TOSHIBA TLP2418 Technical data
東芝フォトカプラ GaAℓAs赤外LED +フォトIC
TLP2418
○ PDP(プラズマディスプレイパネル)
○ FA（ファクトリーオートメーション）
8 6
○ 計測器、制御機器などのインタフェース
○ 動作温度 125℃保証
TLP2418
単位: mm
5
7
TLP2418 は GaAℓAs 赤外発光ダイオードと、高利得・高速の集積回路受光
チップを組み合わせた SO8 のフォトカプラです。
出力はオープンコレクタタイプです。また、受光 IC チップにはシールドを
施し、高い瞬時コモンモード除去を与えており、入出力間における耐ノイズ
2
1
5.1 ± 0.2
3 4
性に優れています。
z インバータロジック出力タイプ（オープンコレクタ出力）
z パッケージ : SO8
1.27 ± 0.15
0.38
z 動作温度範囲 : -40～125 ℃
z 動作電源電圧 : 4.5～5.5 V
z 入力しきい値電流 : I
z 伝達遅延時間(t
pHL/tpLH
z 瞬時コモンモード除去電圧
) : 75 ns(最大)
: ±15 kV/μs (最小)
= 5 mA （最大）
FHL
z 絶縁耐圧 : 3750 Vrms (最小)
JEDEC ―
JEITA ―
東芝 11- 5K 1
質量: 0.11g (標準)
z UL 申請中 : UL1577 ファイル No.E67349
z c-UL 申請中 : CSA Component Acceptance Service No. 5A ファイル No.E67349
z オプション(V4) VDE 申請中 : EN60747-5-2
真理値表
入力
H
L
内部回路図
IF
2＋
3－
LED
出力
ON L
OFF H
ICC
IO
VCC
8
VO
6
ピン接続図
1
2
3
4
SHIELD
VCC
GND
3.95 ± 0.25
2.5 ± 0.2
0.305 min
0.1 ± 0.1
8
1:N.C
2:アノード
7
6
5
3:カソード
4:N.C
5:GND
6:VO(出力)
7:N.C
8:VCC
6.0 ± 0.2
11- 5K 1
SHIELD
GND
5
2009-12-26 1
絶対最大定格(Ta=25℃)
項 目 記 号 定 格 単 位
直流順電流IF 25 mA
直流順電流低減率 (Ta≧110 ℃) ⊿IF/℃ -0.67 mA/℃
発光側
直流パルス順電流 (注 1) I
直流パルス順電流低減率 (Ta≧110 ℃) ⊿I
直流逆電圧VR 5 V
出力電流
受光側
出力電圧VO 6 V
電源電圧VCC 6 V
出力許容損失 PO 80 mW
出力許容損失低減率 (Ta≧110 ℃) ⊿PO／℃ -2.0 mW/℃
動作温度T
保存温度T
半田付け温度(10s) T
絶縁耐圧 (AC,1min.,R.H.≦ 60%,Ta=25℃ )(注 2) BVs 3750 V
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても、高負荷
(高温および大電流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく
低下するおそれがあります。弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよび
ディレーティングの考え方と方法) および個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等)
をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
注 1 : パルス幅 ≦1ms, duty=50%.
注 2 : ピン 1、2、3、4 と ピン 5、6、7、8 をそれぞれ一括し、電圧を印加する。
(Ta≦125℃)
50 mA
FPT
/℃ -1.34 mA/℃
FPT
IO 25 mA
-40～125 ℃
opr
-55～150 ℃
stg
260 ℃
sol
rms
TLP2418
推奨動作条件
項 目 記 号 最 小 標 準 最 大 単 位
入力ハイレベル電流 IFH 7.5 ― 15 mA
入力ローレベル電圧 VFL 0 ― 0.8 V
電源電圧* VCC 4.5 ― 5.5 V
動作温度 T
*この項目は推奨動作条件ではなく､動作範囲を意味しております。
注: 推奨動作条件は、期待される性能を得るための設計指標です。また、各項目はそれぞれ独立した指標となっておりますので、
設計の際は電気的特性などで規定された値も合わせてご確認願います。
-40 ― 125 ℃
opr
2
2010-01-19
TLP2418
電気的特性(特に指定がない場合, Ta=-40～125℃､V
項 目 記 号
入力順電圧 VF ― IF = 10 mA , Ta = 25 ℃ 1.40 1.57 1.80 V
入力順電圧温度係数
入力逆電流 IR ― VR = 5 V , Ta = 25 ℃ ― ― 10 μA
入力端子間容量 CT ― V = 0 , f = 1 MHz , Ta = 25 ℃ ― 60 ― pF
ハイレベル出力電流 IOH 図 1
ローレベル出力電圧 VOL 図 2
ローレベル供給電流 I
ハイレベル供給電流 I
出力”H”→出力”L”入力電流 I
*標準値は Ta = 25℃,V
CC
⊿VF/⊿
Ta
CCL
CCH
FHL
= 5V の値です
測
定
回
路
― IF = 10 mA ― -1.8 ― mV/℃
VF = 0.8 V ,VO = 5.5 V ― ― 250
IF = 10mA, I
図 3IF = 10 mA
図 4IF = 0 mA
― IO = 13 mA (吸い込み), VO < 0.6 V
=4.5～5.5V)
CC
測 定 条 件
Ta = 25 ℃
= 13 mA (吸い込み)
OL
最 小 標 準 最 大 単 位
μA
― 0.5 10
― 0.2 0.6 V
― 1.5
― 1.5
― 1.0
5 mA
5 mA
5.0 mA
絶縁特性
(Ta = 25℃)
項 目 記 号 測 定 条 件 最 小 標 準 最 大 単 位
入出力間浮遊容量 CS VS = 0, f = 1MHz (注 2) ― 0.8 ― pF
絶縁抵抗 RS R.H.≦60%,VS = 500 V (注 2) 1×1012 1014 ― Ω
絶縁耐圧 BVS
AC、1 分 3750 ― ―
AC、1 秒、オイル中 ― 10000 ―
DC、1 分、オイル中 ― 10000 ― V
V
rms
dc
3
2010-01-19
TLP2418
A
↑
A
スイッチング特性(特に指定のない場合, Ta=-40～125℃､V
項 目 記 号
伝達遅延時間
( H → L )
伝達遅延時間
( L → H )
伝達遅延時間バラツキ
伝達遅延スキュー( 注 5)
立下り時間（90－ 10%）
立上り時間（10－ 90%） tr
ハイレベル瞬時
コモンモード除去電圧
ローレベル瞬時
コモンモード除去電圧
t
pHL
t
pLH
|t
pHL
t
pLH
t
CMH
CML
測定
回路
I
I
-
|
psk
tf
F
F
図 5
IF = 0⇔7.5 mA
IF = 0→7.5 mA , ― 30 ― ns
IF = 7.5→0 mA ,
V
V
図 6
V
V
測定条件 最小 標準 最大 単位
= 0→7.5 mA
= 7.5→0 mA
= 1000 V
CM
= 5 V , Ta = 25 ℃
CC
= 1000 V
CM
= 5 V , Ta = 25 ℃
CC
p-p
p-p
=4.5～5.5V)
CC
RL = 350 Ω
CL = 15 pF
(注 4)
RL = 350 Ω
CL = 15 pF
(注 4)
RL = 350 Ω
CL = 15 pF
(注 4)
, IF = 0 mA,
, IF = 10 mA,
― 30 75 ns
― 35 75 ns
― ― 35 ns
― 50 ns
-50
― 30 ― ns
15
-15
― ― kV/μs
― ― kV/μs
*標準値は全て Ta= 2 5 ℃の値
注 3: 出力フォト IC は、非常に高感度のアンプを内蔵しており、発振防止用として、
ピン8(VCC)とピン 5(GND)の間に高周波特性の良いバイパスコンデンサ 0.1μF
をピンより 1cm 以内の場所に取り付けてください。
ない場合には、スピードや ON/OFF の正常な動作をしない場合があります。
注 4: 周波数 f=5MHz , duty=50%, tr=tf=5ns 以下, CL はプローブとワイヤの浮遊容量（～15pF）
注 5: 伝達遅延スキューは、複数製品間の伝達遅延時間(tpHL または tpLH)の最小値と最大値の差として定義されます。同一動作条
件下(電源電圧・入力電流・温度条件等)で適用されます。
図1 IOH測定回路 図 2 VOL測定回路
VF
SHIELD
0.1μF
VO
A
IOH
VCC
I
F
SHIELD
図3 I
測定回路 図 4 I
CCL
CCH
測定回路
I
CCL
IF
0.1 μF
V
CC
SHIELD
SHIELD
0.1μF
V
VOL
I
CCH
0.1 μF
VCC
I
O
V
CC
4
2010-01-19
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