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TOSHIBA
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TPD1032F
Technical data
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TOSHIBA TPD1032F Technical data

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TPD1032F
東芝インテリジェントパワーデバイス シリコンモノリシックパワーMOS 型集積回路
TPD1032F

モータ、ソレノイド、ランプドライブ用 2in1 ローサイドパワースイッチ

ら直接ドライブができ、各種保護機能を内蔵しています。
特 長
• コントロール部と縦型出力パワーMOSFET (L2-π-MOS) を１ チップ上に組み込んだ IC を 2 チップ内蔵しています。
• CMOS ロジック等から電力負荷を直接ドライブできます。
• 過電圧 (アクティブクランプ)、過熱、過電流 (電流リミッタ) 保
護回路を内蔵しています。
• オン抵抗が小さい。 : R V
= 5 V、ID = 1 A、Tch = 25°C)
IN
• ドレインしゃ断電流が小さい。 : I
• 入力電流が小さい。 : I
• 面実装の SOP8 パッケージで梱包形態はエンボステーピングです。
DS (ON)
DSS
IN
= 0.4 Ω (最大) (＠
= 10 μA (最大) (＠VIN = 0 V、VDS = 20 V、Tch = 25°C)
= 300 μA (最大) (＠VIN = 5 V、Tch = −40~110°C)

ピン接続 現品表示

質量: 0.08 g (標準)
SOURCE1
SOURCE2
この製品は MOS 構造ですので取り扱いの際には静電気にご注意ください。
IN1
1
8
DRAIN1
TPD1032
DRAIN1
2
3
4
(TOP VIEW)
7
6
5
F
DRAIN2
DRAIN2 IN2
製品名 (または略号) ロット No.
外装鉛フリー 識別マーク
( なし: 鉛含有 あり: 鉛フリー)
1
2006-10-30

ブロック図

SOURCE1
SOURCE2

端子説明

IN1
IN2
TPD1032F
1
過熱検出/保護回路 過電流検出/保護回路
2
3
過熱検出/保護回路 過電流検出/保護回路
4
8
7
6
5
DRAIN1
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN2
端子番号 端子記号 端子の説明
1 SOURCE1 ソース端子 1。
2 IN1
3 SOURCE2 ソース端子 2。
4 IN2
5, 6 DRAIN2
7, 8 DRAIN1
入力端子 1。 内部でプルダウン抵抗が接続されており、仮に入力の配線がオープンになっても、出力が誤って オンすることはありません。
入力端子 2。 内部でプルダウン抵抗が接続されており、仮に入力の配線がオープンになっても、出力が誤って オンすることはありません。
ドレイン端子 2。 出力電流が 2 A (最小) を超えると IC 保護のため出力電流を制限 (電流リミッタ) します。
ドレイン端子 1。 出力電流が 2 A (最小) を超えると IC 保護のため出力電流を制限 (電流リミッタ) します。
2
2006-10-30

タイミングチャート

入力信号
過電流検出
過熱検出
出力電流
TPD1032F
電流制限 (リミット) 過熱保護 (注 2)
注 2: 過熱保護は自己復帰します。検出と復帰のヒステリシスは 5°C (標準) です。

真理値表

IN V
L H
H L
L H
H H
L H
H H
モード
OUT
正常
過電流
過熱
3
2006-10-30
TPD1032F
絶対最大定格
ドレイン･ソース間電圧
ドレイン電流 ID 内部制限 A
入力電圧 VIN −0.3~7 V
許容損失
(Ta = 25°C) (注 3a)
許容損失
(Ta = 25°C) (注 3b)
アクティブクランプ耐量 (単発) (注 5) EAS 90 mJ
アクティブクランプ電流 IAR 3 A
アクティブクランプ耐量 (連続) (注 6) EAR 54 μJ
動作温度 T
チャネル温度 Tch 150 °C
保存温度 T
(Ta = 25°C)
項目 記号 定格 単位
1 素子通電時(注 4a) P 2 素子通電時
1 素子あたり(注 4b)
1 素子通電時(注 4a) P 2 素子通電時
1 素子あたり(注 4b)
DC 20
パルス
VDS
0.95 W
D(1)
0.54 W
P
D(2)
0.38 W
D(1)
0.20 W
P
D(2)
−40~110 °C
opr
−55~150 °C
stg
40
V
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格/動作範囲以内での使用においても、高負荷 (高温お
よび大電流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれが あります。 弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。

熱抵抗特性

項目 記号 最大 単位
チャネル･外気間熱抵抗
(注 3a)
チャネル･外気間熱抵抗
(注 3b)
1 素子通電時(注 4a) R
2 素子通電時 1 素子あたり(注 4b)
1 素子通電時(注 4a) R
2 素子通電時 1 素子あたり(注 4b)
th (ch-a)(1)
R
th (ch-a)(2)
th (ch-a)(1)
R
th (ch-a)(2)
注 3:
a)ガラスエポキシ基板 (a) b)ガラスエポキシ基板 (b)
FR-4
25.4 × 25.4 × 0.8 (単位: mm)
132
°C/W
231
330
°C/W
625
FR-4
25.4 × 25.4 × 0.8 (単位: mm)
(a)
(b)
注 4: a) 1 素子通電時では片側の素子だけに電力印加した場合の許容損失値、あるいは熱抵抗値を記載します。 b) 2 素子通電時 1 素子あたりではそれぞれの素子に均等に電力印加した場合の 1 素子あたりの許容損失値、
あるいは熱抵抗値を記載します。
注 5: アクティブクランプ耐量 (単発) 印加条件
V
= 25 V、Tch = 25°C(初期)、L = 10 mH、IAR = 3 A、RG = 25 Ω
DD
注 6: 連続印加の際、パルス幅は製品のチャネル温度によって制限されます。
4
2006-10-30

電気的特性

TPD1032F
項目 記号
ドレイン･ソース間クランプ電圧 V
入力しきい値電圧 Vth －
保護回路動作入力電圧範囲 V
ドレインしゃ断電流 I
入力電流
ドレイン･ソース間オン抵抗 R
過熱保護 TS － － V
過電流保護 I
スイッチングタイム
ドレイン･ソース間 ダイオード順方向電圧
(CL) DSS
IN (opr)
DSS
I
IN (1)
I
IN (2)
DS (ON)
－
S
tON
t
OFF
V
DSF
測定 回路
－ Tch = −40~110°C
Tch = 25°C 1.0 － 2.8
T
ch
－
－
－ Tch = −40~110°C
－ Tch = −40~110°C
－
－ Tch = 25°C
Tch = 25°C － 3 － 7
T
ch
Tch = 25°C － － 10
T
ch
Tch = 25°C － 0.25 0.4
T
ch
Tch = 25°C 3 3.7 －
T
ch
Tch = 25°C － － 30
T
ch
1
Tch = 25°C － － 60
T
ch
測定条件 最小 標準 最大 単位
= −40~110°C
= −40~110°C － 3.5 － 7
= −40~110°C
= −40~110°C
= −40~110°C
= −40~110°C － － 60
= −40~110°C
V I
V I
V V
V 定常動作時
V
過電流保護回路 動作時
V I
V
V V I
V I

測定回路 1

= 0 V,
IN
= 1 mA
D
= 13 V,
DS
= 10 mA
D
= 0 V,
IN
= 20 V
DS
= 5 V,
IN
= 5 V,
IN
= 5 V,
IN
= 1 A
D
= 5 V 150 160 － °C
IN
= 5 V
IN
= 13 V,
DD
= 0 V/5 V,
IN
= 1 A
D
= 0 V,
IN
= 3 A
F
40 － 60 V
V
0.9 － 3.0
V
μA
－ － 100
－ － 300
μA
－ － 350
Ω
－ － 0.6
A
2 － －
μs
－ － 90
－ － 1.7 V

スイッチングタイム測定回路

TPD1032F
IN DRAIN SOURCE
V
測定回路
P.G
I
D
= 1 A
VDD = 13 V
測定波形
波形
V
IN
V
波形
OUT
90%
10%
90%
10%
t
ON
t
OFF
5 V
13 V
5
2006-10-30
TPD1032F
(
)
60
50
40
(V)
30
DSS
CL
V
20
V
(CL) DSS
– Tch
VIN = 0 V ID = 1 mA
10
ドレイン･ソース間クランプ電圧
0
-80 -40 0 40 80 120 160
チャネル温度 Tch (°C)
400
300
(μA)
IN(1)
200
I
IN(1)
– Tch
VIN = 5 V
定常動作時
100
入力電流 I
0
-80 -40 0 40 80 120 160
チャネル温度 Tch (°C)
400
(μA)
IN(2)
VIN = 5 V
過電流保護
300
200
I
IN(2)
– Tch
100
入力電流 I
0
-80 -40 0 40 80 120 160
チャネル温度 Tch (°C)
V
– Tch
th
5.0
4.0
(V)
th
3.0
2.0
1.0
入力しきい値電圧 V
0
-80 -40 0 40
80 120 160
チャネル温度 Tch (°C)
I
– VIN
400
300
IN(1)
(μA)
IN(1)
200
100
入力電流 I
0
0 2 4 6 8
入力電圧 VIN (V)
I
－V
400
Tch = 25
350
過電流保護回路動作時
300
(μA)
(μA)
250
IN(2)
IN (2)
200
I
150
入力電流
100
入力電流 I
50
0
012345678
IN(2)
℃
入力電圧
V
IN
(V)
IN
VDS = 13 V ID = 10 mA
Tch = 25 ℃
定常動作時
6
2006-10-30
TPD1032F
(
)
(
)
0.6
0.5
0.4
(Ω)
0.3
ON
DS
R
0.2
R
DS(ON)
– Tch
VIN = 5 V ID = 1 A
0.6
0.5
0.4
(Ω)
0.3
ON
DS
R
0.2
ドレイン・ソース間オン抵抗
0.1
ドレイン・ソース間オン抵抗
0.1
0
-80 -40 0 40 80 120 160
チャネル温度 Tch (°C)
0
0 2 4 6 8
入力電圧 VIN (V)
8
I
– Tch
S
8
VIN = 5 V
(A)
S
6
4
(A)
S
6
4
過電流検出値 I
2
過電流検出値 I
2
0
-80 -40 0 40 80 120 160
チャネル温度 Tch (°C)
0
0 2 4 6 8
入力電圧 VIN (V)
60
(A)
OFF
,t
40
ON
t
ON
, t
– Tch
OFF
t
OFF
VDD = 13 V
VIN = 5 V
ID = 1 A
60
(A)
OFF
,t
40
ON
20
tON
20
スイッチングタイム t
0
-80 -40 0 40 80 120 160
チャネル温度 Tch (°C)
スイッチングタイム t
0
0 2 4 6 8
入力電圧 VIN (V)
R
DS(ON)
t
ON
I
S
, t
OFF
– VIN
– VIN
– VIN
tON
t
OFF
Tch = 25 ℃ ID = 1A
Tch = 25 ℃
V
= 13 V
DD
Tch = 25 ℃
ID = 1 A
7
2006-10-30
TPD1032F
(2)
3
53050300500
rth － t
PD-T
1.6
1.4
1.2
(W)
(W)
D
D
P
0.8
0.6
消費電力
消費電力 P
0.4
0.2
(1)
1
(2)
(3)
(4)
0
-40 - 20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
a
ガラスエポキシ基板
(1)1
素子通電時(注
(2)2
素子通電時1素子あたり(注
ガラスエポキシ基板
(3)1
素子通電時(注
(4)2
素子通電時1素子あたり(注
4a)
4a)
周囲温度 Ta (°C)
w
(4)
(3)
(a)実装(注3a)
4b)
(b)実装(注3b)
4b)
200
T
S
– VIN
150
(℃)
S
100
過熱検出温度 T
50
0
0 2 4 6 8
入力電圧 VIN (V)
1000
単発パルス
Ta= 25°C
100
(℃)
(°C)
th
th
r
ガラスエポキシ基板
(1)1
10
過渡熱抵抗
過渡熱抵抗 r
1
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
パルス幅
t
（s）
w
素子通電時(注
(2)2
素子通電時1素子あたり(注
ガラスエポキシ基板
(3)1
素子通電時(注
(4)2
素子通電時1素子あたり(注
(1)
(a)実装(注3a)
4a)
4b)
(b)実装(注3b)
4a)
4b)
8
2006-10-30
外形図
TPD1032F
質量: 0.08 g (標準)
9
2006-10-30
TPD1032F
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20070701-JA
• 本資料の掲載内容は，技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。
10
2006-10-30
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