TPD1038F
東芝インテリジェントパワーデバイス シリコンモノリシックパワーMOS型集積回路
TPD1038F
モータ、ソレノイド、ランプドライブ用
ハイサイドパワースイッチ
TPD1038F は縦型パワーMOS FET 出力のハイサイドスイッチで、
CMOS、TTL ロジック回路(MPU など)から直接ドライブができ、
保護、診断のインテリジェント機能を備えたモノリシックパワーIC
です。
特 長
• 制御部(Bi-CMOS)と縦型パワーMOS FET を 1 チップ上に組み
込んだモノリシックパワーIC です。
• 負荷端を接地できるハイサイドスイッチです。
• マイクロプロセッサ、CMOS ロジック IC 等から直接制御可能で
す。
• 過熱、負荷ショートに対する保護機能を内蔵しています。
• 負荷ショート、オープン、過熱検出時に診断出力を外部に取り出せる診断機能を内蔵しています。
• インダクタンス負荷による逆起電圧を出力端子に-(60V-V
• オン抵抗が小さい。R
• 表面実装の SOP-8 パッケージで梱包形態はエンボステーピングです。
=120mΩ(最大) ( @ V
DS(ON)
= 12 V、Ta = 25℃、Io = 2 A)
DD
)~-(50V-VDD)まで印加できます。
DD
質量: 0.08 g (標準)
SOP8-P-1.27A
ピン接続 現品表示
OUT
1
GND
2
DIAG
3
IN
4
(TOP VIEW)
V
8
DD
TPD1038
V
7
DD
V
6
DD
V
5
DD
F
製品名 (または略号)
ロット No.
外装鉛フリー
識別マーク
( なし: 鉛含有
あり: 鉛フリー)
この製品は MOS 構造ですので取り扱いの際には静電気にご注意下さい。
1
2006-10-31
ブロック図
TPD1038F
IN
DIAG
GND
端子説明
バンドギャップ電源
過熱検出
5V 電源
チャージポンプ
ドライバ
過電流検出
パワーMOSFET
(π-MOSⅤ)
V
DD
OUT
端子番号 端子記号 端子の説明
1 OUT
2 GND 接地端子。
3 DIAG
4 IN
5,6,7,8 VDD 電源端子。
出力端子。負荷が短絡状態になり、3A (最小)を超える電流が出力端子に流れると、IC 保護のため出
力はスイッチングモードで動作をします。
自己診断出力端子。入力”H”に過熱検出、または過電流を検出すると”L”レベルになります。回路
構成は、n チャネル オープンドレインです。
入力端子。内部でプルダウン抵抗が接続されており、仮に入力の配線がオープンになっても、出力
が誤ってオンすることはありません。
2
2006-10-31
絶対最大定格 (Ta = 25°C)
項 目 記 号 定 格 単位
ドレイン・ソース間電圧
電源電圧
入力電圧
診断出力電圧
出力電流
入力電流
診断出力電流
許容損失
許容損失
動作温度
チャネル温度
保存温度
DC
パルス
DC
パルス
(注 2-a)
(注 2-b)
60 V
V
DS
V
25 V
DD(1)
=1Ω,τ=250ms)
V
DD(2)
V
-0.5~12 V
IN(1)
V
V
IN(2)
-0.5~25 V
V
DIAG
Internally Limited A
I
O
±10 mA
I
IN
5 mA
I
DIAG
P
1.1 W
D(1)
P
0.425 W
D(2)
Topr -40~110 °C
150 °C
T
ch
-55~150 °C
T
stg
S
+1.5(t=100ms) V
DD(1)
60(R
V
TPD1038F
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格/動作範囲以内での使用においても、高負荷 (高温お
よび大電流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれが
あります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
熱抵抗特性
項 目 記 号 定 格 単位
チャネル-外気間熱抵抗
R
th(ch-a)
注 2:
2-a : ガラスエポキシ基板(a) 2-b : ガラスエポキシ基板(b)
FR-4
25.4×25.4×0.8
(単位:mm)
113.5 (注 2a)
294.0 (注 2b)
°C /W
FR-4
25.4×25.4×0.8
(単位:mm)
4
2006-10-31