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東芝トランジスタ シリコン PNP エピタキシャル形 (PCT 方式) (バイアス抵抗内蔵)
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○ スイッチング用
○ インバータ回路用
○ インタフェース回路用
○ ドライバ回路用
l 超小型パッケージ (ESM) のため超高密度実装に適していま
す。
l バイアス抵抗がトランジスタに内蔵されているため、部品点数
の削減による機器の小型化、組み立ての省力化が可能です。
l 多様な回路設計に適するように種々の抵抗値をそろえていま
す。
l RN1110F～RN1111F とコンプリメンタリになります。
等価回路
等価回路
等価回路等価回路
単位: mm
JEDEC ―
EIAJ ―
東芝
最大定格
最大定格
最大定格最大定格
コレクタ・ベース間電圧 V
コレクタ・エミッタ間電圧 V
エミッタ・ベース間電圧 V
コレクタ電流 IC －100 mA
コレクタ損失 PC 100 mW
接合温度 T
保存温度 T
(Ta = 25°C)
項目 記号 定格 単位
－50 V
CBO
－50 V
CEO
－5 V
EBO
150 °C
j
－55～150 °C
stg
2–2HA1A
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電気的特性
電気的特性
電気的特性電気的特性
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(Ta = 25°C)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
コレクタしゃ断電流 I
エミッタしゃ断電流 I
直流電流増幅率 hFE VCE = －5V, IC = －1mA 120 ― 400
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE
トランジション周波数 fT VCE = －10V, IC = －5mA ― 200 ― MHz
コレクタ出力容量 Cob VCB = －10V, IE = 0, f = 1MHz ― 3 6 pF
入力抵抗
RN2110F 3.29 4.7 6.11
RN2111F
CBO
EBO
R1 ―
VCB = －50V, IE = 0 ― ― －100 nA
VEB = －5V, IC = 0 ― ― －100 nA
IC = －5mA, IB = －0.25mA ― －0.1 －0.3 V
(sat)
7 10 13
kΩ
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現品表示方法
現品表示方法
現品表示方法現品表示方法
形名 現品表示
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RN2111F
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当社半導体製品取り扱い上のお願い
当社半導体製品取り扱い上のお願い
当社半導体製品取り扱い上のお願い当社半導体製品取り扱い上のお願い
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