東芝トランジスタ シリコン NPN エピタキシャルプレーナ形
MT6P03AE
MT6P03AE
○ VHF~UHF 帯低電圧動作·低位相雑音タイプ
· 超小型·薄型エクストリームスーパーミニ (6 ピン) ES6 パッケージに 2 素
子を内蔵しています。
搭載チップ
搭載チップ
搭載チップ搭載チップ
Q1/Q2: SSM (TESM)
相当する 3 ピン (SSM/TESM) モールド製品 MT3S03AS (MT3S03AT)
最大定格
最大定格
最大定格最大定格
コレクタ･ベース間電圧 V
コレクタ･エミッタ間電圧 V
エミッタ･ベース間電圧 V
コレクタ電流 IC 40 mA
ベース電流 IB 10 mA
コレクタ損失
接合温度 T
保存温度 T
(Ta ==== 25°C)
項目 記号 Q1/Q2 単位
10 V
CBO
5 V
CEO
2 V
EBO
P
C
(注 1)
125 °C
j
stg
100 mW
-55~125 °C
単位: mm
JEDEC ―
JEITA ―
東 芝 2-2N1A
質量: 0.003 g (標準)
注 1: Q1、Q2 トータルの許容損失
現品表示
現品表示 内部接続
現品表示現品表示
内部接続
内部接続内部接続
1
2003-03-24
電気的特性
電気的特性 Q1/Q2
電気的特性電気的特性
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
(Ta ==== 25°C)
MT6P03AE
コレクタしゃ断電流 I
エミッタしゃ断電流 I
直流電流増幅率 hFE VCE = 1 V, IC = 5 mA 80 ¾ 160
トランジション周波数
挿入電力利得
雑音指数
帰還容量 Cre VCB = 1 V, IE = 0, f = 1 MHz (注 2) ¾ 0.8 1.15 pF
VCB = 5 V, IE = 0 ¾ ¾ 0.1 mA
CBO
VEB = 1 V, IC = 0 ¾ ¾ 1 mA
EBO
fT (1) VCE = 1 V, IC = 5 mA 5 7 ¾
(2) VCE = 3 V, IC = 10 mA 7 10 ¾
f
T
ïS
ï2 (1) VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz ¾ 5 ¾
21e
ï2 (2) VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz 3 6.5 ¾
ïS
21e
NF (1) VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz ¾ 1.7 3
NF (2) V
= 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz ¾ 1.4 2.2
CE
GHz
注 2: Creは 3 端子法でエミッタ端子をブリッジのガード端子に接続して測定する。
取り扱い上の注意
取り扱い上の注意
取り扱い上の注意取り扱い上の注意
この製品は構造上静電気に弱いため製品を取り扱う際、作業台･人･はんだごてなどに対し必ず静電対策を講じてくださ
い。
dB
dB
2
2003-03-24
MT6P03AE
当社半導体製品取り扱い上のお願い
当社半導体製品取り扱い上のお願い
当社半導体製品取り扱い上のお願い当社半導体製品取り扱い上のお願い
· 当社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、一般に半導体製品は誤作動したり故障することがあります。当
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なお、設計に際しては、最新の製品仕様をご確認の上、製品保証範囲内でご使用いただくと共に、考慮されるべ
き注意事項や条件について｢東芝半導体製品の取り扱い上のご注意とお願い｣、｢半導体信頼性ハンドブック｣など
でご確認ください。
· 本資料に掲載されている製品は、一般的電子機器 (コンピュータ、パーソナル機器、事務機器、計測機器、産業用
ロボット、家電機器など) に使用されることを意図しています。特別に高い品質･信頼性が要求され、その故障や
誤作動が直接人命を脅かしたり人体に危害を及ぼす恐れのある機器 (原子力制御機器、航空宇宙機器、輸送機器、
交通信号機器、燃焼制御、医療機器、各種安全装置など) にこれらの製品を使用すること (以下 “特定用途” とい
う) は意図もされていませんし、また保証もされていません。本資料に掲載されている製品を当該特定用途に使用
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000629TAA
2003-03-24
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