TOSHIBA RN2110F, RN2111F User Manual
RN2110F,RN2111F
東芝トランジスタ シリコン PNP エピタキシャル形 (PCT 方式) (バイアス抵抗内蔵)
RN2110F,RN2111F
○ スイッチング用
○ インバータ回路用
○ インタフェース回路用
○ ドライバ回路用
l 超小型パッケージ (ESM) のため超高密度実装に適していま
す。
l バイアス抵抗がトランジスタに内蔵されているため、部品点数
の削減による機器の小型化、組み立ての省力化が可能です。
l 多様な回路設計に適するように種々の抵抗値をそろえていま
す。
l RN1110F～RN1111F とコンプリメンタリになります。
等価回路
等価回路
等価回路等価回路
単位: mm
JEDEC ―
EIAJ ―
東芝
最大定格
最大定格
最大定格最大定格
コレクタ・ベース間電圧 V
コレクタ・エミッタ間電圧 V
エミッタ・ベース間電圧 V
コレクタ電流 IC －100 mA
コレクタ損失 PC 100 mW
接合温度 T
保存温度 T
(Ta = 25°C)
項目 記号 定格 単位
－50 V
CBO
－50 V
CEO
－5 V
EBO
150 °C
j
－55～150 °C
stg
2–2HA1A
1
2001-05-01
電気的特性
電気的特性
電気的特性電気的特性
RN2110F,RN2111F
(Ta = 25°C)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
コレクタしゃ断電流 I
エミッタしゃ断電流 I
直流電流増幅率 hFE VCE = －5V, IC = －1mA 120 ― 400
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE
トランジション周波数 fT VCE = －10V, IC = －5mA ― 200 ― MHz
コレクタ出力容量 Cob VCB = －10V, IE = 0, f = 1MHz ― 3 6 pF
入力抵抗
RN2110F 3.29 4.7 6.11
RN2111F
CBO
EBO
R1 ―
VCB = －50V, IE = 0 ― ― －100 nA
VEB = －5V, IC = 0 ― ― －100 nA
IC = －5mA, IB = －0.25mA ― －0.1 －0.3 V
(sat)
7 10 13
kΩ
2
2001-05-01
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