TOSHIBA TPD1052F Technical data
東芝インテリジェントパワーデバイス シリコンモノリシックパワーMOS型集積回路
TPD1052F
モータ、ソレノイド、ランプドライブ用
ハイサイドパワースイッチ
TPD1052F は DMOS 出力のハイサイドスイッチで、CMOS、TTL ロジッ
ク回路 (MPU など) から直接ドライブでき保護、診断のインテリジェント機
能を備えたモノリシックパワーIC です。
特 長
z コントロール部 (BiCMOS) とパワーMOS FET(DMOS)を 1 チップ上に
組み込んだ新構造のモノリシックパワーIC です。
z 負荷端を接地できるハイサイドスイッチです。
z マイクロプロセッサから電力負荷を直接ドライブできます。
z 過熱、負荷ショート(過電流)に対する保護機能を内蔵しています
z 負荷ショート(過電流)、過熱時診断出力が外部に取り出せる診断機能を内蔵しています。
z オン抵抗が小さい。 R
z 消費電流が小さい。 IDD = 10μA (最大) @VDD = 12V、VIN = 0V、Tch=25℃
z 外囲器は面実装タイプの PS-8 で、梱包形態はエンボステーピングです。
= 0.8Ω (最大) @VDD = 12V、IO = 0.5A、Tch=25℃
DS(ON)
質量: 0.017g (標準)
TPD1052F
SON8-P-0303-0.65
ピン接続
VDD ①
N.C ②
IN ③
GND
④
（TOP VIEW）
⑧ OUT
⑦ N.C
⑥ DIAG
⑤ MASK
現品表示
1052F
注 1 : 正面から見てマーク下ドット(●)が 1 番端子を
示しています。
製品名(または略号)
ロット No.
※週別ロット表示
3 桁算用数字で構成し、西暦年号の末尾 1 桁、
および残りの 2 桁は製造週とする。
製造週コード (その年の第一週を 01 とし、
以降 52 または 53 まで)
製造年コード (西暦の下 1 桁)
本製品の RoHS 適合性など、詳細につきましては製品個別に
必ず弊社営業窓口までお問合せください。
RoHS 指令とは、「電気電子機器に含まれる特定有害物質の
使用制限(RoHS)に関する 2003 年 1 月 27 日付けの欧州議会
および欧州理事会の指令(EU 指令 2002/95/EC)」のことです。
* この製品は MOS 構造ですので取り扱いの際には静電気にご注意ください。
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ブロック図
TPD1052F
12V
5V 電源
V
DD
IN
ロジック
ドライバ
電流検出
(過電流検出)
OUT
5V
過熱検出
DIAG
GND
診断ロジック
マスク時間
IN
MASK
mask
C
mask
R
端子説明
端子番号 端子記号 端子の説明
① V
②、⑦ N.C
③ IN
④ GND
⑤ MASK
⑥ DIAG
⑧ OUT
電源端子。
DD
未接続端子。
入力端子。
入力はプルダウン抵抗が接続されており、仮に入力の配線がオープンとなっても出力が誤ってオン
することはありません。
接地端子。
この定数で決定されるマスク時間内では過電流保護はクランプ動作となります。
また、コンデンサ、抵抗未接続時にはマスク時間機能は無効となり、過電流保護はデューティー(出力
オン・オフ動作)となります。
自己診断検出端子。
入力“H” レベル（出力オン）時に出力がショート(過電流を検出)、過熱状態になると“L” レベルとなり
ラッチされます。入力信号 VIN を”L”レベルにすることによりラッチ状態はリセットされます。
回路構成は、npn オープンコレクタです。
出力端子。負荷が短絡状態になり、検出電流 (0.8A 最小) を超える電流が出力端子に流れると、
IC 保護のため出力電流は制限されます。
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タイミングチャート
入力電圧 VIN
チャネル温度
出力電圧 V
マスク出力
V
MASK
OUT
出力電流 Io
診断出力 V
DIAG
通常動作
(出力オン)
真理値表
電流制限
(クランプ)
負荷ショート
(マスク時間設定有り)
マスク時間 tmask
I
OC(clamp)
電流制限
(オン/オフ)
過電流検出
(ラッチ)
TPD1052F
負荷ショート
(マスク時間設定無し)
過熱検出
I
OC(duty)
シャットダウン
(ラッチ)
過電流検出
(ラッチ)
過熱検出
(ラッチ)
入力信号 出力 DMOS 状態 診断出力 状態
H オン H
L オフ H
t≦tmask
H
(注)
t＞tmask
(注)
L オフ H
H
L オフ H
電流制限
(クランプ)
電流制限
(オン／オフ)
オフ
(ラッチ)
H
L
(ラッチ)
L
(ラッチ)
※注；t は VIN=H 入力からの時間(マスク時間設定時)
通常
過電流
(負荷ショート)
過熱
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TPD1052F
絶対最大定格
ドレイン・ソース電圧 VDS 40 V
電源電圧
入力電圧 VIN −0.3～6 V
診断出力電圧 V
出力電流 IO 内部制限 A
診断出力電流 I
許 容 損 失( 注 2a) P
許 容 損 失( 注 2b) P
動作温度 T
チャネル温度 Tch 150 °C
保存温度 T
(Ta = 25°C)
項目 記号 定格 単位
DC V
パルス V
-0.3～25 V
DD (1)
40 (t ≦ 200ms) V
DD (2)
−0.3～6 V
DIAG
5 mA
DIAG
0.7 Ｗ
D(1)
0.35 W
D(2)
−40～125 °C
opr
−55～150 °C
stg
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格/動作範囲以内での使用においても、高負荷(高温
および大電流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそ
れがあります。弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考
え方と方法) および個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設
計をお願いします。
熱抵抗特性
項 目 記 号 定 格 単位
チャネル・周囲間熱抵抗 R
th (ch–a)
178.6(注 2a)
357.2(注 2b)
°C / W
注 2:
(a)ガラスエポキシ基板 (b)ガラスエポキシ基板
ガラスエポキシ基板
材質：FR-4
25.4mm×25.4mm×0.8mm
ガラスエポキシ基板
材質：FR-4
25.4mm×25.4mm×0.8mm
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