TOSHIBA TLP555 Technical data
東芝フォトカプラ GaAℓAs 赤外 LED +フォト IC
TLP555
○ 絶縁したバスドライバ
○ 高速ラインレシーバ
○ マイクロプロセッサシステムのインタフェース
○ MOS FET のゲートドライブ
○ トランジスタインバータ
TLP555 は、GaAℓAs 赤外発光ダイオードと、高利得・高速の集積回路受
光チップを組み合わせた 8PIN DIP のフォトカプラです。
受光側はシュミット回路と 3 ステート出力回路を持っており、吸い込み (シ
ンク)、はき出し (ソース) の両方向ドライブができます。また、受光 IC には
シールドをほどこし、1000 V /μs の高い瞬時コモンモード除去を与えていま
す。
TLP555 は、バッファロジックタイプです。インバータロジックタイプが
必要な場合には TLP558 があります。
l 入力しきい値電流 : I
l 電源電圧 : V
l スイッチングスピード : t
l 瞬時コモンモード除去電圧 : ±1000V /μs (最小)
l 動作温度 : −25～85℃ 保証
l 絶縁耐圧 : 2500 Vrms (最小)
l UL 認定品 : UL1577、ファイル No. E67349
真理値表
真理値表
真理値表真理値表
(正ロジック
正ロジック)
正ロジック正ロジック
= 1.6 mA (最大)
F
= 4.5～20 V
CC
pHL、tpLH
= 400 ns (最大)
ピン接続図
ピン接続図
ピン接続図ピン接続図
JEDEC ―
EIAJ ―
東芝 11−10C4
質量: 0.54 g
TLP555
単位: mm
入力 イネーブル 出力
H H Z
L H Z
H L H
L L L
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2001-04-06
内部回路図
内部回路図
内部回路図内部回路図
注注注注: 8 ピンと
ピンと 5 ピンの間に、バイパス用のコンデンサ
ピンとピンと
ピンの間に、バイパス用のコンデンサ 0.1μμμμF をつける必要があります。
ピンの間に、バイパス用のコンデンサピンの間に、バイパス用のコンデンサ
最大定格
最大定格
最大定格最大定格
(Ta = 25℃℃℃℃)
項目 記号 定格 単位
発
直流順電流 I
光
過渡パルス順電流 (注 1) I
側
直流逆電圧 V
出力電流 I
ピーク出力電流 (注 2) I
受
出力電圧 V
光
電源電圧 V
側
3 ステートイネーブル電圧 V
出力許容損失 (注 3) P
全許容損失 (注 4) P
動作温度 T
保存温度 T
は ん だ 付 け 温 度 (10 秒 ) ** T
絶縁耐圧
(AC1 分間、R.H.≦60%、Ta = 25℃)
(注 5)
FPT
BV
OP
CC
opr
stg
sol
TLP555
をつける必要があります。
をつける必要があります。をつける必要があります。
F
R
O
O
E
O
T
S
10 mA
1 A
5 V
40 / −25 mA
80 / −50 mA
−0.5～20 V
−0.5～20 V
−0.5～20 V
100 mW
200 mW
−40～85 ℃
−55～125 ℃
260 ℃
2500 Vrms
注 1: パルス幅≦1μs、300 pps。
注 2: パルス幅≦5μs、デューティ比≦0.025。
注 3: 周囲温度 70℃以上で 1.8 mW /℃で減少。
注 4: 周囲温度 70℃以上で 3.6 mW /℃で減少。
注 5: ピン 1、2、3、4 とピン 5、6、7、8 をそれぞれ一括し、電圧を印加する。
**: リード根元より 2 mm 以上。
2
2001-04-06
推奨動作条件
推奨動作条件
推奨動作条件推奨動作条件
項目 記号 最小 標準 最大 単位
入力ハイレベル電流、ON I
入力ローレベル電圧、OFF V
電源電圧 V
ハイレベルイネーブル電圧 V
ローレベルイネーブル電圧 V
フ ァ ン ア ウ ト (TTL 負荷) N ― ― 4 ―
動作温度 T
F (ON)
F (OFF)
CC
EH
EL
opr
2*
4.5 ― 20 V
2.0 ― 20 V
−25 ― 85 ℃
― 5 mA
0 ― 0.8 V
0 ― 0.8 V
*: 2 mA は 20%の IFH劣化を考慮した場合の値、入力しきい値は初期値で 1.6 mA 以下。
TLP555
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2001-04-06
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