TOSHIBA MT3S16FS User Manual
東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形
MT3S16FS
MT3S16FS
○ UHF 帯低電圧動作・発振用・増幅用
• fT が高く電流依存性が優れています。
• 帰還容量 Cre がフラットです。
:NF = 2.4dB(標準) (@ 2V, 5mA, 1 GHz)
:|S
|2 = 4.5dB(標準) (@ 2V, 10mA, 1 GHz)
21e
現品表示
3
絶対最大定格
項目 記号 定格 単位
コレクタ･ベース間電圧
コレクタ･エミッタ間電圧
エミッタ･ベース間電圧
コレクタ電流
ベース電流
コレクタ損失
接合温度
保存温度
0 K
(Ta = 25°C)
製品名
2
1
P
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
I
(注 1)
C
T
T
stg
C
B
j
10 V
5 V
2 V
60 mA
10
85
125
−55~125
mA
mW
°C
°C
単位: mm
1.0±0.05
0.05
0.05
±
±
0.35
0.05
±
0.6
0.1±0.05 0.1±0.05
-0.04
+0.02
0.48
fSM
JEDEC ―
JEITA ―
東 芝 2-1E1A
質量: 0.6 mg (標準)
0.8±0.05
0.15
1
2
0.05
±
0.1
ベース
1.
2.エミッタ
3.コレクタ
0.05
±
0.2
3
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても、高負荷 (高温および大電
流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
注 1: (20mm X 25mm X 1.55mm(t))ＦＲ４基板実装時
1
2010-08-25
MT3S16FS
マイクロ波特性
トランジション周波数
挿入電力利得
雑音指数
電気的特性
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
直流電流増幅率
帰還容量
(Ta = 25°C)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
(Ta = 25°C)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
VCE = 3 V, IC = 10 mA
f
T
⎪S
⎪2 (1) VCE = 2 V, IC = 10 mA, f = 1 GHz
21e
⎪2 (2) VCE = 3 V, IC = 30 mA, f = 1 GHz
⎪S
21e
NF
= 2 V, IC = 5 mA, f = 1GHz
V
CE
I
VCB = 5 V, IE = 0
CBO
I
VEB = 1 V, IC = 0
EBO
h
VCE = 1 V, IC = 5 mA
FE
C
VCB = 1 V, IE = 0, f = 1 MHz(注 2)
re
注 2: Creは 3 端子法でエミッタ端子をブリッジのガード端子に接続して測定する。
取り扱い上の注意
2 4
4.5
⎯
3 5.5
2.4 3.2
⎯
⎯ ⎯
⎯ ⎯
80
⎯
⎯
2.4 3 pF
GHz
⎯
⎯
⎯
0.1 μA
140
dB
dB
1 μA
⎯
この製品は構造上静電気に弱いため製品を取り扱う際、作業台･人･はんだごてなどに対し必ず静電対策を講じて下さい。
2
2010-08-25
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