RN1201～RN1206
東芝トランジスタ シリコン NPN エピタキシャル形 (PCT 方式) (バイアス抵抗内蔵)
RN1201,RN1202,RN1203
RN1204,RN1205,RN1206
○ スイッチング用
○ インバータ回路用
○ インタフェース回路用
○ ドライバー回路用
l バイアス抵抗がトランジスタに内蔵されているため, 部品点数
の削減による機器の小型化, 組立ての省力化が可能です。
l 多様な回路設計に適するように種々の抵抗値をそろえていま
す。
l RN2201～2206 とコンプリメンタリになります。
等価回路とバイアス抵抗値
等価回路とバイアス抵抗値
等価回路とバイアス抵抗値等価回路とバイアス抵抗値
単位: mm
JEDEC ―
EIAJ ―
形名 R1 (kΩ) R2 (kΩ)
RN1201 4.7 4.7
RN1202 10 10
RN1203 22 22
RN1204 47 47
RN1205 2.2 47
RN1206 4.7 47
東芝
2–4E1A
1
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最大定格
最大定格
最大定格最大定格
(Ta = 25°C)
項目 記号 定格 単位
RN1201～RN1206
コレクタ・ベース間電圧 V
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタ電流 I
コレクタ損失 P
接合部温度 T
保存温度
RN1201
～1206
RN1201
～1204
RN1205,
1206
RN1201
～1206
V
V
CBO
CEO
EBO
T
C
stg
C
j
50 V
50 V
10 V
5 V
100 mA
300 mW
150 °C
－55～150 °C
2
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RN1201～RN1206
電気的特性
電気的特性
電気的特性電気的特性
コレクタしゃ断電流 RN1201～1206
エミッタしゃ断電流
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ間
飽和電圧
入力オン電圧
入力オフ電圧
トランジション
周波数
コレクタ出力容量 RN1201～1206 Cob VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz ― 3 6 pF
入力抵抗
抵抗比率
(Ta = 25°C)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
I
VCB = 50V, IE = 0 ― ― 100 nA
CBO
I
VCE = 50V, IB = 0 ― ― 500 nA
CEO
RN1201 0.82 ― 1.52
RN1202 0.38 ― 0.71
RN1203 0.17 ― 0.33
RN1204
RN1205 0.078 ― 0.145
RN1206
RN1201 30 ― ―
RN1202 50 ― ―
RN1203 70 ― ―
RN1204 80 ― ―
RN1205 80 ― ―
RN1206
RN1201～1206 V
RN1201 1.1 ― 2.0
RN1202 1.2 ― 2.4
RN1203 1.3 ― 3.0
RN1204 1.5 ― 5.0
RN1205 0.6 ― 1.1
RN1206
RN1201～1204 1.0 ― 1.5
RN1205～1206
RN1201～1206 f
RN1201 3.29 4.7 6.11
RN1202 7 10 13
RN1203 15.4 22 28.6
RN1204 32.9 47 61.1
RN1205 1.54 2.2 2.86
RN1206
RN1201～1204 0.9 1.0 1.1
RN1205 0.0421 0.0468 0.0515
RN1206
I
EBO
hFE VCE = 5V, IC = 10mA
CE (sat)
V
I (ON)
V
I (OFF)
T
R1 ―
R1 / R2 ―
V
= 10V, IC = 0
EB
V
= 5V, IC = 0
EB
IC = 5mA, IB = 0.25mA ― 0.1 0.3 V
VCE = 0.2V, IC = 5mA
VCE = 5V, IC = 0.1mA
VCE = 10V, IC = 5mA ― 250 ― MHz
0.082 ― 0.15
0.074 ― 0.138
80 ― ―
0.7 ― 1.3
0.5 ― 0.8
3.29 4.7 6.11
0.09 0.1 0.11
mA
V
V
kΩ
3
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5
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6
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当社半導体製品取り扱い上のお願い
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000629TAA
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