東芝フォトカプラ GaAℓAs赤外LED +フォトIC
TLP351
○ 汎用インバータ
○ エアコン用インバータ
○ IGBT のゲートドライブ
TLP351 は GaAlAs 赤外発光ダイオードと、高利得・高速の受光 IC チップを組み
合わせた 8PIN DIP のフォトカプラです。
出力部はトーテムポール回路なので、吸い込み(シンク)、はき出し(ソース)の両
方向ドライブが出来ます。
この素子は IGBT およびパワーMOS FET のゲート駆動用に適しています。
• 出力ピーク電流 : ±0.6A (max)
• 動作温度範囲 : -40~100℃
• 供給電流 : 2mA (max.)
TLP351
• 電源電圧 : 10~30V
• 入力しきい値電流 : I
• 伝達遅延時間(tpLH/tpHL) : 700ns(max.)
• 瞬時コモンモード除去電圧 : 10kV/μs
• 絶縁耐圧 : 3750Vrms
• オプション(D4)タイプ
VDE認定品
最大許容動作絶縁電圧
最大許容過電圧
注 : EN60747-5-2 認定品を採用する場合は
“オプション (D4) 品”とご指定ください。
=5mA (max.)
F
: EN60747-5-2
: 890V
: 4000V
PK
PK
真理値表
入力 LED
H ON ON OFF H
L
OFF OFF ON
Tr1 Tr2 出力
L
JEDEC ―
JEITA ―
東芝 11−10C4
質量: 0.54 g(標準)
ピン接続図
1
2
3
45
内部回路図
I
F
+
2
V
F
-
3
注:8 ピンと 5 ピンの間に、バイパス用コンデンサ
0.1μF をつける必要があります。
8
7
6
(Tr1)
(Tr2)
1:N.C.
2:アノード
3:カソード
4:N.C.
5:GND
(出力)
6:V
O
7:N.C.
8:V
CC
ICC
VCC
8
I
O
V
6
GND
5
O
1
2010-06-17
絶対最大定格 (Ta = 25°C)
項目 記号 定格 単位
直流順電流IF 20 mA
発光側
直流順電流低減率(@Ta≧85℃) ΔIF/ΔTa -0.54 mA/℃
パルス順電流(注1) IFP 1 A
直流逆電圧VR 5 V
接合部温度Tj 125 °C
TLP351
ハイレベル出力ピーク電流(注2) I
受光側
ローレベル出力ピーク電流(注2) I
出力電圧VO 35 V
電源電圧VCC 35 V
接合部温度Tj 125 °C
動作周波数(注3) f 25 kHz
動作温度T
保存温度T
はんだ付け温度(10 s) (注4) Tsol 260 °C
絶縁耐圧 (AC, 1 min, R.H.
60%) (注5) BVS 3750 Vrms
-0.6 A
OPH
0.6 A
OPL
-40~100 °C
opr
-55~125 °C
stg
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても、高負荷 (高温および大電
流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
注 1: パルス幅≦1μs、300pps
注 2: 指数関数波形 パルス幅≦10μs 、f≦15kHz
注 3: 指数関数波形 I
≦-0.4A(≦2.0μs)、I
OPH
≦+0.4A(≦2.0μs)、Ta=100℃
OPL
注 4: リード根元より 2 ㎜以上
注 5: ピン1,2,3,4と5,6,7,8をそれぞれ一括し、電圧を印加する。
注 6: 出力フォト IC は、非常に高感度のアンプを内蔵しており、発振防止用として、ピン 8(V
)とピン 5(GND)
CC
の間に高周波特性の良いバイパスコンデンサ 0.1μF をピンより 1cm以内の場所に取り付けてください。
ない場合には、スピードやON/OFFの正常な動作をしない場合があります。
推奨動作条件
項目 記号 最小 標準 最大 単位
入力オン電流 (注7) I
入力オフ電圧 V
電源電圧 VCC 10
出力ピーク電流 I
動作温度 T
7.5
F(ON)
0
F(OFF)
OPH/IOPL
-40
opr
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
10 mA
0.8 V
30 V
±0.2 A
100 ℃
注: 推奨動作条件は、期待される性能を得るための設計指標です。また、各項目はそれぞれ独立した指標となってお
りますので、設計の際は電気的特性などで規定された値も合わせてご確認願います。
注 7: 入力オン電流の立ち上がり、立ち下がりは 0.5μs以下で駆動させてください。
2
2010-06-17
電気的特性 (特に指定がない場合 Ta =-40~100°C)
TLP351
項目 記号
入力順電圧 VF
入力順電圧温度係数 ∆VF/∆Ta
入力逆電流 IR
入力端子間容量 CT
I
“H”レベル
出力電流
(注 8)
“L”レベル
“H”レベル VOH
出力電圧
“L”レベル VOL
“H”レベル I
供給電流
“L”レベル I
OPH1
I
OPH2
I
OPL1
I
OPL2
CCH
CCL
測定
回路
IF = 5 mA , Ta = 25℃ ⎯ 1.55 1.70 V
⎯
IF = 5 mA ⎯ -2.0 ⎯ mV/℃
⎯
VR = 5V , Ta = 25℃ ⎯ ⎯ 10 μA
⎯
V = 0 , f = 1 MHz ,Ta = 25℃ ⎯ 45 ⎯ pF
⎯
V
VCC= 15V
図1
IF = 5mA
VCC = 15V
図2
IF = 0mA
図3
VCC=10V
図4
図5
VCC = 10~30V
Vo Open
図6
測定条件 最小 標準* 最大 単位
=4V
V
8-6
V
=10V ⎯ -0.67 -0.4
8-6
=2V 0.2 0.35 ⎯
6-5
=10V 0.4 0.63 ⎯
V
6-5
IO=-100mA,
IF=5mA
IO=100mA,
VF=0.8V
IF = 10mA
IF = 0mA
⎯ -0.4
6.0 8.5 ⎯
⎯ 0.4 1.0
⎯ 1.4
⎯ 1.3
-0.2
A
V
2.0
mA
2.0
スレッショルド入力電流 L→H I
スレッショルド入力電圧 H→L V
動作電源電圧 VCC
FLH
FHL
VCC = 15V , VO > 1V ⎯ 2.5 5 mA
⎯
VCC = 15V , VO < 1V 0.8
⎯
⎯
⎯ 10 ⎯ 30 V
⎯ ⎯
(*):標準値はすべて Ta = 25℃の値です。
注 8:Io 印加時間≦50μs、1パルス
注 9:本製品は低消費電力化設計のため、従来の製品群よりESDに対して敏感です。
実装、応用回路上の取り扱いにおいて耐ESDの一般的な注意がより必要です。
絶縁特性
入出力間浮遊容量 CS VS = 0, f = 1MHz (注 5) ― 1.0 ― pF
絶縁抵抗 RS R.H.≦60%,VS = 500V (注 5) 1×1012 1014 ― Ω
絶縁耐圧 BVS
(Ta = 25℃)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
AC、1 分 3750 ― ―
AC、1 秒、オイル中 ― 10000 ―
DC、1 分、オイル中 ― 10000 ― Vdc
Vrms
V
3
2010-06-17