順方向電圧
BSD 順方向電圧 V
レギュレータ電圧 V
電流制限動作電圧 VR ⎯ 0.46 0.5 0.54 V
電流制限動作不感時間 Dt ⎯ 2.3 3.3 4.4 μs
過熱保護温度 TSD VCC = 15 V 135 ⎯ 185 °C
過熱保護ヒステリシス ΔTSD VCC = 15 V ⎯ 50 ⎯ °C
V
CC
V
CC
V
BS
V
BS
DIAG 出力飽和電圧 V
出力オン遅延時間 ton VBB = 280 V, VCC = 15 V, IC = 0.5 A ⎯ 1.4 3 μs
出力オフ遅延時間 t
デッドタイム t
FRD 逆回復時間 t
(Ta = 25°C)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
減電圧保護動作電圧 VCCUVD ⎯ 10 11 12 V
減電圧保護復帰電圧 VCCUVR ⎯ 10.5 11.5 12.5 V
減電圧保護動作電圧 VBSUVD ⎯ 8 9 9.5 V
減電圧保護復帰電圧 VBSUVR ⎯ 8.5 9.5 10.5 V
VBB ⎯ 50 280 450
⎯ 13.5 15 16.5
V
CC
IBB VBB = 450 V ⎯ ⎯ 0.5
ICC VCC = 15 V ⎯ 0.9 5
I
VBS = 15 V, ハイサイドオン時 ⎯ 230 410
BS (ON)
I
BS (OFF)
V
V
VBS = 15 V, ハイサイドオフ時 ⎯ 200 370
VIH VIN = “H”, VCC = 15 V 2.5 ⎯ ⎯
V
VIN = “L” , VCC = 15 V ⎯ ⎯ 1.5
IL
IIH VIN = 5 V ⎯ ⎯ 150
I
VIN = 0 V ⎯ ⎯ 100
IL
H VCC = 15 V, IC = 0.5 A, ハイサイド ⎯ 2.4 3
CEsat
L VCC = 15 V, IC = 0.5 A, ローサイド ⎯ 2.4 3
CEsat
VFH IF = 0.5 A, ハイサイド ⎯ 1.5 2.0
V
L IF = 0.5 A, ローサイド ⎯ 1.5 2.0
F
IF = 500 μA ⎯ 0.9 1.2 V
F (BSD)
VCC = 15 V, IO = 30 mA 6.5 7 7.5 V
REG
I
DIAGsat
VBB = 280 V, VCC = 15 V, IC = 0.5 A ⎯ 1.0 3 μs
off
VBB = 280 V, VCC = 15 V, IC = 0.5 A 1.4 ⎯ ⎯ μs
dead
VBB = 280 V, VCC = 15 V, IC = 0.5 A ⎯ 200 ⎯ ns
rr
= 5 mA ⎯ ⎯ 0.5 V
DIAG
V
mA
μA
V
μA
V
V
9
2008-04-16
応用回路例
15V
C4
+
C6
制御 IC
または
マイコン
R2
+
C7
C5
DIAG
V
VCC
REG
HU
HV
HW
LU
LV
LW
15
13
レギュレータ
4
5
6
7
8
9
11
7 V
入力保護
ロジック
電源
低下
保護
電源
電源
低下
低下
保護
保護
ハイサイド
レベルシフト
ドライバ
過熱保護
ローサイド
ドライバ
過電流保護
電源
低下
保護
18
21
24
23
17
22
25
26
20
19
10
1/16
TPD4123K
BSU
BSV
BSW
V
BB
C1 C2 C
3
U
V
W
IS3
IS2
IS1
RS
GND
R
C
M
1
10
2008-04-16
TPD4123K
外付け部品
標準的な外付け部品を下表に示します。
部品 参考値 目的 備考
C1, C2, C3 25 V/2.2 μF ブートストラップ用 (注 1)
R1 0.62 Ω ± 1 % (1 W) 過電流検出用 (注 2)
C4 25 V/10 μF VCC電源安定用 (注 3)
C5 25 V/0.1 μF VCCサージ吸収用 (注 3)
C6 25 V/1 μF V
C7 25 V/1000 pF V
R2 5.1 kΩ DIAG 端子プルアップ抵抗 (注 4)
注 1: ブートストラップコンデンサの容量はモータのドライブ条件によって異なります。また､コンデンサのストレス
電圧は V
電圧値となります。十分にディレーティングをお取りください。
CC
注 2: 検出電流は次式により表されます。IO = VR ÷ R1 (VR = 0.5 V typ.)
また､検出電流の最大値が 1 A 以下に設定されるようにご使用ください。
注 3: 使用に際しては､実際の使用環境に合わせて､合わせ込みが必要になります。また､実装時には､リプル・ノイズ
除去効果を高めるために IC リードの根元になるべく近い位置に配置してください。
電源安定用 (注 3)
REG
サージ吸収用 (注 3)
REG
注 4: DIAG 端子はオープンドレイン構造となっています。DIAG 端子を使用しない場合には､GND に接続してくださ
い。
使用上の注意点
（１） V
電圧が安定した状態で入力信号をコントロールしてください。(VBB電源と VCC電源の順番はどちら
CC
でも構いません)電源を立ち下げる場合､モータが回転中に V
ような場合には V
電源への電流回生ルートが遮断され､IC が破壊する恐れがありますので十分ご注意
BB
ラインをリレーなどで切り離してしまう
BB
ください。
（２） 電流検出抵抗を接続する RS 端子は､IC 内部でコンパレータに接続され過電流状態のセンス端子にもなっ
ています。このため､電圧サージなどの過電圧が加えられると回路が破壊する恐れがありますので､取り扱
いや､実際の使用環境での電圧サージに十分ご注意ください。
11
2008-04-16
保護機能の動作説明
(1) 過電流保護
起動加速時およびロータロック時に過大な電流が流れる状態から本 IC を保護する目的で過電流保護回路
を内蔵しています。過電流保護機能は､RS 端子に接続される電流検出抵抗に発生する電圧を検出し､これが
V
(=0.5 V typ.) を超えると不感時間を経て IGBT 出力をいったんシャットダウンし電流の増加を抑えま
R
す。シャットダウン状態の解除は入力信号 ALL“L”でなされます。
(2) 電源電圧低下保護
V
電圧および VBS電圧が低下し､IGBT が非飽和領域で動作するのを防止する目的で電源電圧低下保護機
CC
能を内蔵しております。V
電源が低下して VCCUVD (=11 V typ.) に達すると､入力に関わらず全 IGBT
CC
出力をシャットダウンします。この保護機能はヒステリシスを持ち､シャットダウン電圧よりも 0.5 V 高い
V
UVR (=11.5 V typ.) になると自動的に復帰して､再び入力に従って IGBT が ON します。VCC電源電圧
CC
保護動作時には､DIAG 出力が反転しますが､V
ります。また､V
電源が低下して VBSUVD (=9 V typ.)に達すると､ハイサイド IGBT 出力をシャットダウ
BS
ンし､シャットダウン電圧よりも 0.5 V 高い V
CC
UVR (=9.5 V typ.) になると､再び入力信号に従って IGBT
BS
が ON します。
(3) 過熱保護
本 IC 温度が過度に上昇した異常状態から保護する目的で過熱保護回路を内蔵しております。外部的な要因､
あるいは､内部の発熱によってチップ温度が高くなり内部の設定値に達すると､入力に関わらず全 IGBT 出
力をシャットダウンします。この保護機能はヒステリシスΔTSD (=50 °C typ.) を持ち､チップ温度が TSD −
ΔTSD 以下の温度に下がると自動的に復帰して､再び入力に従って IGBT が ON します。
なお､チップ内の温度検出箇所は 1 箇所なので､例えば IGBT による発熱の場合､発熱源となる IGBT の検出
位置からの距離の違いで､シャットダウンまでの時間差が生じ､過熱保護回路が動作した時点で既にパワー
チップの温度は過熱保護温度以上に上昇することがあります。
電源電圧低下保護動作時のタイミングチャート
TPD4123K
電圧値が 7V 以下の場合､DIAG 出力が反転しない場合があ
LIN
HIN
VBS
VCC
LO
HO
DIAG
t
on
t
off
ton
t
off
*: 上記タイミングチャートは､内部遅延時間を考慮しています。
安全動作領域
1.0
ピーク巻線電流 (A)
0
0
図 1: T
*: 上記､安全動作領域は T
電源電圧 VBB (V)
= 135 ℃の安全動作領域
j
= 135 °C (図 1) のものです。
j
450
12
2008-04-16
TPD4123K
3.4
VCC = 15 V
V
CEsat
H – Tj
IC = 700 mA
3.4
VCC = 15 V
V
CEsat
L – Tj
IC = 700 mA
H (V)
CEsat
IGBT 飽和電圧 V
H (V)
F
3.0
2.6
2.2
1.8
1.4
1.8
1.6
1.4
−50
IC = 500 mA
IC = 300 mA
0 50 100 150
ジャンクション温度 Tj (°C)
V
H – Tj
F
IF = 700 mA
IF = 500 mA
3.0
L (V)
2.6
CEsat
2.2
1.8
IC = 500 mA
IC = 300 mA
IGBT 飽和電圧 V
1.4
−50
0 50 100
150
ジャンクション温度 Tj (°C)
V
L – Tj
F
1.8
L (V)
F
1.6
1.4
IF = 700 mA
IF = 500 mA
1.2
IF = 300 mA
FRD 順方向電圧 V
1.0
−50 0 50 100 150
ジャンクション温度 Tj (°C)
I
– VCC
2.0
T
T
T
1.5
CC
=−40°C
j
=25°C
j
=135°C
j
(mA)
CC
1.0
0.5
消費電流 I
0
12
14 16 18 18
制御電源電圧 VCC (V)
IF = 300 mA
1.2
FRD 順方向電圧 V
1.0
−50 0 50 100
150
ジャンクション温度 Tj (°C)
V
– V
REG
8.0
T
T
T
7.5
I
(V)
REG
= 30 mA
=−40°C
j
=25°C
j
=135°C
j
CC
REG
7.0
6.5
レギュレータ電圧 V
6.0
12
14 16
制御電源電圧 VCC (V)
13
2008-04-16
TPD4123K
t
– Tj
3.0
VBB = 280 V
VCC = 15 V
IC = 0.5 A
High-side
(μs)
Low-side
on
2.0
on
3.0
VBB = 280 V
VCC = 15 V
IC = 0.5 A
High-side
(μs)
Low-side
off
2.0
t
– Tj
off
1.0
出力オン遅延時間 t
0
−50 0 50 100 150
ジャンクション温度 Tj (°C)
V
UV – Tj
12.5
V
V
12.0
CC
CC
CC
UVD
UVR
UV (V)
CC
11. 5
11. 0
10.5
減電圧保護動作電圧 V
10.0
−50 0 50 100 150
ジャンクション温度 Tj (°C)
1.0
出力オフ遅延時間 t
0
−50 0 50 100 150
ジャンクション温度 Tj (°C)
V
UV – Tj
10.5
V
V
10.0
BS
BS
BS
UVD
UVR
UV (V)
BS
9.5
9.0
8.5
減電圧保護動作電圧 V
8.0
−50
0 50 100 150
ジャンクション温度 Tj (°C)
V
– Tj
1.0
0.8
(V)
R
0.6
VCC = 15 V
R
0.4
0.2
電流制限動作電圧 V
0
−50 0 50 100 150
ジャンクション温度 Tj (°C)
D
– Tj
6.0
VCC = 15 V
4.0
t
2.0
電流制限動作不感時間 Dt (μs)
0
−50 0 50 100 150
ジャンクション温度 Tj (°C)
14
2008-04-16
TPD4123K
I
– VBS
500
T
T
T
400
BS (ON)
=−40°C
j
=25°C
j
=135°C
j
(μA)
300
BS (ON)
I
500
T
T
T
400
BS (OFF)
(μA)
300
BS (OFF)
– VBS
=−40°C
j
=25°C
j
=135°C
j
200
消費電流 I
100
12
14 16 18
制御電源電圧 VBS (V)
Wt
– Tj
250
200
(μJ)
on
150
on
IC = 700 mA
IC = 500 mA
IC = 300 mA
ターンオンロス Wt
100
50
0
−50
0 50 100 150
ジャンクション温度 Tj (°C)
200
消費電流 I
100
12
14 16
18
制御電源電圧 VBS (V)
Wt
– Tj
50
40
(μJ)
off
30
20
10
ターンオフロス Wt
0
−50
0 50 100 150
off
IC = 700 mA
IC = 500 mA
IC = 300 mA
ジャンクション温度 Tj (°C)
15
2008-04-16
測定回路
飽和電圧(U相ローサイドの場合
IGBT
順方向電圧(U相ローサイドの場合
FRD
IS3
26
○
GND
1
○
IS3
26
○
GND
1
○
NC
2
○
NC
2
○
W
25
○
NC
3
○
W
25
○
NC
3
○
BSW
24
○
HU
4
○
BSW
24
○
HU
4
○
HV
5
○
HV
5
○
BB
V
23
○
HW
6
○
BB
V
23
○
HW
6
○
LU
7
○
LU
7
○
)
LV
8
○
LV
8
○
22
22
V
○
)
V
○
9
9
LW
○
LW
○
BSV
21
○
RS
10
○
BSV
21
○
RS
10
○
TPD4123K
0.5A
VM
IS1
IS2
19
20
○
○
DIAG
11
○
DIAG
11
○
IS2
20
○
NC
12
○
NC
12
○
13
IS1
19
○
13
REG
V
○
REG
V
○
VM
NC
14
○
NC
14
○
BSU
18
○
CC
V
15
○
BSU
18
○
CC
V
15
○
U
17
○
GND
16
○
0.5A
U
17
○
GND
16
○
HU = 0V
HV = 0V
HW = 0V
LU = 5V
LV = 0V
LW = 0V
= 15V
V
CC
16
2008-04-16
消費電流
V
CC
IS3
26
○
GND
1
○
レギュレータ電圧
IS3
26
○
GND
1
○
NC
2
○
NC
2
○
W
25
○
NC
3
○
W
25
○
NC
3
○
BSW
24
○
HU
4
○
BSW
24
○
HU
4
○
HV
5
○
HV
5
○
BB
V
23
○
HW
6
○
BB
V
23
○
HW
6
○
LU
7
○
LU
7
○
8
LV
○
8
LV
○
22
22
V
○
V
○
9
9
LW
○
LW
○
BSV
21
○
RS
10
○
BSV
21
○
10
RS
○
DIAG
11
○
DIAG
11
○
VM
IS2
20
○
IS2
20
○
NC
12
○
NC
12
○
IS1
19
○
REG
V
13
○
IS1
19
○
REG
V
13
○
30mA
NC
14
○
NC
14
○
BSU
18
○
CC
V
15
○
IM
BSU
18
○
CC
V
15
○
U
17
○
U
17
○
GND
16
○
GND
16
○
TPD4123K
VCC = 15V
VCC = 15V
17
2008-04-16
TPD4123K
出力オン・オフ遅延時間(U相ローサイドの場合
IS3
26
○
W
25
○
BSW
24
○
GND
1
○
NC
2
○
NC
3
○
HU
4
○
LU = PG
IM
HV
5
○
BB
V
23
○
HW
6
○
LU
7
○
10%
V
22
○
LV
8
○
90%
ton t
9
LW
○
BSV
21
○
RS
10
○
)
DIAG
11
○
IS2
20
○
NC
12
○
IS1
19
○
V
13
○
REG
90%
off
2.2μF
BSU
18
○
NC
14
○
10%
15
V
○
CC
IM
560Ω
U
17
○
GND
16
○
U = 280V
HU = 0V
HV = 0V
HW = 0V
LU = PG
LV = 0V
LW = 0V
= 15V
V
CC
18
2008-04-16
TPD4123K
減電圧保護動作･復帰電圧(U相ローサイドの場合
V
CC
IS3
26
○
W
25
○
BSW
24
○
BB
V
23
○
22
V
○
BSV
21
○
9
LW
○
RS
10
○
GND
NC
NC
HU
HV
HW
LU
1
○
2
3
4
5
○
○
○
○
6
○
LV
7
8
○
○
*: V
端子電圧を 15V から下降させ､U 端子電圧をモニタする。
CC
出力が OFF したときの V
また､6V から上昇させ､出力が ON したときの V
端子電圧を減電圧保護動作電圧とする。
CC
端子電圧を減電圧保護復帰電圧とする。
CC
減電圧保護動作･復帰電圧(U相ハイサイドの場合
V
BS
2kΩ
IS3
26
○
W
25
○
BSW
24
○
BB
V
23
○
22
V
○
BSV
21
○
9
LW
○
RS
10
○
GND
NC
NC
HU
HV
HW
LU
1
○
2
3
4
5
○
○
○
○
6
○
LV
7
8
○
○
*: BSU 端子電圧を 15V から下降させ､V
端子電圧をモニタする。出力が OFF したときの BSU 端子電圧を減電圧保
BB
護動作電圧とする。また､BSU 端子電圧を 6V から上昇させ､測定電圧値ごとに HU 端子を 5V→0V→5V と入力し､
V
端子電圧をモニタする。出力が ON となるまで､同様に繰り返す。出力が ON した BSU 端子電圧を減電圧保
BB
護復帰電圧とする。
DIAG
11
○
20
DIAG
11
○
)
IS2
20
○
NC
12
○
)
IS2
○
NC
12
○
IS1
19
○
13
IS1
19
○
13
REG
V
○
VM
VM
REG
V
○
NC
14
○
NC
14
○
2kΩ
BSU
18
○
V
15
○
BSU
18
○
V
15
○
CC
CC
17
17
U
○
U
○
16
16
GND
○
GND
○
U = 18V
HU = 0V
HV = 0V
HW = 0V
LU = 5V
LV = 0V
LW = 0V
V
CC
VBB = 18V
BSU = 15V → 6V
HU = 5V
HV = 0V
HW = 0V
LU = 0V
LV = 0V
LW = 0V
V
CC
= 15V → 6V
6V → 15V
6V → 15V
= 15V
19
2008-04-16
TPD4123K
電流制限動作電圧(U相ハイサイドの場合
)
IS3
26
○
W
25
○
BSW
24
○
BB
V
23
○
22
V
○
BSV
21
○
GND
1
○
NC
2
○
NC
3
○
HU
4
○
HV
5
○
HW
6
○
LU
7
○
LV
8
○
9
LW
○
RS
10
○
VM
*: IS/RS 端子電圧を上昇させ､U 端子電圧をモニタする。
出力が OFF したときの IS/RS 端子電圧を電流制限動作電圧とする。
消費電流(U相ハイサイドの場合
V
BS
)
20
DIAG
11
○
IS2
○
NC
12
○
IS1
19
○
13
REG
V
○
NC
14
○
15V
BSU
18
○
V
15
○
CC
2kΩ
U
17
○
GND
16
○
VBB = 18V
HU = 5V
HV = 0V
HW = 0V
LU = 0V
LV = 0V
LW = 0V
= 15V
V
CC
IS/RS = 0V → 0.6V
IM
BSU = 15V
IS3
26
○
W
25
○
BSW
24
○
23
V
○
BB
V
22
○
BSV
21
○
IS2
20
○
IS1
19
○
BSU
18
○
U
17
○
GND
1
○
NC
2
○
NC
3
○
HU
4
○
HV
5
○
HW
6
○
LU
7
○
LV
LW
8
9
○
○
RS
10
○
DIAG
11
○
NC
12
○
REG
V
13
○
NC
14
○
V
15
○
CC
GND
16
○
HU = 0V/5V
HV = 0V
HW = 0V
LU = 0V
LV = 0V
LW = 0V
= 15V
V
CC
20
2008-04-16
TPD4123K
ターンオン･オフロス (ローサイド
入力 (LU = PG)
IGBT (C-E 間電圧)
IS3
26
○
GND
1
○
(U-GND)
電源電流
NC
2
○
W
25
○
NC
3
○
BSW
24
○
HU
4
○
HV
5
○
BB
V
23
○
HW
6
○
IGBT +
LU
7
○
8
LV
○
W
22
V
○
toff
21
LW
9
○
ハイサイド
DIAG
11
○
IS2
20
○
BSV
○
RS
10
○
FRD
NC
12
○
IS1
19
○
V
13
○
REG
の場合
5mH
2.2μF
NC
14
○
W
ton
)
BSU
18
○
CC
V
15
○
L
U
17
○
GND
16
○
VM
IM
VBB/U = 280V
HU = 0V
HV = 0V
HW = 0V
LU = PG
LV = 0V
LW = 0V
V
= 15V
CC
21
2008-04-16
外形図
HDIP26-P-1332-2.00 単位: mm
質量: 3.8 g (標準)
TPD4123K
22
2008-04-16
TPD4123K
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調査の上、かかる法令に適合するようご使用ください。お客様がかかる法令を遵守しないことにより生じ
た損害に関して、当社は一切の責任を負いかねます。
23
2008-04-16
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