TOSHIBA MT3S20TU User Manual
東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形
MT3S20TU
MT3S20TU
○ VHF～UHF 帯 低雑音・低歪み増幅用
特 長
• 雑音特性が優れています。:NF=1.45dB(標準) (@ f=1GHz)
• 高利得です。:|S21e|
2
=12dB(標準) (@ f=1GHz)
現品表示
3
絶対最大定格
M U
1
(Ta = 25°C)
2
単位: mm
2.1±0.1
1.7±0.1
1
0.65±0.05
2.0±0.1
0.7±0.05
1.ﾍﾞｰｽ
2.ｴﾐｯﾀ
3.ｺﾚｸﾀ
UFM
JEDEC -
JEITA -
東芝 2-2U1B
質量: 6.6mg (標準)
2
-0.05
+0.1
0.3
3
0.166±0.05
項目 記号 定格 単位
コレクタ・ベース間電圧 V
コレクタ・エミッタ間電圧 V
エミッタ・ベース間電圧 V
コレクタ電流 IC 80 mA
ベース電流 IB 10 mA
コレクタ損失 PC(注 1) 900 mW
接合温度 T
保存温度 T
注 1 (25.4 mm x 25.4 mm x 0.8 mm (t)) セラミック基板実装時
注 2: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても、高負荷 (高温および大電流/
高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) および個
別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
20 V
CBO
12 V
CEO
1.5 V
EBO
150 °C
j
−55～150 °C
stg
1
2009-12-09
マイクロ波特性 (Ta = 25°C)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
MT3S20TU
トランジション周波数 f
挿入電力利得
雑音指数 NF VCE=5V,IC=20mA,f=1GHz ⎯ 1.45 2 dB
3 次相互変調歪出力
インターセプトポイント
VCE=5V,IC=30mA 5 7 ⎯ GHz
T
|S21e|2(1) VCE=5V,IC=50mA,f=500MHz ⎯ 17.5 ⎯
2
(2) VCE=5V,IC=50mA,f=1GHz 10 12 ⎯
|S21e|
OIP3
VCE=5V,IC=50mA,f=500MHz,
⊿f=1MHz
26 30 ⎯ dBmW
dB
電気的特性 (Ta = 25°C)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
コレクタしゃ断電流 I
エミッタしゃ断電流 I
直流電流増幅率 hFE VCE=5V,IC=50mA 100 150 200 ⎯
帰還容量 Cre VCB=5V,IE=0, f=1MHz (注 3) ⎯ 0.75 1 pF
VCB=10V,IE=0 ⎯ ⎯ 0.1 μA
CBO
VEB=1V,IC=0 ⎯ ⎯ 0.5 μA
EBO
注 3: Cre は 3 端子法でエミッタ端子をブリッジのガード端子に接続して測定する。
取り扱い上の注意
この製品は構造上静電気に弱いため製品を取り扱う際、作業台･人･はんだごてなどに対し必ず静電対策を講じてください。
2
2009-12-09
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