TOSHIBA TC74HCU04AP, TC74HCU04AF, TC74HCU04AFT Technical data
TC74HCU04AP/AF/AFT
東芝CMOSデジタル集積回路 シリコン モノリシック
TC74HCU04AP,TC74HCU04AF, TC74HCU04AFT
Hex Inverter
TC74HCU04A は､シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速
CMOS インバータです。CMOS の特長である低い消費電力で､
LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます。
内部回路はシンプルな 1 段ゲート構成のため､水晶発振などのリニ
ア応用も可能です。また､すべての入力には静電破壊から素子を保護
するために､ダイオードが付加されています。
特 長
• 高速動作 : tpd = 4 ns (標準) (VCC = 5 V)
• 低消費電流 : I
• 高雑音余裕度 : V
• 高ファンアウト : LSTTL 10 個を直接駆動可能
• 対称出力インピーダンス : |I
• バランスのとれた遅延時間 : t
• 広い動作電圧範囲 : VCC (opr) = 2~6 V
• LSTTL (74LS04) と同一ピン接続､同一ファンクション
= 1 μA (最大) (Ta = 25°C)
CC
= V
NIH
| = IOL = 4 mA (最小)
OH
∼
−
pLH
= 10% VCC (最小)
NIL
t
pHL
ピン接続図
TC74HCU04AP
TC74HCU04AF
TC74HCU04AFT
論理図
質量
DIP14-P-300-2.54 : 0.96 g (標準)
SOP14-P-300-1.27A : 0.18 g (標準)
TSSOP14-P-0044-0.65A : 0.06 g (標準)
1
2007-10-01
TC74HCU04AP/AF/AFT
真理値表
A Y
L H
H L
絶対最大定格 (注 1)
項目 記号 定格 単位
電源電圧 VCC −0.5~7 V
入力電圧 VIN −0.5~VCC + 0.5 V
出力電圧 V
入力保護ダイオード電流 IIK ±20 mA
出力寄生ダイオード電流 IOK ±20 mA
出力電流 I
電源/GND 電流 ICC ±50 mA
許容損失 PD 500 (DIP) (注 2)/180 (SOP/TSSOP) mW
保存温度 T
−0.5~VCC + 0.5 V
OUT
±25 mA
OUT
−65~150 °C
stg
注 1: 絶対最大定格は､瞬時たりとも超えてはならない値であり､1 つの項目も超えてはなりません。
本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格/動作範囲以内での使用においても､高負荷 (高温お
よび大電流/高電圧印加､多大な温度変化等) で連続して使用される場合は､信頼性が著しく低下するおそれが
あります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート､推定故障率等) をご確認の上､適切な信頼性設計をお願いします。
注 2: Ta = −40~65°C まで､500 mW。Ta = 65~85°C の範囲では−10 mW/°C で､300 mW までディレーティングして
ください。
動作範囲 (注)
項目 記号 定格 単位
電源電圧 VCC 2~6 V
入力電圧 VIN 0~VCC V
出力電圧 V
動作温度 T
注: 動作範囲は動作を保証するための条件です。
使用していない入力は VCC､もしくは GND に接続してください。
0~VCC V
OUT
−40~85 °C
opr
2
2007-10-01
電気的特性
特性
DC
TC74HCU04AP/AF/AFT
項目 記号
“H” レベル VIH ⎯
入力電圧
“L” レベル V
“H” レベル VOH
出力電圧
“L” レベル V
入力電流 IIN VIN = VCC or GND 6.0 ⎯ ⎯ ±0.1 ⎯ ±1.0 μA
静的消費電流 ICC VIN = VCC or GND 6.0 ⎯ ⎯ 1.0 ⎯ 10.0 μA
⎯
IL
VIN
= V
V
IN
= GND
VIN
= V
OL
V
IN
= V
測定条件 Ta = 25°C Ta = −40~85°C
V
CC
最小 標準 最大 最小 最大
(V)
2.0
1.7
4.5
3.6
6.0
4.8
2.0
⎯
4.5
⎯
6.0
⎯
2.0
1.8
4.5
4.0
6.0
5.5
4.5
4.18
6.0
5.68
2.0
⎯
4.5
⎯
6.0
⎯
4.5
6.0⎯ ⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
2.0
4.5
5.9
4.31
5.80⎯ ⎯
0.0
0.0
0.1
0.17
0.18
⎯
⎯
⎯
0.3
0.9
1.2
⎯
⎯
⎯
0.2
0.5
0.5
0.26
0.26 ⎯ ⎯
IL
IH
CC
I
= −20 μA
OH
I
= −4 mA
OH
= −5.2 mA
I
OH
I
= 20 μA
OL
I
= 4 mA
OL
= 5.2 mA
I
OL
1.7
3.6
4.8
⎯
⎯
⎯
1.8
4.0
5.5
4.13
5.63 ⎯ ⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
0.3
0.9
1.2
⎯
⎯
⎯
0.2
0.5
0.5
0.33
0.33
特性
AC
(CL = 15 pF, VCC = 5 V, Ta = 25°C)
単位
V
V
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
t
出力上昇､下降時間
伝搬遅延時間
TLH
t
THL
t
pLH
t
pHL
⎯ ⎯ 4 8 ns
⎯ ⎯ 4 8 ns
特性
AC
出力上昇､下降時間
伝搬遅延時間
入力容量 CIN ⎯ ⎯ 9 15 ⎯ 15 pF
等価内部容量 CPD (注) ⎯ 13 ⎯ ⎯ ⎯ pF
(C
= 50 pF, input: tr = tf = 6 ns)
L
項目 記号
t
TLH
t
THL
t
pLH
t
pHL
測定条件 Ta = 25°C Ta = −40~85°C
V
CC
⎯
⎯
最小 標準 最大 最小 最大
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
30
8
7
18
6
5
75
15
13
60
12
10
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
95
19
16
75
15
13
注: CPDは､無負荷時の動作消費電流より計算した IC 内部の等価容量です。
単位
ns
ns
無負荷時の平均動作消費電流は､次式により求められます。
ICC (opr) = CPD･VCC･fIN + ICC/6 (ゲート当たり)
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2007-10-01
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