東芝フォトカプラ GaAℓAs赤外LED +フォトIC
TLP351
○ 汎用インバータ
○ エアコン用インバータ
○ IGBT のゲートドライブ
TLP351 は GaAlAs 赤外発光ダイオードと、高利得・高速の受光 IC チップを組み
合わせた 8PIN DIP のフォトカプラです。
出力部はトーテムポール回路なので、吸い込み（シンク）、はき出し（ソース）の両
方向ドライブが出来ます。
この素子は IGBT およびパワーMOS FET のゲート駆動用に適しています。
• 出力ピーク電流 : ±0.6A (max)
• 動作温度範囲 : -40～100℃
• 供給電流 : 2mA (max.)
TLP351
• 電源電圧 : 10～30V
• 入力しきい値電流 : I
• 伝達遅延時間(tpLH/tpHL) : 700ns(max.)
• 瞬時コモンモード除去電圧 : 10kV/μs
• 絶縁耐圧 : 3750Vrms
• オプション（D4）タイプ
VDE認定品
最大許容動作絶縁電圧
最大許容過電圧
注 : EN60747-5-2 認定品を採用する場合は
“オプション (D4) 品”とご指定ください。
=5mA (max.)
F
: EN60747-5-2
: 890V
: 4000V
PK
PK
真理値表
入力 LED
H ON ON OFF H
L
OFF OFF ON
Tr1 Tr2 出力
L
JEDEC ―
JEITA ―
東芝 11−10C4
質量: 0.54 g（標準）
ピン接続図
1
2
3
45
内部回路図
I
F
＋
2
V
F
－
3
注：8 ピンと 5 ピンの間に、バイパス用コンデンサ
0.1μF をつける必要があります。
8
7
6
(Tr1)
(Tr2)
1:N.C.
2:アノード
3:カソード
4:N.C.
5:GND
(出力)
6:V
O
7:N.C.
8:V
CC
ICC
VCC
8
I
O
V
6
GND
5
O
1
2010-06-17
絶対最大定格 (Ta = 25°C)
<
項目 記号 定格 単位
直流順電流IF 20 mA
発光側
直流順電流低減率(@Ta≧85℃) ΔIF/ΔTa -0.54 mA/℃
パルス順電流（注１） IFP 1 A
直流逆電圧VR 5 V
接合部温度Tj 125 °C
TLP351
ハイレベル出力ピーク電流（注２） I
受光側
ローレベル出力ピーク電流（注２） I
出力電圧VO 35 V
電源電圧VCC 35 V
接合部温度Tj 125 °C
動作周波数（注３） f 25 kHz
動作温度T
保存温度T
はんだ付け温度(10 s) （注４） Tsol 260 °C
絶縁耐圧 (AC, 1 min, R.H.
60%) （注５） BVS 3750 Vrms
-0.6 A
OPH
0.6 A
OPL
-40~100 °C
opr
-55~125 °C
stg
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても、高負荷 (高温および大電
流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
注 1: パルス幅≦1μs、300pps
注 2: 指数関数波形 パルス幅≦10μs 、ｆ≦15kHz
注 3: 指数関数波形 I
≦-0.4A（≦2.0μs）、I
OPH
≦+0.4A（≦2.0μs）、Ta=100℃
OPL
注 4: リード根元より 2 ㎜以上
注 5: ピン１，２，３，４と５，６，７，８をそれぞれ一括し、電圧を印加する。
注 6: 出力フォト IC は、非常に高感度のアンプを内蔵しており、発振防止用として、ピン 8（V
）とピン 5（GND）
CC
の間に高周波特性の良いバイパスコンデンサ 0.1μF をピンより 1ｃｍ以内の場所に取り付けてください。
ない場合には、スピードやＯＮ／ＯＦＦの正常な動作をしない場合があります。
推奨動作条件
項目 記号 最小 標準 最大 単位
入力オン電流 （注７） I
入力オフ電圧 V
電源電圧 VCC 10
出力ピーク電流 I
動作温度 T
7.5
F(ON)
0
F(OFF)
OPH/IOPL
-40
opr
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
10 mA
0.8 V
30 V
±0.2 A
100 ℃
注: 推奨動作条件は、期待される性能を得るための設計指標です。また、各項目はそれぞれ独立した指標となってお
りますので、設計の際は電気的特性などで規定された値も合わせてご確認願います。
注 7: 入力オン電流の立ち上がり、立ち下がりは 0.5μｓ以下で駆動させてください。
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2010-06-17
電気的特性 (特に指定がない場合 Ta =-40～100°C)
TLP351
項目 記号
入力順電圧 VF
入力順電圧温度係数 ∆VF/∆Ta
入力逆電流 IR
入力端子間容量 CT
I
“H”レベル
出力電流
(注 8)
“L”レベル
“H”レベル VOH
出力電圧
“L”レベル VOL
“H”レベル I
供給電流
“L”レベル I
OPH1
I
OPH2
I
OPL1
I
OPL2
CCH
CCL
測定
回路
IF = 5 mA , Ta = 25℃ ⎯ 1.55 1.70 V
⎯
IF = 5 mA ⎯ -2.0 ⎯ mV/℃
⎯
VR = 5V , Ta = 25℃ ⎯ ⎯ 10 μA
⎯
V = 0 , f = 1 MHz ,Ta = 25℃ ⎯ 45 ⎯ pF
⎯
V
VCC= 15V
図１
IF = 5mA
VCC = 15V
図２
IF = 0mA
図３
VCC=10V
図４
図５
VCC = 10～30V
Vo Open
図６
測定条件 最小 標準* 最大 単位
=4V
V
8-6
V
=10V ⎯ -0.67 -0.4
8-6
=2V 0.2 0.35 ⎯
6-5
=10V 0.4 0.63 ⎯
V
6-5
IO=-100mA,
IF=5mA
IO=100mA,
VF=0.8V
IF = 10mA
IF = 0mA
⎯ -0.4
6.0 8.5 ⎯
⎯ 0.4 1.0
⎯ 1.4
⎯ 1.3
-0.2
A
V
2.0
mA
2.0
スレッショルド入力電流 L→H I
スレッショルド入力電圧 H→L V
動作電源電圧 VCC
FLH
FHL
VCC = 15V , VO > 1V ⎯ 2.5 5 mA
⎯
VCC = 15V , VO < 1V 0.8
⎯
⎯
⎯ 10 ⎯ 30 V
⎯ ⎯
（*）：標準値はすべて Ta = 25℃の値です。
注 8:Io 印加時間≦50μs、１パルス
注 9:本製品は低消費電力化設計のため、従来の製品群よりＥＳＤに対して敏感です。
実装、応用回路上の取り扱いにおいて耐ＥＳＤの一般的な注意がより必要です。
絶縁特性
入出力間浮遊容量 CS VS = 0, f = 1MHz (注 5) ― 1.0 ― pF
絶縁抵抗 RS R.H.≦60%,VS = 500V (注 5) 1×1012 1014 ― Ω
絶縁耐圧 BVS
(Ta = 25℃)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
AC、1 分 3750 ― ―
AC、1 秒、オイル中 ― 10000 ―
DC、1 分、オイル中 ― 10000 ― Vdc
Vrms
V
3
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スイッチング特性(特に指定がない場合 Ta = - 40～100°C)
O
TLP351
項目 記号
伝達遅延時間
立ち上がり時間(10-90%) tr IF = 0→5mA
立ち下がり時間(90-10%) tf
オンオフ間伝達遅延時間バラツキ
ハイレベル瞬時
コモンモード除去電圧
ローレベル瞬時
コモンモード除去電圧
L→H t
H→L t
pLH
pHL
PDD
|t
pHL-tpLH
CMH
CML
測定
回路
I
I
|
VCC = 30V
Rg = 47Ω
図７
Cg = 3nF
VCC =30V ,Rg = 47Ω,Cg = 3nF
VCM=1000Vp-p
図８
Ta = 25℃
VCC =30V
測定条件 最小 標準* 最大 単位
= 0→5mA 100 ⎯ 700
F
= 5→0mA 100 ⎯ 700
F
IF = 5→0mA
IF = 5mA
V
IF = 0mA
V
O(MIN)
O(MAX)
= 26V
=1V
*標準値は全て Ta=25℃の値
図 1 I
測定回路図 図 2 I
OPH
OPL
測定回路図
IF
8
V8-6
A
I
OPH
VCC
1
4 5
45
図 3 VOH測定回路図 図 4 VOL測定回路図
1
8
V
H
1
IF
V
V
VF
4 5
4
図 5 I
測定回路図 図 6 I
CCH
I
CCH
1
8
A
CCL
1
測定回路図
⎯ 50 ⎯
⎯ 50 ⎯
8
I
OPL
A
⎯ 500
⎯ ⎯
⎯ ⎯
V6-5
-500
-10000
10000
8
V
OL
V
5
I
CCL
8
A
ns
V/μs
VCC
Vcc
I
F
4
5
V
CC
4
5
4
V
CC
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図７ tpLH,tpHL,tr,tf,PDD 測定回路図
(
)
(
)
r
p
f
p
1
IF
8
4
5
C
M
図８
CM
、
H
測定回路
L
0.1 μF
Vo
Cg =3 nF
Rg = 47 Ω
TLP351
I
CC
F
V
O
V
t
r
t
LH
t
t
HL
VOH
90%
50%
10
V
%
OL
CM
8
VCM
IF=5mA
IF=0mA
90%
tr
1V
0.1 μF
V
O
V
CC
5
10%
SW : A
VO
SW : B
1000V
tf
CMH
26V
CML
A B
SW
IF
1
4
V
−
+
CM
=
L
)(800
V
)(
s
μ
t
CM
=
H
)(800
V
)(
s
μ
t
f
CM
(CML)はローレベル（ハイレベル）出力電圧を維持できる、コモンモード電圧波形の
H
最大立ち上がり（立ち下がり）を（電圧/時間）で表したものです。
5
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100
Ta = 25 °C
50
30
10
5
(mA)
3
F
1
0.5
0.3
0.1
入力順電流 I
0.05
0.03
0.01
1.0
1.2
IF ─ VF
1.4
入力順電圧 VF(V)
1.6
1.8 2.0
IF -Ta
40
30
(mA)
F
20
－2.6
－2.4
－2.2
⊿ Ta (mV/ °C)
F/
－2.0
－1.8
－1.6
－1.4
入力順電圧温度係数 ⊿ V
5
4
(mA)
FLH
3
2
0.1 0.3
VCC = 15V
> 1V
V
O
⊿VF/⊿ Ta- IF
0.5
入力順電流 IF (mA)
I
FLH
TLP351
1
-Ta
3 5
10
30
10
入力順電流 I
0
-40 -20 0 20 40 60 80 100 120
1
VF = 0.8V
Io= 100mA , VCC=10V
0.8
[V]
OL
0.6
0.4
0.2
ローレベル出力電圧 V
0
-40-20 0 20406080100
※特性グラフは全て標準値
周囲温度 Ta ( °C)
VOL -Ta
周囲温度 Ta ( °C)
1
スレッショルド入力電流 I
0
-40-20 0 20406080100
30
25
[V]
OH
20
15
10
ハイレベル出力電圧 V
5
0
-40 -20 0 20 40 60 80 100
周囲温度 Ta ( °C )
VOH -Ta
IF = 5mA
Io= -100mA , VCC=10V
周囲温度 Ta ( °C)
6
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TLP351
I
-Ta
CCL
10
VCC=30V
8
(mA)
CCL
6
10
(mA)
CCH
8
6
IF=5mA
VCC=30V
I
CCH
-Ta
4
2
ローレベル供給電流 I
0
-40-20 0 20406080100
周囲温度 Ta ( ° C )
I
-Ta
OPL
1
(A)
OPL
IF=0mA,VCC=15V
0.8
(Note:9)
V
6-5
0.6
V
0.4
6-5
0.2
ローレベル出力ピーク電流 I
0
-40-20 0 20406080100
周囲温度 Ta ( ° C )
I
6.0
IF=0mA, VCC=15V
5.0
(V)
OL
OPL-VOL
Ta=-100℃
4.0
=10.0V
=2.0V
4
2
ハイレベル供給電流 I
0
-40-20 0 20406080100
0
(A)
-0.2
OPH
-0.4
-0.6
-0.8
ハイレベル出力ピーク電流 I
-1
-40-20 0 20406080100
(V)
OH
6.0
IF=5mA, VCC=15V,
5.0
4.0
周囲温度 Ta ( °C)
IF=5mA,VCC=15V
(Note:9)
周囲温度 Ta ( ° C )
I
OPH-VOH
Ta =2 5 ℃
I
OPH
Ta=-100℃
-Ta
V
=4.0V
8-6
V
=10V
8-6
3.0
2.0
1.0
ローレベル出力ピーク電圧 V
0.0
Ta =- 4 0℃
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
ローレベル出力ピーク電流 I
※特性グラフは全て標準値
Ta =2 5 ℃
OPL
(A)
ハイレベル出力ピーク電圧 V
7
3.0
2.0
1.0
Ta =- 4 0℃
ハイレベル出力ピーク電流 I
(A)
OPH
2010-06-17
-0.6-0.5-0.4-0.3-0.2-0.10.0
TLP351
tpHL,tpLH-Ta
500
IF=5mA,VCC=30V,
Rg=47Ω,Cg=3nF
400
(ns)
pHL
300
t
pLH,
tpLH
200
tpHL
100
伝達遅延時間 t
0
-40 -20 0 20 40 60 80 100
入力順電流 IF (mA)
※特性グラフは全て標準値
8
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TLP351
製品取り扱い上のお願い
• 本資料に掲載されているハードウェア、ソフトウェアおよびシステム（以下、本製品という）に関する情
報等、本資料の掲載内容は、技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。
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得て本資料を転載複製する場合でも、記載内容に一切変更を加えたり、削除したりしないでください。
• 当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体製品は一般に誤作動または故障する場合があります。
本製品をご使用頂く場合は、本製品の誤作動や故障により生命・身体・財産が侵害されることのないよう
に、お客様の責任において、お客様のハードウェア・ソフトウェア・システムに必要な安全設計を行うこ
とをお願いします。なお、設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報（本資料、仕様書、デー
タシート、アプリケーションノート、半導体信頼性ハンドブックなど）および本製品が使用される機器の
取扱説明書、操作説明書などをご確認の上、これに従ってください。また、上記資料などに記載の製品デー
タ、図、表などに示す技術的な内容、プログラム、アルゴリズムその他応用回路例などの情報を使用する
場合は、お客様の製品単独およびシステム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断し
てください。
• 本製品は、一般的電子機器（コンピュータ、パーソナル機器、事務機器、計測機器、産業用ロボット、家
電機器など）または本資料に個別に記載されている用途に使用されることが意図されています。本製品は、
特別に高い品質・信頼性が要求され、またはその故障や誤作動が生命・身体に危害を及ぼす恐れ、膨大な
財産損害を引き起こす恐れ、もしくは社会に深刻な影響を及ぼす恐れのある機器（以下“特定用途”とい
う）に使用されることは意図されていませんし、保証もされていません。特定用途には原子力関連機器、
航空・宇宙機器、医療機器、車載・輸送機器、列車・船舶機器、交通信号機器、燃焼・爆発制御機器、各
種安全関連機器、昇降機器、電力機器、金融関連機器などが含まれます。本資料に個別に記載されている
場合を除き、本製品を特定用途に使用しないでください。
• 本製品を分解、解析、リバースエンジニアリング、改造、改変、翻案、複製等しないでください。
• 本製品を、国内外の法令、規則及び命令により、製造、使用、販売を禁止されている製品に使用すること
はできません。
• 本資料に掲載してある技術情報は、製品の代表的動作・応用を説明するためのもので、その使用に際して
当社及び第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。
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に関して、明示的にも黙示的にも一切の保証（機能動作の保証、商品性の保証、特定目的への合致の保証、
情報の正確性の保証、第三者の権利の非侵害保証を含むがこれに限らない。）をしておりません。
• 本製品には GaAs（ガリウム砒素）が使われています。その粉末や蒸気等は人体に対し有害ですので、破
壊、切断、粉砕や化学的な分解はしないでください。
• 本製品、または本資料に掲載されている技術情報を、大量破壊兵器の開発等の目的、軍事利用の目的、あ
るいはその他軍事用途の目的で使用しないでください。また、輸出に際しては、「外国為替及び外国貿易法」、
「米国輸出管理規則」等、適用ある輸出関連法令を遵守し、それらの定めるところにより必要な手続を行っ
てください。
• 本製品の RoHS 適合性など、詳細につきましては製品個別に必ず弊社営業窓口までお問合せください。本
製品のご使用に際しては、特定の物質の含有･使用を規制する RoHS 指令等、適用ある環境関連法令を十分
調査の上、かかる法令に適合するようご使用ください。お客様がかかる法令を遵守しないことにより生じ
た損害に関して、当社は一切の責任を負いかねます。
9
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