
RN1401~RN1406
東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャル形 (PCT方式) (バイアス抵抗内蔵)
RN1401, RN1402, RN1403,
RN1404, RN1405, RN1406
○ スイッチング用
○ インバータ回路用
○ インタフェース回路用
○ ドライバ回路用
z バイアス抵抗がトランジスタに内蔵されているため, 部品点数の削減
による機器の小型化, 組み立ての省力化が可能です。
z 多様な回路設計に適するように種々の抵抗値をそろえています。
z RN2401~2406 とコンプリメンタリになります。
等価回路とバイアス抵抗値
単位: mm
形名 R1 (kΩ) R2 (kΩ)
RN1401 4.7 4.7
RN1402 10 10
RN1403 22 22
RN1404 47 47
RN1405 2.2 47
RN1406 4.7 47
絶対最大定格 (Ta = 25°C)
項目 記号 定格 単位
コレクタ・ベース間電圧 V
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタ電流 I
コレクタ損失 P
接合温度 T
保存温度
RN1401~1406
RN1401~1404 10
RN1405, 1406
RN1401~1406
50 V
CBO
V
CEO
V
EBO
100 mA
C
C
j
T
-55~150 °C
stg
50 V
5
200 mW
150 °C
JEDEC
JEITA
東芝
質量: 0.012 g (標準)
V
TO–236MOD
SC–59
2–3F1A
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても、高負荷 (高温および大電
流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
2007-11-01 1

RN1401~RN1406
電気的特性
コレクタしゃ断電流 RN1401~1406
エミッタしゃ断電流
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ間
飽和電圧
入力オン電圧
入力オフ電圧
トランジション
周波数
コレクタ出力容量 RN1401~1406 Cob VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz ― 3 6 pF
入力抵抗
抵抗比率
(Ta = 25°C)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
I
VCB = 50V, IE = 0 ― ― 100
CBO
VCE = 50V, IB = 0 ― ― 500
I
CEO
RN1401 0.82 ― 1.52
RN1402 0.38 ― 0.71
RN1403 0.17 ― 0.33
RN1404
RN1405 0.078 ― 0.145
RN1406
RN1401 30 ― ―
RN1402 50 ― ―
RN1403 70 ― ―
RN1404 80 ― ―
RN1405 80 ― ―
RN1406
RN1401~1406 V
RN1401 1.1 ― 2.0
RN1402 1.2 ― 2.4
RN1403 1.3 ― 3.0
RN1404 1.5 ― 5.0
RN1405 0.6 ― 1.1
RN1406
RN1401~1404 1.0 ― 1.5
RN1405, 1406
RN1401~1406 f
RN1401 3.29 4.7 6.11
RN1402 7 10 13
RN1403 15.4 22 28.6
RN1404 32.9 47 61.1
RN1405 1.54 2.2 2.86
RN1406
RN1401~1404 0.9 1.0 1.1
RN1405 0.0421 0.0468 0.0515
RN1406
I
EBO
hFE VCE = 5V, IC = 10mA
IC = 5 mA, IB = 0.25mA ― 0.1 0.3 V
CE(sat)
V
VCE = 0.2V, IC = 5mA
I (ON)
V
VCE = 5V, IC = 0.1mA
I (OFF)
VCE = 10V, IC = 5mA ― 250 ― MHz
T
R1 ―
R1 / R2 ―
= 10V, IC = 0
V
EB
V
= 5V, IC = 0
EB
0.082 ― 0.15
0.074 ― 0.138
80 ― ―
0.7 ― 1.3
0.5 ― 0.8
3.29 4.7 6.11
0.09 0.1 0.11
nA
mA
V
V
kΩ
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RN1401~RN1406
製品取り扱い上のお願い
• 本資料に掲載されているハードウェア、ソフトウェアおよびシステム(以下、本製品という)に関する情
報等、本資料の掲載内容は、技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。
• 文書による当社の事前の承諾なしに本資料の転載複製を禁じます。また、文書による当社の事前の承諾を
得て本資料を転載複製する場合でも、記載内容に一切変更を加えたり、削除したりしないでください。
• 当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体製品は一般に誤作動または故障する場合があります。
本製品をご使用頂く場合は、本製品の誤作動や故障により生命・身体・財産が侵害されることのないよう
に、お客様の責任において、お客様のハードウェア・ソフトウェア・システムに必要な安全設計を行うこ
とをお願いします。なお、設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報(本資料、仕様書、デー
タシート、アプリケーションノート、半導体信頼性ハンドブックなど)および本製品が使用される機器の
取扱説明書、操作説明書などをご確認の上、これに従ってください。また、上記資料などに記載の製品デー
タ、図、表などに示す技術的な内容、プログラム、アルゴリズムその他応用回路例などの情報を使用する
場合は、単独およびシステム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。
当社は、適用可否に対する責任は負いません。
• 本製品は、一般的電子機器(コンピュータ、パーソナル機器、事務機器、計測機器、産業用ロボット、家
電機器など)または本資料に個別に記載されている用途に使用されることが意図されています。本製品は、
特別に高い品質・信頼性が要求され、またはその故障や誤作動が生命・身体に危害を及ぼす恐れ、膨大な
財産損害を引き起こす恐れ、もしくは社会に深刻な影響を及ぼす恐れのある機器(以下“特定用途”とい
う)に使用されることは意図されていませんし、保証もされていません。特定用途には原子力関連機器、
航空・宇宙機器、医療機器、車載・輸送機器、列車・船舶機器、交通信号機器、燃焼・爆発制御機器、各
種安全関連機器、昇降機器、電力機器、金融関連機器などが含まれます。本資料に個別に記載されている
場合を除き、本製品を特定用途に使用しないでください。
• 本製品を分解、解析、リバースエンジニアリング、改造、改変、翻案、複製等しないでください。
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非侵害保証を含むがこれに限らない。)をせず、また当社は、本製品および技術情報に関する一切の損害(間
接損害、結果的損害、特別損害、付随的損害、逸失利益、機会損失、休業損、データ喪失等を含むがこれ
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「米国輸出管理規則」等、適用ある輸出関連法令を遵守し、それらの定めるところにより必要な手続を行っ
てください。
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製品のご使用に際しては、特定の物質の含有・使用を規制する RoHS 指令等、適用ある環境関連法令を十分
調査の上、かかる法令に適合するようご使用ください。お客様がかかる法令を遵守しないことにより生じ
た損害に関して、当社は一切の責任を負いかねます。
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