TOSHIBA TPD2005F Technical data

TPD2005F
東芝インテリジェントパワーデバイス シリコンモノリシックパワーMOS型集積回路
TPD2005F
モータ、ソレノイド、ランプドライブ用 ハイサイドパワースイッチアレイ (8 チャネル)
特 長
z nch パワーMOS FET とチャージポンプを 8 チャネル内蔵したハイサイド
スイッチアレイです。
z マイクロプロセッサから電力負荷を直接ドライブできます。 z 過熱、負荷ショートに対する保護機能を内蔵しています。 z 8 チャネル入りのため、省スペース設計ができます。 z 動作電源電圧が高い。 : 40V z オン抵抗が小さい。 : 1.2Ω(最大) @V
ネル)
z パラ動作ができます。 z 動作電流が小さい。 : 5mA (最大) @V z SSOP–24 パッケージ (300mil) で、梱包形態はエンボステーピングです。
= 12V, IO = 0.5A (各チャ
DD
= 40V, VIN = 0V
DD

ピン接続 現品表示

質量: 0.29g (標準)
TPD2005F
製品名 (または略号)
この製品は MOS 構造ですので取り扱いの際には静電気にご注意ください。
ロット No.
外装鉛フリー 識別マーク
( なし: 鉛含有 あり: 鉛フリー)
1
2006-10-31

ブロック図

TPD2005F
2
2006-10-31

端子説明

端子番号 端子記号 端子の説明
1 VDD 電源端子。内部で 12 ピンと接続されています。
2 GND 接地端子。内部で 11 ピンと接続されています。
3 IN1 チャネル 1 の入力端子。プルダウン抵抗 (100kΩ標準) 内蔵。
4 IN2 チャネル 2 の入力端子。プルダウン抵抗 (100kΩ標準) 内蔵。
5 IN3 チャネル 3 の入力端子。プルダウン抵抗 (100kΩ標準) 内蔵。
6 IN4 チャネル 4 の入力端子。プルダウン抵抗 (100kΩ標準) 内蔵。
7 IN5 チャネル 5 の入力端子。プルダウン抵抗 (100kΩ標準) 内蔵。
8 IN6 チャネル 6 の入力端子。プルダウン抵抗 (100kΩ標準) 内蔵。
9 IN7 チャネル 7 の入力端子。プルダウン抵抗 (100kΩ標準) 内蔵。
10 IN8 チャネル 8 の入力端子。プルダウン抵抗 (100kΩ標準) 内蔵。
11 GND 接地端子。内部で 2 ピンと接続されています。
12 VDD 電源端子。内部で 1 ピンと接続されています。
13 N.C.
14 N.C.
15 OUT8 チャネル 8 の出力端子。
16 OUT7 チャネル 7 の出力端子。
17 OUT6 チャネル 6 の出力端子。
18 OUT5 チャネル 5 の出力端子。
19 OUT4 チャネル 4 の出力端子。
20 OUT3 チャネル 3 の出力端子。
21 OUT2 チャネル 2 の出力端子。
22 OUT1 チャネル 1 の出力端子。
23 N.C.
24 N.C.

タイミングチャート

TPD2005F
3
2006-10-31

真理値表

入力 出力 動作状態
TPD2005F
L L
H H
L L
H 内部制限
L L
H L
正常
過電流保護
過熱保護
絶対最大定格
電源電圧 VDD 45 V
入力電圧 VIN 0.5~7 V
ドレイン・ソース電圧 VDS 60 V
出力電流 IO 内部制限 A
総 許 容 損 失 (Ta = 25°C) ( 全チャネル動作)
エネルギー耐量 EAS 10 mJ
動作温度 T
接合部温度 T
保存温度 T
(Ta = 25°C)
項目 記号 定格 単位
P
T
4085 °C
opr
150 °C
j
55150 °C
stg
0.8
1.2 (注)
W
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格/動作範囲以内での使用においても、高負荷 (高温お
よび大電流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれが あります。 弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。

熱抵抗特性

項目 記号 定格 単位
総熱抵抗 (接合外気間) (全チャネル動作、Ta = 25°C)
ΣR
th (j–a)
: 60mm×60mm×1.6mm ガラスエポキシ基板実装時 (DC)
156.3
104.2 (注)
°C / W
4
2006-10-31
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