東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形
MT6L71FS
○ VHF~UHF 帯低位相雑音タイプ
Fine pich small mold パッケージ(6 ピン)に 2 素子を内蔵しています。
• 低位相雑音タイプです。
• OSC / Buffer 用途に最適です。
搭載チップ
0.1±0.05
1.0±0.05
0.7±0.0
0.3
0.3
1
2
3
MT6L71FS
単位: mm
1.0±0.05
0.8±0.05
6
5
4
0.1±0.05
0.15±0.0
Q1 Q2
相当する 3 ピン: fSM−Mold 製品
MT3S07FS MT3S11AFS
絶対最大定格 (Ta = 25°C)
項目 記号 Q1 Q2 単位
コレクタ・ベース間電圧 V
コレクタ・エミッタ間電圧 V
エミッタ・ベース間電圧 V
コレクタ電流 IC 25 40 mA
ベース電流 IB 10 10 mA
許容損失 PC(注 1)
接合温度 Tj 125 °C
保存温度 T
10 13 V
CBO
5 6 V
CEO
1.5 1 V
EBO
stg
100 90
2 素子動作 105
−55~125 °C
mW
質量: 1 mg (標準)
fS6
JEDEC
JEITA
東芝
-0.0
+0.0
0.4
1.
2.
3.
4.
5.
6.
コレクタ 1
エミッタ1
コレクタ2
ベース2
エミッタ2
ベース
1
2-1F1A
0.1±0.05
(C1)
(E1)
(C2)
(B2)
(E2)
(B1)
―
―
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても、高負荷 (高温および大
電流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれがあり
ます。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) お
よび個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
注 1: 10 mm ×10 mm × 1.0mm(t) のガラスエポキシプリント基板実装時
現品表示
(top view)
内部接続図 (top view)
6 5 4
1W
1 2 3
B1 E2
Q1
C1
E1
B2
Q2
C2
2011-01-07 1
電気的特性 Q1 (Ta = 25°C)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
MT6L71FS
コレクタしゃ断電流 I
エミッタしゃ断電流 I
直流電流増幅率 hFE VCE = 1 V, IC = 5 mA 70 ⎯ 140 ⎯
帰還容量 C
トランジション周波数 f
挿入電力利得
雑音指数 NF VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz ⎯ 1.5 3 dB
VCB = 5 V, IE = 0 ⎯ ⎯ 0.1 μA
CBO
VEB = 1 V, IC = 0 ⎯ ⎯ 1 μA
EBO
(注) VCB = 1 V, IE = 0, f = 1 MHz ⎯ 0.4 0.65 pF
re
VCE = 3 V, IC = 10 mA 10 12 ⎯ GHz
T
⎪S
⎪2 (1) VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz ⎯ 8 ⎯
21e
⎪2 (2) VCE = 3 V, IC = 15 mA, f = 2 GHz 7.5 10 ⎯
⎪S
21e
電気的特性 Q2 (Ta = 25°C)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
コレクタしゃ断電流 I
エミッタしゃ断電流 I
直流電流増幅率 hFE VCE = 1 V, IC = 5 mA 100 ⎯ 160 ⎯
帰還容量 C
トランジション周波数 f
挿入電力利得
雑音指数 NF VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz ⎯ 2.4 3.2 dB
注 : C
は 3 端子法でエミッタ端子をブリッジのガード端子に接続して測定する。
re
VCB = 5 V, IE = 0 ⎯ ⎯ 0.1 μA
CBO
VEB = 1 V, IC = 0 ⎯ ⎯ 1 μA
EBO
(注) VCB = 1 V, IE = 0, f = 1 MHz ⎯ 0.6 0.85 pF
re
VCE = 1 V, IC = 5 mA 4 6 ⎯ GHz
T
⎪S
⎪2 (1) VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz ⎯ 3.5 ⎯
21e
⎪2 (2) VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz 4 6.5 ⎯
⎪S
21e
取り扱い上の注意
dB
dB
この製品は構造上静電気に弱いため製品を取り扱う際、作業台・人・はんだごてなどに対し必ず静電対策を講じて下さい。
2011-01-07 2