TLP620,TLP620-2,TLP620-4
東芝フォトカプラ 赤外LED +フォトトランジスタ
TLP620,TLP620-2,TLP620-4
○ プログラマブルコントローラ
○ AC / DC インプットモジュール
○ 電子ボタン電話システム
TLP620シリーズは、GaAs 赤外 LED とシリコンフォトトランジスタを組
み合わせた高密度実装タイプフォトカプラです。赤外 LED が逆並列接続され
ていますので、交流電流の入力に適しています。
TLP620 DIP 4 ピン 1回路
TLP620−2 DIP 8 ピン 2回路
TLP620−4 DIP 16 ピン 4回路
z コレクタ・エミッタ間電圧 : 55 V (最小)
z 変換効率 : 50% (最小)
GB ランク品 : 100% (最小)
ピン接続図
単位: mm
JEDEC ―
JEITA ―
東芝 11−5B2
質量: 0.26 g (標準)
JEDEC ―
JEITA ―
東芝 11−10C4
質量: 0.54 g (標準)
JEDEC ―
JEITA ―
東芝 11−20A3
質量: 1.1 g (標準)
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2008-06-30
TLP620,TLP620-2,TLP620-4
z 絶縁耐圧 : 5000 Vrms (最小)
z 安全規格
日本製造品 タイ製造品
UL 認定品 E67349 (*1) E152349 (*1)
BSI 認定品 7426, 7427 (*2)
SEMKO 認定品 9808210 / 01−03 (*3) 9808214 / 01−03 (*3)
*1: UL1577
*2: BS EN60065: 2002、BS EN60950-1: 2002
*3: EN60065、EN60950 (認定品は TLP620 と TLP620−2)
z オプション (D4) タイプ
VDE 認定品: DIN EN 60747-5-2、認定 No. 40009302 (日本製造品)、94767 (タイ製造品)
最大許容動作絶縁電圧 : 890 Vpk
最大許容過電圧 : 8000 Vpk
注: EN 60747-5-2 認定品を採用する場合は“オプション (D4) 品”とご指定ください。
z 構造パラメータ
7.62 mm ピッチ
沿面距離
空間距離
絶縁物厚
TLP620、TLP620−2、TLP620−4
6.4 mm (最小)
6.4 mm (最小)
0.4 mm (最小)
10.16 mm ピッチ (LF2) タイプ
TLP620F(*4)、TLP620F−2(*4)
8.0 mm (最小)
8.0 mm (最小)
0.4 mm (最小)
*4: F タイプ品は安全規格申請中です。
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2008-06-30
TLP620,TLP620-2,TLP620-4
絶対最大定格
発
直流順電流 I
光
直 流 順 電 流 低 減 率 ΔIF /℃ −0.7 (Ta≧39℃) −0.5 (Ta≧25℃)mA /℃
側
パルス順電流 (注 1) IFP ±1 A
コレクタ・エミッタ間電圧 V
受
エミッタ・コレクタ間電圧 V
光
コレクタ電流 IC 50 mA
側
コ レ ク タ 損 失 (1 回路) PC 150 100 mW
コレクタ損失低減率
(Ta≧25℃) (1 回路)
動作温度 T
保存温度 T
は ん だ 付 け 温 度 T
許 容 損 失 (1 回路) PT 250 150 mW
許容損失低減率
(Ta≧25℃ ) (1 回路)
絶縁耐圧 (注 2) BVS 5000 Vrms
(Ta = 25℃)
項目 記号
定格
TLP620
60 50 mA
F (RMS)
55 V
CEO
7 V
ECO
/℃ −1.5 −1.0 mW /℃
ΔP
C
−55~100 ℃
opr
−55~125 ℃
stg
260 (10 秒) ℃
sol
/℃ −2.5 −1.5 mW /℃
ΔP
T
TLP620−2
TLP620−4
単位
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても、高負荷 (高温および大電
流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
注 1: パルス幅 = 100 μs 以下、周波数 = 100 Hz
注 2: 交流、1 分間、R.H.≦60%。LED 側ピン、受光側ピンをそれぞれ一括し、電圧を印加する。
推奨動作条件
項目 記号 最小 標準 最大 単位
電源電圧 VCC ― 5 24 V
順電流 I
コレクタ電流 IC ― 1 10 mA
動作温度 T
― 16 25 mA
F (RMS)
−25 ― 85 ℃
opr
注: 推奨動作条件は、期待される性能を得るための設計指標です。また、各項目はそれぞれ独立した指標となってお
りますので、設計の際は電気的特性などで規定された値も合わせてご確認願います。
電気的特性
発
順電圧 VF IF = ±10 mA 1.0 1.15 1.3 V
光
順電流 I
側
端子間容量 C
コレクタ・エミッタ間降伏電圧 V
受
エミッタ・コレクタ間降伏電圧 V
光
暗電流 I
側
端子間容量 CCE V = 0, f = 1 MHz ― 10 ― pF
(Ta = 25℃)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
V
F
V = 0, f = 1 MHz ― 60 ― pF
T
(BR) CEOIC
(BR) ECOIE
CEO
= ±0.7 V ― 2.5 20 μA
F
= 0.5 mA 55 ― ― V
= 0.1 mA 7 ― ― V
VCE = 24 V ― 10 100 nA
= 24 V, Ta = 85℃ ― 2 50 μA
V
CE
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