東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネル接合形
2SK880
2SK880
○ 低周波低雑音増幅用
• 小型パッケージです。
• 高|Y
: |Y
• 高耐圧です。: V
• 超低雑音です。
: NF = 1.0dB (標準) (V
• 高インピーダンスです。: I
絶対最大定格
|のため高利得が得られます。
fs
| = 15 mS (標準) (VDS = 10 V, VGS = 0)
fs
= −50 V
GDS
= 10 V, I
DS
GSS
(Ta = 25°C)
項目 記号 定格 単位
ゲート・ドレイン間電圧 V
ゲート電流 I
許容損失 P
接合温度 T
保存温度 T
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内で
の使用においても、高負荷 (高温および大電流/高電圧印加、多大な
温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下す
るおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
= 0.5 mA, f = 1 kHz, RG = 1 kΩ)
D
= −1 nA (最大) (V
= −30 V)
GS
GDS
G
D
j
stg
−50 V
10 mA
100 mW
125 °C
−55~125 °C
単位: mm
JEDEC ―
JEITA SC-70
東 芝 2-2E1B
質量: 0.006 g (標準)
1
2007-11-01
2SK880
電気的特性
ゲートしゃ断電流 I
ゲート・ドレイン間降伏電圧 V
ドレイン電流 I
ゲート・ソース間しゃ断電圧 V
順方向伝達アドミタンス |Yfs| V
入力容量 C
帰還容量 C
雑音指数
注: I
(Ta = 25°C)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
分類 Y (Y): 1.2~3.0 mA, GR (G): 2.6~6.5 mA, BL (L): 6.0~14.0 mA
DSS
GSS
(BR) GDSVDS
DSS
GS (OFF)
iss
rss
NF (1)
NF (2)
( ) 内は現品表示記号
現品表示
I
DSS
形名
分類
(注) V
V
= −30 V, V
GS
= 0, I
G
= 10 V, V
DS
V
= 10 V, ID = 0.1 μA −0.2 ⎯ −1.5 V
DS
= 10 V, V
DS
V
= 10 V, V
DS
V
= 10 V, ID = 0, f = 1 MHz ⎯ 3 ⎯ pF
DG
V
= 10 V, R
DS
= 0.5 mA, f = 10 Hz
I
D
V
= 10 V, R
DS
= 0.5 mA, f = 1 kHz
I
D
= 0 ⎯ ⎯ −1.0 nA
DS
= −100 μA −50 ⎯ ⎯ V
= 0 1.2 ⎯ 14.0 mA
GS
= 0, f = 1 kHz 4.0 15 ⎯ mS
GS
= 0, f = 1 MHz ⎯ 13 ⎯ pF
GS
= 1 kΩ,
G
= 1 kΩ,
G
― 5 ⎯
― 1 ⎯
dB
X Y
2
2007-11-01