東芝フォトカプラ GaAℓAs赤外LED +フォトIC
)
I
TLP108
○ 絶縁したバスドライバ
○ 高速ラインレシーバ
○ マイクロプロセッサシステムのインターフェース
TLP108 は GaAℓAs 赤外発光ダイオードと、高利得・高速の受光 IC チップ
を組み合わせたミニフラット・パッケージのフォトカプラです。
出力部はトーテムポール回路なので、吸い込み(シンク)、はき出し(ソース)
の両方向ドライブが出来ます。
また受光 IC チップにはシールドを施し、高い瞬時コモンモード除去を与えて
おり、入出力間の耐ノイズ性に優れています。
TLP108 はインバータロジックタイプです。バッファロジックタイプが必
要な場合には TLP105 があります。
z インバータロジック出力タイプ(トーテムポール出力)
TLP108
単位: mm
z 動作温度範囲 : -40 ～ 100℃
z 電源電圧 : 4.5 ～ 20V
z 出力 H→出力 L 入力電流 : I
z 伝達遅延時間(t
z 瞬時コモンモード除去電圧
z 絶縁耐圧 : 3750 Vrms
pLH/tpHL
) : 250 ns(最大)
: ±10 kV/μs
= 1.6mA(最大)
FHL
真理値表
入力
LED Tr1 Tr2
H
ON OFF ON L
OFF ON OFF H
L
出力
ピン接続図
質量: 0.09 g (標準)
1
3
SHIELD
内部回路図
IF
1＋
VF
3－
JEDEC ―
JEITA ―
東芝 11−4C2
VCC
6
1:アノード
3:カソード
4:GND
5
5:VO(Output
GND
4
6:V
Tr1
Tr2
CC
CC
V
CC
6
I
O
V
O
5
GND
SHIELD
6 ピンと 4 ピンの間に、バイパス用コンデンサ
0.1μF をつける必要があります。
4
2008-08-27 1
TLP108
推奨動作条件
項 目 記号 最小 標準 最大 単位
入力オン電流 I
入力オフ電圧 V
電源電圧 * VCC 4.5 － 20 V
動作温度 T
ファンアウト(TTL 負荷) N － － 4 －
*この項目は推奨動作条件ではなく、動作範囲を意味しております。
注: 推奨動作条件は、期待される性能を得るための設計指標です。また、各項目はそれぞれ独立した指標となってお
りますので、設計の際は電気的特性などで規定された値も合わせてご確認願います。
絶対最大定格(Ta=25℃)
項 目 記 号 定 格 単位
発光側
直流順電流IF 20 mA
直流パルス順電流 (注 1) I
直流逆電圧VR 5 V
出力電流 1 (Ta≦25℃) IO1 25/-15 mA
受光側
出力電流 2 (Ta≦100℃)IO2 5/-5 mA
ピーク出力電流 (注 2) IOP 50/-50 mA
出力電圧VO -0.5～20 V
電源電圧VCC -0.5～20 V
動作温度T
保存温度T
半田付け温度 (10s) T
絶縁耐圧 (AC,1min.,R.H.≦60%,Ta=25℃) (注 3) BVs 3750 V
2 － 10 mA
F(ON)
F(OFF)
-40 － 100 ℃
opr
0 － 0.8 V
1 A
FPT
-40～100 ℃
opr
-55～125 ℃
stg
260 ℃
sol
rms
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても、高負荷 (高温および大電
流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) および
個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
注 1: パルス幅≦1μs, 300pps.
注 2: パルス幅≦5μs、デューティ比≦0.025
注 3: ピン 1、3 と ピン 4、5、6 をそれぞれ一括し、電圧を印加する。
2008-08-27 2
TLP108
電気的特性(特に指定がない場合, Ta=-4 0 ～100℃､V
項 目 記 号
入力順電圧 VF
入力順電圧温度係数 ΔVF/ΔTa
入力逆電流 IR
入力端子間容量 CT
ローレベル出力電圧 VOL 図 1IOL=3.5mA, IF=5mA － 0.2 0.6 V
ハイレベル出力電圧 VOH 図 2
ローレベル供給電流 I
ハイレベル供給電流 I
ローレベルショート回路
出力電流
ハイレベルショート回路
出力電流
出力”H”→出力”L”入力電流 I
(注 4) I
(注 4) I
CCL
CCH
OSL
OSH
FHL
測定
回路
－
IF=10mA,Ta=25℃ 1.45 1.57 1.75 V
－
IF=10mA － -2.0 － mV/℃
－
VR=5V,Ta=25℃ － － 10 μA
－
V=0,f=1MHz,Ta=25℃ － 100 － pF
IOH=-2.6mA,
VF=0.8V
図 3IF=5mA
図 4VF=0V
図 5
図 6VF=0V
IF=5mA
VO=GND
－
IO=3.5mA , VO<0.4V - 0.4 1.6 mA
=4.5～20V)
CC
測定条件 最小 標準 最大 単位
VCC=4.5V
VCC=20V
VCC=20V
VCC=5.5V
VCC=20V
VCC=5.5V
VCC=VO=5.5V
VCC=VO=20V
VCC=5.5V
VCC=20V
2.7
4.0
17.4
－ － 3.0
－ － 3.0
－ － 3.0
－ － 3.0
15 80 －
20 90 －
-5 -15 －
-10 -20 －
19.0
－
－
V
mA
mA
mA
mA
出力”L”→出力”H”入力電圧 V
入力電流ヒステリシス I
FLH
HYS
－
IO=-2.6mA , VO>2.4V 0.8 － － V
－
VCC=5V － 0.05 － mA
*標準値は全て Ta = 2 5 ℃の値
注 4: 出力ショート回路は、10 ms 以上にしないでください。
絶縁特性
入出力間浮遊容量 CS VS = 0, f = 1MHz (注 3) ― 0.8 ― pF
絶縁抵抗 RS R.H.≦60%,VS = 500V (注 3) 1×1012 1014 ― Ω
絶縁耐圧 BVS
(Ta = 25℃)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
AC、1 分 3750 ― ―
AC、1 秒、オイル中 ― 10000 ―
DC、1 分、オイル中 ― 10000 ― V
V
注5: 出力フォト IC は、非常に高感度のアンプを内蔵しており、発振防止用として、
ピン 6(V
)とピン 4(GND)の間に高周波特性の良いバイパスコンデンサ 0.1μF
CC
をピンより 1cm 以内の場所に取り付けてください。
ない場合には、スピードや ON/OFF の正常な動作をしない場合があります。
rms
dc
2008-08-27 3
TLP108
μ
スイッチング特性(特に指定のない場合, Ta=-40～100℃､V
項 目 記 号
伝達遅延時間
( L → H )
伝達遅延時間
( H → L )
伝達遅延時間バラツキ
立上り時間(10－ 90%) tr I
立下り時間(90－ 10%) tf
ハイレベル瞬時
コモンモード除去電圧
ローレベル瞬時
コモンモード除去電圧
t
pLH
t
pHL
|t
pHL
t
pLH
CMH
CML
*標準値は全て Ta = 2 5 ℃の値
図１ : V
I
F
→
↑
OL 測定回路
1
3
SHIELD
図２ : V
6
V
CC
5
4
GND
図３ : I
CCL 測定回路
図４: I
I
F
1 6
→
↑
3
SHIELD
V
CC
GND
5
4
図５ : I
OSL 測定回路
図６: I
測定
回路
I
I
図 7, 8
-
|
図 9
0.1μF
V
OL
V
I
CCL
A
0.1μF
=3→0mA 30 150 250 ns
F
=0→3mA 30 150 250 ns
F
=3→0mA , VCC=5V － 30 75 ns
F
IF=0→3mA , VCC=5V － 30 75 ns
VCM=1000V
VCC=20V , Ta=25℃
VCM=1000V
VCC=20V , Ta=25℃
V
OL
V
CC
CC
I
↑
測定条件 最小 標準 最大 単位
－ － － 220 ns
, IF=0mA,
p-p
, IF=5mA,
p-p
1
3
1
=4.5～20V)
CC
OH 測定回路
SHIELD
CCH 測定回路
3
SHIELD
OSH 測定回路
-10000 － － V/μs
10000 － － V/μs
6
V
CC
GND
V
I
↑
OH
V
CC
OH
V
5
0.1
F
4
I
CCH
6
V
CC
GND
A
5
0.1μF
4
V
CC
I
↑
→
1
F
3
SHIELD
V
CC
GND
6
0.1μF
5
A
I
OSL
4
VO
V
CC
1
3
SHIELD
V
CC
GND
6
0.1μF
5
4
A
I
OSH
VO
V
CC
2008-08-27 4
図 7 伝達遅延時間測定回路、波形
f
r
IF=3mA (P.G)
(f=50kHz , duty=50%,
tr=tf=5ns 以下)
I
F
1
3
SHIELD
VCC
6
VCC
GND
C
(P.G):パルス・ジェネレータ
0.1μF
5
4
:プローブとワイヤの浮遊容量（～15ｐF）
L
図 8 伝達遅延時間測定回路、波形
I
F=3mA (P.G)
(f=50kHz , duty=50%,
tr=tf=5ns 以下)
IF
1
3
SHIELD
6
VCC
5
4
GND
CL:プローブとワイヤの浮遊容量（～15ｐF）
(P.G):パルス・ジェネレータ
VO
0.1μF
TLP108
5V
IF
620Ω
V
OH
5kΩ
C
L
1.3V
V
OL
t
pHL
tf tr
t
pLH
IF
VO
V
CC
VO
VOH
V
OL
1.3V
C
L
pHL
tf tr
t
pLH
50%
90%
10%
50%
t
90%
10%
図 9 コモンモードノイズ除去電圧測定回路、波形
SW
IF
→
A
B
1
3
SHIELD
V
CM
V
CC
GND
6
0.1μF
5
4
V
O
VCC
VCM
V
O
SW B : IF = 0mA
・
・SW A : I
= 5mA
F
CM
10%
H
90%
t
r
17 V
)(800
V
=
s
μ
t
f
CM
)(
1000 Ｖ
t
CM
H
１V
=
L
t
CM
L
)(800
V
)(
s
μ
2008-08-27 5
TLP108
製品取り扱い上のお願い
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タシート、アプリケーションノート、半導体信頼性ハンドブックなど）および本製品が使用される機器の
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タ、図、表などに示す技術的な内容、プログラム、アルゴリズムその他応用回路例などの情報を使用する
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当社は、適用可否に対する責任は負いません。
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電機器など）または本資料に個別に記載されている用途に使用されることが意図されています。本製品は、
特別に高い品質・信頼性が要求され、またはその故障や誤作動が生命・身体に危害を及ぼす恐れ、膨大な
財産損害を引き起こす恐れ、もしくは社会に深刻な影響を及ぼす恐れのある機器（以下“特定用途”とい
う）に使用されることは意図されていませんし、保証もされていません。特定用途には原子力関連機器、
航空・宇宙機器、医療機器、車載・輸送機器、列車・船舶機器、交通信号機器、燃焼・爆発制御機器、各
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るいはその他軍事用途の目的で使用しないでください。また、輸出に際しては、「外国為替及び外国貿易法」、
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てください。
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製品のご使用に際しては、特定の物質の含有･使用を規制する RoHS 指令等、適用ある環境関連法令を十分
調査の上、かかる法令に適合するようご使用ください。お客様がかかる法令を遵守しないことにより生じ
た損害に関して、当社は一切の責任を負いかねます。
2008-08-27 6
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