TOSHIBA TPD1032F Technical data

TPD1032F

東芝インテリジェントパワーデバイス シリコンモノリシックパワーMOS 型集積回路

TPD1032F

モータ、ソレノイド、ランプドライブ用 2in1 ローサイドパワースイッチ

TPD1032F は縦型パワーMOSFET 出力の 2in1 ローサイドスイッチで、CMOS、TTL ロジック回路 (MPU など) か

ら直接ドライブができ、各種保護機能を内蔵しています。

特 長

• コントロール部と縦型出力パワーMOSFET (L2-π-MOS) を１
チップ上に組み込んだ IC を 2 チップ内蔵しています。

• CMOS ロジック等から電力負荷を直接ドライブできます。

• 過電圧 (アクティブクランプ)、過熱、過電流 (電流リミッタ) 保

護回路を内蔵しています。

• オン抵抗が小さい。 : R
V

= 5 V、ID = 1 A、Tch = 25°C)

IN

• ドレインしゃ断電流が小さい。 : I

• 入力電流が小さい。 : I

• 面実装の SOP8 パッケージで梱包形態はエンボステーピングです。

DS (ON)

DSS

IN

= 0.4 Ω (最大) (＠

= 10 μA (最大) (＠VIN = 0 V、VDS = 20 V、Tch = 25°C)

= 300 μA (最大) (＠VIN = 5 V、Tch = −40~110°C)

ピン接続 現品表示

質量: 0.08 g (標準)

SOURCE1

SOURCE2

この製品は MOS 構造ですので取り扱いの際には静電気にご注意ください。

IN1

1

8

DRAIN1

TPD1032

DRAIN1

2

3

4

(TOP VIEW)

7

6

5

F

DRAIN2

DRAIN2 IN2

製品名 (または略号)
ロット No.

外装鉛フリー
識別マーク

( なし: 鉛含有
あり: 鉛フリー)

1

2006-10-30

ブロック図

SOURCE1

SOURCE2

端子説明

IN1

IN2

TPD1032F

1

過熱検出/保護回路 過電流検出/保護回路

2

3

過熱検出/保護回路 過電流検出/保護回路

4

8

7

6

5

DRAIN1

DRAIN1

DRAIN2

DRAIN2

端子番号 端子記号 端子の説明

1 SOURCE1 ソース端子 1。

2 IN1

3 SOURCE2 ソース端子 2。

4 IN2

5, 6 DRAIN2

7, 8 DRAIN1

入力端子 1。
内部でプルダウン抵抗が接続されており、仮に入力の配線がオープンになっても、出力が誤って
オンすることはありません。

入力端子 2。
内部でプルダウン抵抗が接続されており、仮に入力の配線がオープンになっても、出力が誤って
オンすることはありません。

ドレイン端子 2。
出力電流が 2 A (最小) を超えると IC 保護のため出力電流を制限 (電流リミッタ) します。

ドレイン端子 1。
出力電流が 2 A (最小) を超えると IC 保護のため出力電流を制限 (電流リミッタ) します。

2

2006-10-30

タイミングチャート

入力信号

過電流検出

過熱検出

出力電流

TPD1032F

電流制限 (リミット) 過熱保護 (注 2)

注 2: 過熱保護は自己復帰します。検出と復帰のヒステリシスは 5°C (標準) です。

真理値表

IN V

L H

H L

L H

H H

L H

H H

モード

OUT

正常

過電流

過熱

3

2006-10-30