
東芝インテリジェントパワーデバイス
シリコンモノリシックパワーMOS 型集積回路
TPD1045F
モータ、ソレノイド、ランプドライブ用
ローサイドパワースイッチ
TPD1045F は縦型パワーMOS FET 出力のローサイドスイッチで、
CMOS、TTL ロジック回路 (MPU など) から直接ドライブができ、
保護機能を備えたモノリシックパワースイッチです。
特 長
• 制御回路部と縦型出力のパワーMOS FET を
• CMOS ロジックなどから直接制御可能です。
• 過電圧、過熱、過電流保護回路を内蔵しています。
• オン抵抗が小さい。:R
(@V
• 面実装タイプの SOP-8 パッケージで、梱包形態はエンボステーピングです。
ピン配列 現品表示
注 1: この製品は MOS 構造ですので取り扱いの際には静電気にご注意ください。
1 チップ上に組み込んだ新構造のモノリシックパワーIC です。
= 100mΩ(最大)
= 5 V、 ID = 2 A、Tch = 25°C)
IN
8
DRAIN
DRAIN
7
6
DRAIN
DRAIN IN
5
(TOP VIEW)
SOURCE
SOURCE
SOURCE
DS (ON)
1
2
3
4
質量:0.08g(標準)
TPD1045
F
TPD1045F
SOP8-P-1.27A
製品名 (または略号)
ロット No.
外装鉛フリー
識別マーク
( なし: 鉛含有
あり: 鉛フリー)
1
2006-10-31

ブロック図
TPD1045F
IN
SOURCE
過熱検出/保護回路
端子説明
端子番号 端子記号 端子の説明
1, 2, 3 SOURCE 接地端子。
4 IN
5 ,6, 7, 8
DRAIN
入力端子。
内部でプルダウン抵抗が接続されており、仮に入力の配線がオープンになっても、出力が誤って
オンすることはありません。
出力端子。ランプなどの突入電流や負荷ショートにより、過電流検出(10A 標準)以上を超える電流
が出力に流れると、IC 保護のため出力はオン・オフ動作をします。
タイミングチャート
入力信号 VIN
過電流検出
(負荷ショート)
過熱検出
ドレイン・ソース間電圧
V
DS
ドレイン電流 I
D
VDD
通常
過電流制限
過電流検出/保護回路
過熱検出温度
V
CL(DSS)
インダクタンス
負荷時
アクティブ
復帰温度
クランプ
DRAIN
ヒステリシス(10℃標準)
過熱保護
(注 2)
注 2: 過熱保護は自己復帰します。検出と復帰のヒステリシスは 10°C (標準) です。
真理値表
VIN VDS 出力状態 動作状態
L H オフ
H L オン
L H オフ
H H 電流制限(スイッチング)
L H オフ
H H オフ
通常
過電流
過熱
2
2006-10-31

TPD1045F
絶対最大定格
ドレイン・ソース間電圧 V
ドレイン電流 I
入力電圧 VIN −0.3~7 V
許容損失
許容損失
アクティブクランプ耐量 (単発)
アクティブクランプ電流 IAR 5 A
アクティブクランプ耐量 (連続)
動作温度 T
チャネル温度 Tch 150 °C
保存温度 T
(Ta = 25°C)
項目 記号 定格 単位
(注 3-a)(注 5)
(注 3-a)
(注 3-b)
(注 4)
50 V
DS (DC)
内部制限 A
D (DC)
1.1 W
P
D(1)
0.425 W
P
D(2)
158 mJ
E
AS
0.11 mJ
E
AR
−40~125 °C
opr
−55~150 °C
stg
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格/動作範囲以内での使用においても、高負荷 (高温お
よび大電流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれが
あります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
熱抵抗特性
項 目 記 号 最大 単位
チャネル-外気間熱抵抗
R
th(ch-a)
113.5 (注 3-a)
294.0 (注 3-b)
°C /W
注 3:
3-a : ガラスエポキシ基板(a) 3-b : ガラスエポキシ基板(b)
材質:FR-4
25.4×25.4×0.8
(単位:mm)
注 4: アクティブクランプ耐量 (単発) 印加条件
V
= 25 V、Tch = 25°C(初期)、L = 7.4 mH、IAR = 5 A、RG = 25 Ω
DD
注 5: 連続印加の際、パルス幅は製品のチャネル温度によって制限されます。
材質:FR-4
25.4×25.4×0.8
(単位:mm)
3
2006-10-31

TPD1045F
電気的特性
項目 記号
ドレイン・ソース間クランプ電圧 V
入力しきい値電圧 Vth -
保護回路動作入力電圧範囲 V
ドレインしゃ断電流 I
高レベル入力電流
ドレイン・ソース間オン抵抗 R
負荷短絡耐量 VDS - Tch = -40~125°C VIN = 4~7 V 18 - - V
過熱検出
過電流検出 IOC -
スイッチングタイム
ドレイン・ソース間
ダイオード順方向電圧
検出温度 T
復帰温度 T
(CL) DSS
IN (opr)
DSS
I
IH (1)
I
IH (2)
DS (ON)
OT(1)
OT(2)
ton
t
off
V
DSF
測定回路 1
スイッチング時間
測定
回路
-
- Tch = -40~125°C - 4 - 7 V
-
-
- Tch = -40~125°C
-
- 150 170 200 °C
-
- Tch = 25°C
Tch = 25°C 50 58 -
T
ch
Tch = 25°C 1.0 1.5 2.8
T
ch
Tch = 25°C - - 10
T
ch
Tch = 25°C - 300 750
T
ch
Tch = 25°C - 70 100
T
ch
Tch = 25°C 5 10 -
T
ch
Tch = 25°C - 25 100
T
ch
1
Tch = 25°C - 30 100
T
ch
測定条件 最小 標準 最大 単位
V
= 0 V,
IN
I
= 10 mA
= -40~125°C
= -40~125°C
= -40~125°C
= -40~125°C
= -40~125°C
- V
= -40~125°C
= -40~125°C - - 100
= -40~125°C
D
V
= 12 V,
DS
I
= 10 mA
D
V
= 0 V,
IN
V
= 12 V
DS
= 5 V,
V
IN
定常動作時
= 5 V,
V
IN
過電流、過熱時
V
= 5 V,
IN
I
= 2 A
D
= 5 V
IN
V
= 5 V
IN
V
= 12 V,
DD
V
= 0 V/5 V,
IN
R
= 10Ω
L
= 0 V,
V
IN
I
= 5 A
F
50 - -
0.8 - 3.0
- - 30
- - 750
- - 1200
- - 150
125 160 - ℃
5 - -
- - 100
- - 1.8 V
V
V
μA
μA
mΩ
A
μs
測定回路 測定波形
V
DRAIN
IN
IN
P. G.
VDD=12V
R
L
TPD1045F
SOURCE
=10Ω
波形
V
IN
0 V
VDS
V
V
波形
DS
0 V
4
tr≦0.1μs tf≦0.1μs
90%
10%
10%
90%
10%
t
ton
off
5 V
12 V
90%
2006-10-31

TPD1045F
80
70
60
50
(V)
(V)
40
(CL)DS S
(CL)DSS
30
V
V
20
VIN=0V
10
ドレイン・ソース間クランプ電圧
ドレイン・ソース間クランプ電圧
ID=10mA
0
-80 - 60 -40 - 20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
1000
900
A)
800
(µA)
μ
(
1
700
IH
600
IH(1)
I
500
400
入力電流
300
200
高レベル入力電流 I
100
0
-80 - 60 -40 - 20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
1000
900
800
(µA)
2
700
IH
600
500
400
300
入力電流 IIH(2) (μA)
200
高レベル入力電流 I
100
0
-80 - 60 -40 - 20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
V
V
(CL)DSS-Tch
(CL)DSS
チャネル温度 T
チャネル温度
I
I
– T
IH(1)-Tch
IH(1
チャネル温度 T
チャネル温度
I
I
– T
IH( 2)-Tch
IH(2
チャネル温度 T
チャネル温度
ch
– T
ch
T
ch
ch
ch
ch
T
(℃)
ch
Tch (℃)
ch
(°C)
(℃)
VIN=5V
通常動作時
(°C)
VIN=5V
過電流保護
回路動作時
(°C)
V
– T
Vth-T
5
5
4
(V)
(V)
th
th
4
V
3
3
2
2
入力しきい値電圧 V
1
入力しきい値電圧
1
0
-80 - 60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
チャネル温度 Tch (℃)
チャネル温度 T
I
I
IH(1)
1000
900
800
A)
(µA)
1
μ
700
IH
600
(1)(
IH
I
500
400
300
入力電流
200
高レベル入力電流 I
100
0
012345678
1600
1400
(µA)
1200
A)
2
μ
IH
1000
(2)(
IH
I
800
600
400
入力電流
高レベル入力電流 I
200
0
012345678
IH(1)-VIN
入力電圧
入力電圧 V
I
I
IH( 2)-VIN
IH(2)
入力電圧 V
入力電圧
th
ch
ch
ch
–V
IN
Tch= 25°C
通常動作時
V
(V)
(V)
IN
IN
–V
IN
Tch=25°C
過電流保護回路動作時
(V)
V
(V)
IN
IN
VDS=12V
ID= 10mA
(°C)
5
2006-10-31

TPD1045F
120
100
80
(mΩ)
(mΩ)
60
DS(ON)
DS(ON)
R
R
40
ドレイン・ソース間オン抵抗
ドレイン・ソース間オン抵抗
VIN=5V
20
ID=2A
0
-80 - 60 -40 - 20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
20
18
16
(A)
14
(A)
OC
I
OC
12
10
8
6
過電流検出値
過電流検出値 I
4
2
0
-80 - 60 -40 - 20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
100
90
80
(µs)
off
70
,t
on
60
50
40
30
20
10
スイッチングタイム t
0
-80 - 60 -40 - 20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
R
チャネル温度 T
チャネル温度
R
DS(ON)
DS(ON)
I
IOC-T
OC
– T
– T
-Tch
チャネル温度
ton,t
– T
ton,t
-Tch
off
off
t
t
on
チャネル温度 T
ch
(°C) 入力電圧 V
T
(℃)
ch
ch
I
ch
ch
VIN=5V
(°C)
ch
(℃)
T
ch
ton,t
ch
VDD= 12V
VIN=5V
R L=10
Ω
o
ff
(°C)
ch
Ω
(mΩ)
ON
DS(ON)
DS
R
R
ドレイン・ソース間オン抵抗
ドレイン・ソース間オン抵抗
(A)
(A)
OC
OC
I
過電流検出値
過電流検出値 I
(µs)
off
,t
on
スイッチングタイム ton,toff (μs)
スイッチングタイム t
100
90
80
)
70
60
(m
50
40
30
20
ID=2A
10
Tch=25° C
0
012345678
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
012345678
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
012345678
R
– V
R
DS(ON)
DS(ON)-VIN
入力電圧
– V
IOC-V
OC
入力電圧 V
入力電圧
ton,t
– V
off
of f-VIN
入力電圧
入力電圧 V
IN
(V)
V
(V)
IN
IN
IN
IN
Tch=25° C
(V)
V
(V) チャネル温度 T
IN
IN
IN
VDD=12V
RL=10
Ω
Tch=25°C
t
o
ff
t
on
V
(V)
(V)
IN
IN
6
2006-10-31

TPD1045F
240
VDD=12V
220
200
180
(°C )
160
140
OT(1)
120
100
80
60
過熱検出温度 T
40
20
0
012345678
T
OT(1)
TOT- VIN
入力電圧 V
1000
(1)
(2)
単発パルス
/W)
100
℃
(°C/W )
– V
IN
(V)
IN
ガラスエポキシ基板
ガラスエポキシ基板
,Ta=25
℃
P
– Ta
D
1.6
1.4
1.2
(W)
(W )
D
D
0.8
0.6
許容損失 P
許容損失 P
0.4
0.2
rth(ch-a)-tw
r
– t
th(ch-a)
(a)
実装
(b)
実装
W
(1)
1
(2)
0
-40 - 20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
(2)
(1)
PD-Ta
(1)
ガラスエポキシ基板
(2)
ガラスエポキシ基板
周囲温度 Ta (°C)
周囲温度
(℃)
T
a
(a)
実装
(b)
実装
10
th(ch-a)
rth(h-a) (
1
過渡熱抵抗
過渡熱抵抗 r
0.1
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
パルス幅 tW (s)
パルス幅
tw (s)
7
2006-10-31