TOSHIBA TC74LVX373F, TC74LVX373FT Technical data
東芝CMOSデジタル集積回路 シリコン モノリシック
TC74LVX373F,TC74LVX373FT
Octal D-Type Latch with 3-State Output
TC74LVX373F､TC74LVX373FT は､シリコンゲート CMOS 技術
を用いた高速･低電圧駆動の 8 ビットラッチです。CMOS の特長であ
る低い消費電力と高速動作が､3 V システムにおいて可能となります。
また新規に採用した Q&Q バッファにより､スイッチング時に発生
する各種ノイズも大幅に低減しました。
本 IC は､共通のラッチイネーブル信号 (LE) と､出力イネーブル信
OE
号 (
構成されます。
高インピーダンス状態にできるため､バスラインへのインタフェー
スが容易です。
向になる) のダイオードが入らない､新開発の入力保護回路を採用し
ました。これにより､電源電圧が加わらない状態で入力に 5 V の電圧
が与えられるケースも許容されます。この入力パワーダウンプロテ
クション方式により､2 電源間インタフェース､5 V から 3 V 系へのレ
ベル変換､バッテリーバックアップ回路などへの幅広い応用が可能
となります。
) によりコントロールされる独立な 8 ビットのラッチにより
OE
信号を “H” レベルにすることにより出力 (Q) を
すべての入力端子には､プラス側 (入力から V
に向かって順方
CC
特 長
TC74LVX373F
TC74LVX373FT
TC74LVX373F/FT
• 高速動作 : tpd = 5.8 ns (標準) (VCC = 3.3 V)
• 低消費電流 : I
• 入力レベル : V
: V
• 全入力とも､パワーダウンプロテクション機能あり
• バランスのとれた遅延時間 : t
• 低ノイズ特性 : V
• 74HC373 と同一ピン接続､同一ファンクション
= 4 μA (最大) (Ta = 25°C)
CC
= 0.8 V (最大) (VCC = 3 V)
IL
= 2.0 V (最小) (VCC = 3 V)
IH
∼
t
−
pLH
pHL
= 0.8 V (最大)
OLP
質量
SOP20-P-300-1.27A : 0.22 g (標準)
TSSOP20-P-0044-0.65A : 0.08 g (標準)
1
2007-10-17
TC74LVX373F/FT
ピン接続図
OE 1
Q0
D0
D1
Q1
Q2
D2
D3
Q3
GND
真理値表
OE LE D
H X X Z
L L X Qn
L H L L
L H H H
(top view)
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Inputs
論理図
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
Q7
D7
D6
Q6
Q5
D5
D4
Q4
LE
CC
Outputs
OE
LE
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
(1)
(11)
(3)
(4)
(7)
(8)
(13)
(14)
(17)
(18)
EN
C1
(2)
1D
(5)
(6)
(9)
(12)
(15)
(16)
(19)
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
X : Don’t care
Z : High impedance
Qn : LE が “L” になる前の Q 出力のレベル
システム図
D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7
4
D
Q
2
Q0
Q
L
LE
OE
11
1
D0
3
D
L
5
Q1
7
D
8
D
Q
L
6
Q2
13
D
Q
L
9
Q3
14
D
Q
L
12
Q4
17
D
Q
L
15
Q5
18
D
Q
L
16
Q6
Q
L
19
Q7
2
2007-10-17
TC74LVX373F/FT
絶対最大定格
項目 記号 定格 単位
電源電圧 V
入力電圧 V
出力電圧 V
入力保護ダイオード電流 I
出力寄生ダイオード電流 I
出力電流 I
電源/GND 電流 I
許容損失 P
保存温度 T
(注)
CC
IN
OUT
IK
OK
OUT
CC
D
stg
−0.5~7.0 V
−0.5~7.0 V
−0.5~V
+ 0.5 V
CC
−20 mA
±20 mA
±25 mA
±75 mA
180 mW
−65~150 °C
注: 絶対最大定格は､瞬時たりとも超えてはならない値であり､1 つの項目も超えてはなりません。
本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格/動作範囲以内での使用においても､高負荷 (高温お
よび大電流/高電圧印加､多大な温度変化等) で連続して使用される場合は､信頼性が著しく低下するおそれがあ
ります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート､推定故障率等) をご確認の上､適切な信頼性設計をお願いします。
動作範囲
電源電圧 V
入力電圧 V
出力電圧 V
動作温度 T
入力上昇､下降時間 dt/dv 0~100 ns/V
(注)
項目 記号 定格 単位
CC
IN
OUT
opr
2.0~3.6 V
0~5.5 V
0~V
CC
−40~85 °C
V
注: 動作範囲は動作を保証するための条件です。
使用していない入力は VCC､もしくは GND に接続してください。
電気的特性
特性
DC
入力電圧
出力電圧
スリーステート
オフリーク電流
入力電流 I
静的消費電流 I
項目 記号 測定条件
“H”レベル VIH ⎯
“L”
レベル V
“H”レベル V
“L”レベル VOL
⎯
IL
VIN = VIH
OH
or V
IL
V
= VIH
IN
or V
IL
VIN = VIH or VIL
I
OZ
V
OUT
VIN = 5.5 V or GND 3.6 ⎯ ⎯ ±0.1 ⎯ ±1.0 μA
IN
VIN = VCC or GND 3.6 ⎯ ⎯ 4.0 ⎯ 40.0 μA
CC
Ta = 25°C Ta = −40~85°C
(V) 最小 標準 最大 最小 最大
V
CC
2.0 1.5 ⎯ ⎯ 1.5 ⎯
3.0 2.0 ⎯ ⎯ 2.0 ⎯
3.6 2.4
2.0 ⎯ ⎯ 0.5 ⎯ 0.5
3.0 ⎯ ⎯ 0.8 ⎯ 0.8
3.6
IOH = −50 μA 2.0 1.9 2.0 ⎯ 1.9 ⎯
IOH = −50 μA 3.0 2.9 3.0 ⎯ 2.9 ⎯
= −4 mA 3.0 2.58 ⎯ ⎯ 2.48 ⎯
I
OH
IOL = 50 μA 2.0 ⎯ 0 0.1 ⎯ 0.1
IOL = 50 μA 3.0 ⎯ 0 0.1 ⎯ 0.1
= 4 mA 3.0 ⎯ ⎯ 0.36 ⎯ 0.44
I
OL
= VCC or GND
3.6
⎯ ⎯ 0.8 ⎯ 0.8
⎯ ⎯ ±0.25 ⎯ ±2.5 μA
⎯ ⎯ 2.4 ⎯
単位
V
V
3
2007-10-17
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