TOSHIBA MT6P03AE Technical data
東芝トランジスタ シリコン NPN エピタキシャルプレーナ形
MT6P03AE
MT6P03AE
○ VHF~UHF 帯低電圧動作·低位相雑音タイプ
· 超小型·薄型エクストリームスーパーミニ (6 ピン) ES6 パッケージに 2 素
子を内蔵しています。
搭載チップ
搭載チップ
搭載チップ搭載チップ
Q1/Q2: SSM (TESM)
相当する 3 ピン (SSM/TESM) モールド製品 MT3S03AS (MT3S03AT)
最大定格
最大定格
最大定格最大定格
コレクタ･ベース間電圧 V
コレクタ･エミッタ間電圧 V
エミッタ･ベース間電圧 V
コレクタ電流 IC 40 mA
ベース電流 IB 10 mA
コレクタ損失
接合温度 T
保存温度 T
(Ta ==== 25°C)
項目 記号 Q1/Q2 単位
10 V
CBO
5 V
CEO
2 V
EBO
P
C
(注 1)
125 °C
j
stg
100 mW
-55~125 °C
単位: mm
JEDEC ―
JEITA ―
東 芝 2-2N1A
質量: 0.003 g (標準)
注 1: Q1、Q2 トータルの許容損失
現品表示
現品表示 内部接続
現品表示現品表示
内部接続
内部接続内部接続
1
2003-03-24
電気的特性
電気的特性 Q1/Q2
電気的特性電気的特性
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
(Ta ==== 25°C)
MT6P03AE
コレクタしゃ断電流 I
エミッタしゃ断電流 I
直流電流増幅率 hFE VCE = 1 V, IC = 5 mA 80 ¾ 160
トランジション周波数
挿入電力利得
雑音指数
帰還容量 Cre VCB = 1 V, IE = 0, f = 1 MHz (注 2) ¾ 0.8 1.15 pF
VCB = 5 V, IE = 0 ¾ ¾ 0.1 mA
CBO
VEB = 1 V, IC = 0 ¾ ¾ 1 mA
EBO
fT (1) VCE = 1 V, IC = 5 mA 5 7 ¾
(2) VCE = 3 V, IC = 10 mA 7 10 ¾
f
T
ïS
ï2 (1) VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz ¾ 5 ¾
21e
ï2 (2) VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz 3 6.5 ¾
ïS
21e
NF (1) VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz ¾ 1.7 3
NF (2) V
= 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz ¾ 1.4 2.2
CE
GHz
注 2: Creは 3 端子法でエミッタ端子をブリッジのガード端子に接続して測定する。
取り扱い上の注意
取り扱い上の注意
取り扱い上の注意取り扱い上の注意
この製品は構造上静電気に弱いため製品を取り扱う際、作業台･人･はんだごてなどに対し必ず静電対策を講じてくださ
い。
dB
dB
2
2003-03-24
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