TOSHIBA TC74HCT273AP, TC74HCT273AF Technical data

TC74HCT273AP/AF
東芝CMOSデジタル集積回路 シリコン モノリシック
TC74HCT273AP,TC74HCT273AF
Octal D-Type Flip Flop with Clear
TC74HCT273A は、シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速
ある低い消費電力で、LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます。
入力は TTL レベルですので、TTL レベルのバスに直結可能です。
D 入力に与えられた信号は、クロックの立ち上がりで Q 出力に伝 えられます。クリア入力は “L” レベルで能動となり、すべてのフリッ プフロップ出力を “L” にリセットします。
また、すべての入力には静電破壊から素子を保護するために、ダイ オードが付加されています。
特 長
TC74HCT273AP
TC74HCT273AF
高速動作 : f
低消費電流 : I
高雑音余裕度 : V
VIH = 2.0 V (最小)
高ファンアウト : LSTTL 10 個を直接駆動可能
対称出力インピーダンス : |I
バランスのとれた遅延時間 : t
LSTTL (74LS273) と同一ピン接続、同一ファンクション
= 90 MHz (標準) (VCC = 5 V)
max
= 4 μA (最大) (Ta = 25°C)
CC
= 0.8 V (最大)
IL
| = IOL = 4 mA (最小)
OH
t
pLH
pHL

ピン接続図

質量
DIP20-P-300-2.54A : 1.30 g (標準) SOP20-P-300-1.27A : 0.22 g (標準)
1
2007-10-01
論理図

真理値表

TC74HCT273AP/AF
Inputs Output
CLR D CK Q
L X X L Clear
H L L
H H H
H X Qn No Change
X: Don’t care
Function

システム図

2
2007-10-01
TC74HCT273AP/AF

絶対最大定格 (注 1)

項目 記号 定格 単位
電源電圧 VCC 0.5~7 V
入力電圧 VIN 0.5~VCC + 0.5 V
出力電圧 V
入力保護ダイオード電流 IIK ±20 mA
出力寄生ダイオード電流 IOK ±20 mA
出力電流 I
電源/GND 電流 ICC ±50 mA
許容損失 PD 500 (DIP) (注 2)/180 (SOP) mW
保存温度 T
1: 絶対最大定格は、瞬時たりとも超えてはならない値であり、1 つの項目も超えてはなりません。
本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格/動作範囲以内での使用においても、高負荷 (高温お よび大電流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれが あります。 弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
2: Ta = −40~65°C まで、500 mWTa = 65~85°C の範囲では−10 mW/°C で、300 mW までディレーティングして
ください。

動作範囲 (注)

0.5~VCC + 0.5 V
OUT
±25 mA
OUT
65~150 °C
stg
項目 記号 定格 単位
電源電圧 VCC 4.5~5.5 V
入力電圧 VIN 0~VCC V
出力電圧 V
動作温度 T
入力上昇、下降時間 tr, tf 0~500 ns
0~VCC V
OUT
40~85 °C
opr
注: 動作範囲は動作を保証するための条件です。
使用していない入力は VCC、もしくは GND に接続してください。

電気的特性

特性
DC
入力電圧
出力電圧
入力電流 IIN VIN = VCC or GND 5.5 ±0.1 ±1.0 μA
静的消費電流
項目 記号
“H” レベル VIH
“L” レベル V
“H” レベル VOH
“L” レベル V
IL
V
IN
= V V
IL
V
IN
= V V
IL
Per input: V
Other input: V
OL
ICC VIN = VCC or GND 5.5 4.0 40.0 μA
I
C
測定条件 Ta = 25°C Ta = 40~85°C
V
CC
IOH = 20 μA 4.5 4.4 4.5 ⎯ 4.4 ⎯
or
IH
I
IH
= 4 mA 4.5 4.18 4.31 4.13
OH
IOL = 20 μA 4.5 0.0 0.1 0.1
or
I
= 4 mA 4.5 0.17 0.26 0.33
OL
= 0.5 V or 2.4 V
IN
or GND
CC
最小 標準 最大 最小 最大
(V)
4.5~
2.0 2.0
5.5
4.5~ 0.8 0.8
5.5
5.5 2.0 2.9 mA
単位
V
V
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2007-10-01
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