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東芝トランジスタ シリコン NPN エピタキシャルプレーナ形
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○ VHF~UHF 帯低雑音増幅用
· 雑音特性が優れています。
: NF = 1.7dB, |S
最大定格
最大定格
最大定格最大定格
コレクタ･ベース間電圧 V
コレクタ･エミッタ間電圧 V
エミッタ･ベース間電圧 V
コレクタ電流 I
ベース電流 I
コレクタ損失 P
接合温度 T
保存温度 T
(Ta ==== 25°C)
項目 記号 定格 単位
|2 = 11dB (f = 2 GHz)
21e
CBO
CEO
EBO
C
B
C
j
stg
単位: mm
15 V
7 V
1.5 V
15 mA
7 mA
100 mW
125 °C
-55~125 °C
JEDEC ―
JEITA ―
東 芝 2-2K1A
質量: g (標準)
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マイクロ波特性
マイクロ波特性
マイクロ波特性マイクロ波特性
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
(Ta ==== 25°C)
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トランジション周波数 f
挿入電力利得
雑音指数
T
ïS
21e
ïS
21e
NF (1) VCE = 5 V, IC = 3 mA, f = 1 GHz ¾ 1.3 ¾
NF (2) V
VCE = 5 V, IC = 7 mA 9 12 ¾ GHz
V
ï2 (1)
ï2 (2) VCE = 5 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz 8 11 ¾
= 5 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz 14 17 ¾
CE
= 5 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz ¾ 1.7 3
CE
電気的特性
電気的特性
電気的特性電気的特性
コレクタしゃ断電流 I
エミッタしゃ断電流 I
直流電流増幅率
コレクタ出力容量 C
帰還容量 C
(Ta ==== 25°C)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
CBO
EBO
h
FE
ob
re
VCB = 10 V, IE = 0 ¾ ¾ 1 mA
VEB = 1 V, IC = 0 ¾ ¾ 1 mA
V
= 5 V, IC = 7 mA 50 ¾ 160 ¾
(注 1)
CE
VCB = 5 V, IE = 0, f = 1 MHz (注 2)
注 1: hFE分類 R: 50~100, O: 80~160
注 2: Creは 3 端子法でエミッタ端子をブリッジのガード端子に接続して測定する。
現品表示
現品表示
現品表示現品表示
dB
dB
¾ 0.45 ¾ pF
¾ 0.35 0.75 pF
2
1
形名
hFE分類
M I R
3 4
2
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当社半導体製品取り扱い上のお願い
当社半導体製品取り扱い上のお願い
当社半導体製品取り扱い上のお願い当社半導体製品取り扱い上のお願い
· 当社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、一般に半導体製品は誤作動したり故障することがあります。当
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なお、設計に際しては、最新の製品仕様をご確認の上、製品保証範囲内でご使用いただくと共に、考慮されるべ
き注意事項や条件について｢東芝半導体製品の取り扱い上のご注意とお願い｣、｢半導体信頼性ハンドブック｣など
でご確認ください。
· 本資料に掲載されている製品は、一般的電子機器 (コンピュータ、パーソナル機器、事務機器、計測機器、産業用
ロボット、家電機器など) に使用されることを意図しています。特別に高い品質･信頼性が要求され、その故障や
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交通信号機器、燃焼制御、医療機器、各種安全装置など) にこれらの製品を使用すること (以下 “特定用途” とい
う) は意図もされていませんし、また保証もされていません。本資料に掲載されている製品を当該特定用途に使用
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