TLP862(F),TLP866(F),TLP867(F)
東芝フォトインタラプタ 赤外 LED＋フォトダーリントントランジスタ
TLP862(F),TLP866(F),TLP867(F)
○ 鉛フリー対応製品
○ VTR、コンパクトディスクプレーヤ
○ 複写機、ファクシミリ、プリンタ
○ 自動販売機
○ 各種位置検出用
TLP862(F)、TLP866(F)、TLP867(F)は、GaAs 赤外 LED と高感度の Si フォトダーリントントランジスタを組み合わせ
たフォトインタラプタです。変換効率が高く、低入力電流で駆動することができます。低電力回路に適しています。
• 小型パッケージ
• 1 点ねじ取り付けタイプ : TLP862(F)
• プリント基板直付けタイプ : TLP866(F)
TLP867(F) (横長スリット)
• 溝幅 : 5mm
• 分解能 : スリット幅 0.5mm
• 高変換効率 : I
• 受光側は可視光カットタイプ
• ケース本体材質 : ポリカーボネイト
最大定格
発
光
側
受
光
側
動作温度 T
保存温度 T
はんだ付け温度(5s) T
(Ta = 25°C)
項目 記号 定格 単位
直流順電流 I
直流順電流低減率(Ta>25°C) ∆IF / °C −0.33 mA / °C
直流逆電圧 V
コレクタ･エミッタ間電圧 V
エミッタ･コレクタ間電圧 V
コレクタ損失 PC 75 mW
コレクタ損失低減率(Ta>25°C) ∆PC / °C −1 mW / °C
コレクタ電流 I
/ IF=30%(最小) at IF=1mA
C
F
5 V
R
30 V
CEO
5 V
ECO
40 mA
C
−25~85 °C
opr
−40~100 °C
stg
sol
50 mA
260 °C
現品表示
形名略号
P862
捺印色：銀
略 号 形 名
P862
P866
P867
月別ロット表示
1~12 月を A~L の
製造月
アルファベット
で表示
西暦の下一桁を
製造年
表示
TLP862(F)
TLP866(F)
TLP867(F)
1
2004-02-12
TLP862(F),TLP866(F),TLP867(F)
TLP862(F) TLP866(F)
東 芝 11−20B2 東 芝 11−14A1
TLP867(F)
質量: 0.85g (標準)
0.65g (標準)
0.72g (標準)
東 芝 11−15B1
2
2004-02-12
TLP862(F),TLP866(F),TLP867(F)
推奨動作条件
項目 記号 最小標準最大単位
電源電圧 VCC ― 5 16 V
順電流 IF ― ― 20 mA
動作温度 T
opr
−10 ― 70 °C
電気･光学的特性
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
順電圧 VF IF=10mA 1.00 1.15 1.30 V
発光側
逆電流 IR VR=5V ― ― 10 µA
ピーク発光波長 λP IF=10mA ― 940 ― nm
受光側
暗電流 ID (I
ピーク感度波長 λ
変換効率 IC / IF VCE=2V, IF=1mA 30 ― 1200 %
伝達特性
コレクタ･エミッタ間飽和電圧 V
上昇時間 t
下降時間 t
(Ta = 25°C)
) VCE=16V, IF=0 ― ― 0.25 µA
CEO
― 870 ― nm
P
IF=2mA, IC=0.3mA ― 0.75 1 V
CE(sat)
― 600 ―
r
f
=5V, IC=1mA
V
CC
=1kΩ
R
L
― 500 ―
µs
使用上の注意
• 洗浄などで薬品を使用するときは、はんだ付け面のみ行い、ケース本体の丸洗いは避けてください。
• ケース本体材質はポリカーボネイトを使用しています。一般的には、酸やアルコール、脂肪族炭化水素には比較的安
定していますが、ベンゼン、トルエン、アセトンなどの石油薬品やアルカリ、芳香族炭酸水素、塩素化炭酸水素には
クラック、膨潤、溶解します。下表をご参考の上、実装環境には十分にご注意ください。
<一般的にポリカーボネイトに対して使用が好ましくない薬品>
現象 薬品例
物性低下は少ないが
A
着色するもの
クラック,クレーズ
B
膨潤を起こすもの
溶解するもの
C
( )は溶剤に使用
D 分解を起こすもの
・ 硝酸(低濃度),過酸化水素水(高濃度),塩素
・ 酢酸(70%以上)
・ ガソリン
・ メチルイソブチルケトン,酢酸エチル,酢酸ブチル
・ メタクリル酸メチル,エチルエーテル,MEK
・ アセトン,m−アミノアルコール,四塩化炭素
・ 二硫化炭素,トリクロルエチレン,クレゾール
・ 各種シンナー類,テレピン油
・ トリエタノールアミン,TCP,TBP
・ 濃硫酸
・ ベンゼン
・ スチレン,アクリロニトリル,酢酸ビニル
・ エチレンジアミン,ジエチレンジアミン
・ (クロロホルム,塩化メチレン,テトラクロルメタン
ジオキサン,1,2−ジクロルエタン)
・ アンモニア水
・ その他アルカリ類
• 取り付け部は反りのないようにしてください。
• ネジの締め付けトルク荷重は、0.59N･m 以下で行ってください。(TLP862(F))
• 赤外 LED への通電により、変換効率は時間とともに低下変動します。
変換効率の経時変化量を十分考慮し、回路設計してください。
変換効率の変動は、赤外 LED の光出力変動と 1: 1 の相関があります。
(t)I
C
(0)I
C
(t)P
O
=
(0)P
O
3
2004-02-12
外形図
11−20B2
TLP862(F),TLP866(F),TLP867(F)
単位: mm
質量: 0.85g (標準)
ピン接続図
1 4
2
1. アノード
2. カソード
3. コレクタ
4. エミッタ
3
4
2004-02-12
外形図
11−14A1
TLP862(F),TLP866(F),TLP867(F)
単位: mm
質量: 0.65g (標準)
ピン接続図
1 4
2
1. アノード
2. カソード
3. コレクタ
4. エミッタ
2
3
5
2004-02-12
外形図
11−15B1
TLP862(F),TLP866(F),TLP867(F)
単位: mm
質量: 0.72g (標準)
ピン接続図
1 4
2
1. アノード
2. カソード
3. コレクタ
4. エミッタ
3
6
2004-02-12
TLP862(F),TLP866(F),TLP867(F)
– Ta
I
80
F
80
P
– Ta
C
60
(mA)
40
F
20
許容順電流 I
0
0
20 40 60 80 100
周囲温度 Ta (°C)
– V
I
F
F
50
30
(mA)
F
10
(標準値)
5
3
順 電 流 I
1
Ta = 75°C
50
25
0
−25
0.9 0.8 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4
順 電 圧 V
(V)
F
60
(mW)
C
40
20
0
0 20 40 60 80 100
許容コレクタ損失 P
周囲温度 Ta (°C)
/ IF – IF
I
1000
500
300
サンプル 2
(%)
F
/ I
100
C
50
30
C
サンプル 1
変換効率 I
10
0.5 1 3 5 10 30 50 100
順 電 流 I
(mA)
F
Ta = 2 5 °C
VCE = 2 V
VCE = 1 V
– IF
I
50
30
サンプル 2
10
(mA)
C
5
3
1
コレクタ電流 I
0.5
0.3
0.5 1 3 5 10 30 50 100
順 電 流 I
C
サンプル 1
(mA)
F
Ta = 2 5 °C
VCE = 2 V
VCE = 1 V
I
30
Ta = 25 °C
24
(mA)
C
18
12
コレクタ電流 I
6
0
0
2 4 6 8 10
コレクタ･エミッタ間電圧 V
7
– VCE (標準値)
C
2.5
2.0
1.5
1.0
IF = 0.5 mA
(V)
CE
2004-02-12
TLP862(F),TLP866(F),TLP867(F)
– Ta (標準値)
相対 I
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
相対コレクタ電流
0.2
−40 −20 0 20 40 60 80 100
C
VCE = 2 V
IF = 1 mA
周囲温度 Ta (°C)
– Ta (標準値)
V
1.0
CE(sat)
I
D(ICEO
10
) (µA)
1
CEO
(I
D
−1
10
−2
10
VCE = 16 V
暗 電 流 I
−3
10
30 40 50 60 70 80 90
20
周囲温度 Ta (°C)
) – Ta (標準値)
10
5
0.8
0.6
0.4
CE(sat) (V)
0.2
V
0
コレクタ･エミッタ間飽和電圧
−40 −20 0 20 40 60 80 100
IF = 2 mA
IC = 0.3 mA
周囲温度 Ta (°C)
スイッチング時間の測定回路
I
F
VCC=5V
V
スイッチング特性(飽和動作) (標準値)
10000
Ta = 2 5 °C
IF = 2 mA
5000
VCC = 5 V
3000
V
≧ 4 V
OUT
1000
500
300
100
OUT
V
I
F
OUT
0V
90%
10%
td
t
s
t
tr
tf
ts
tr
50
スイッチング時間 (µs)
30
10
td
1 3 5 10 30 50 100
0.5
負荷抵抗 R
8
(kΩ)
L
2004-02-12
TLP862(F),TLP866(F),TLP867(F)
TLP862(F)検出位置特性(1) (標準値)
1.0
IF = 1 mA
VCE = 2 V
0.8
Ta = 2 5 °C
0.6
0.4
0.2
相対コレクタ電流
0
−3 −2 −1 0 1 2 3 4
0
−
d
しゃ光板
検出位置
d= 0 ± 0.3mm
TLP862(F)検出位置特性(2) (標準値)
1.0
IF = 1 mA
+
VCE = 2 V
0.8
Ta = 2 5 °C
0.6
0.4
0.2
相対コレクタ電流
0
6 7 8 9 10 11 12
5
しゃ光板
検出位置
d= 8
+ 1.0
− 1.5mm
d
距 離 d (mm)
TLP866(F)検出位置特性(1) (標準値)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
相対コレクタ電流
0.2
0
−2 −1 0 1 2 3 4
−3
IF = 1 mA
VCE = 2 V
Ta = 2 5 °C
0
−
しゃ光板
検出位置
d= 0 ± 0.3mm
+
d
TLP866(F)検出位置特性(2) (標準値)
1.2
IF = 1 mA
VCE = 2 V
1.0
Ta = 2 5 °C
しゃ光板
0.8
0.6
0.4
0.2
0
検出位置
d = 7.5
5
相対コレクタ電流
距 離 d (mm)
距 離 d (mm)
d
+ 0.8
− 1.7mm
7
6
距 離 d (mm)
9
8
10 11
12
TLP867(F)検出位置特性(1) (標準値)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
相対コレクタ電流
0.2
0
−1 −0.5 0 0.5 1 1.5 2
−1.5
距 離 d (mm)
IF = 1 mA
VCE = 2 V
Ta = 2 5 °C
0
−
しゃ光板
検出位置
d= 0 ± 1.05mm
+
d
TLP867(F)検出位置特性(2) (標準値)
1.2
IF = 1 mA
1.0
VCE = 2 V
Ta = 2 5 °C
0.8
しゃ光板
0.6
相対コレクタ電流
0.4
検出位置
0.2
d = 7.5 ± 0.3mm
0
6.0
6.5
d
7.0
距 離 d (mm)
9
7.5
8.0
8.5 9.0
9.5
2004-02-12
TLP862(F),TLP866(F),TLP867(F)
しゃ光板とデバイスの位置関係
正常に動作させるために、しゃ光板とデバイスの位置関係は、下図を遵守してください。
しゃ光板のスリット幅およびスリットピッチ寸法は、デバイスの検出位置特性とスイッチング時間を十分に考慮し、決定
してください。
TLP862(F)
単位 : mm
しゃ光板
A
TLP866(F)
しゃ光板
A′
9min
6.5max
A−A′断面図
A
A′
8.3min
5.8max
A−A′断面図
センサ中心
8
センサ中心
7.5
10
2004-02-12
TLP862(F),TLP866(F),TLP867(F)
当社半導体製品取り扱い上のお願い
• 当社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、一般に半導体製品は誤作動したり故障することがあります。当
社半導体製品をご使用いただく場合は、半導体製品の誤作動や故障により、生命･身体･財産が侵害されることの
ないように、購入者側の責任において、機器の安全設計を行うことをお願いします。
なお、設計に際しては、最新の製品仕様をご確認の上、製品保証範囲内でご使用いただくと共に、考慮されるべ
き注意事項や条件について｢東芝半導体製品の取り扱い上のご注意とお願い｣、｢半導体信頼性ハンドブック｣など
でご確認ください。
• 本資料に掲載されている製品は、一般的電子機器 (コンピュータ、パーソナル機器、事務機器、計測機器、産業用
ロボット、家電機器など) に使用されることを意図しています。特別に高い品質･信頼性が要求され、その故障や
誤作動が直接人命を脅かしたり人体に危害を及ぼす恐れのある機器 (原子力制御機器、航空宇宙機器、輸送機器、
交通信号機器、燃焼制御、医療機器、各種安全装置など) にこれらの製品を使用すること (以下 “特定用途” とい
う) は意図もされていませんし、また保証もされていません。本資料に掲載されている製品を当該特定用途に使用
することは、お客様の責任でなされることとなります。
• 本資料に掲載されている製品の材料には、GaAs (ガリウムひ素) が使われています。その粉末や蒸気は人体に対
し有害ですので、破壊、切断、粉砕や化学的な分解はしないでください。
• 本資料に掲載されている技術情報は、製品の代表的動作･応用を説明するためのもので、その使用に際して当社お
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使用することはできません。
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030519TAC
11
2004-02-12
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