TOSHIBA MT3S45 User Manual
東芝トランジスタ シリコンＮＰＮエピタキシャルプレーナ形
MT3S45T
○ VHF～UHF 低雑音増幅用
○ VCO 用
特
特 長長長長
特特
MT3S45T
単位: mm
· 雑音特性が優れています。:NF=1.1dB (@ f=2GHz)
· 高利得です。:|S21e|
現品表示
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2
=12.0dB (@ f=2GHz)
3
R 4
1
最大定格
最大定格
最大定格最大定格
コレクタ・ベース間電圧 V
コレクタ・エミッタ間電圧 V
エミッタ・ベース間電圧 V
コレクタ電流 IC 30 mA
ベース電流 IB 15 mA
コレクタ損失 PC 100 mW
接合温度 T
保存温度 T
2
(Ta = 25°C)
項目 記号 定格 単位
8 V
CBO
4.5 V
CEO
1.5 V
EBO
150 °C
j
−55～150 °C
stg
TESM
JEDEC ―
JEITA ―
東 芝 2-1B1A
質量:0.0022g (標準)
1 2002-11-13
マイクロ波特性
マイクロ波特性 (Ta = 25°C)
マイクロ波特性マイクロ波特性
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
MT3S45T
トランジション周波数 f
挿入電力利得
雑音指数
VCE=3V,IC=20mA,f=2GHz 13.5 18 - GHz
T
|S21e|2(1) VCE=3V,IC=20mA,f=1GHz - 17.5 - dB
2
(2) VCE=3V,IC=20mA,f=2GHz 9.5 12 - dB
|S21e|
NF(1) VCE=3V,IC=6mA,f=1GHz - 0.9 - dB
NF(2) V
=3V,IC=6mA,f=2GHz - 1.1 1.6 dB
CE
電気的特性
電気的特性 (Ta = 25°C)
電気的特性電気的特性
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
コレクタしゃ断電流 I
エミッタしゃ断電流 I
直流電流増幅率 hFE VCE=3V,IC=10mA 70 - 140
コレクタ出力容量 Cob VCB=1V,IE=0, f=1MHz - 0.66 1.10 pF
帰還容量 Cre VCB=1V,IE=0, f=1MHz (Note 1) - 0.33 0.55 pF
VCB=8V,IE=0 - - 1 μA
CBO
VEB=1V,IC=0 - - 1 μA
EBO
Note1: Cre は 3 端子法でエミッタ端子をブリッジのガード端子に接続して測定する。
取り扱い上の注意 : この製品は構造上静電気に弱いため製品を取り扱う際、作業台・人・半田ごて等に対して、
必ず静電気対策を講じて下さい。
2 2002-11-13
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