TOSHIBA 2SC5263 Service manual
東芝トランジスタ シリコン NPN エピタキシャルプレーナ形
2SC5263
2SC5263
○ VHF~UHF 帯低雑音増幅用
· 雑音特性が優れています。
: NF = 1.7dB, |S
最大定格
最大定格
最大定格最大定格
コレクタ･ベース間電圧 V
コレクタ･エミッタ間電圧 V
エミッタ･ベース間電圧 V
コレクタ電流 I
ベース電流 I
コレクタ損失 P
接合温度 T
保存温度 T
(Ta ==== 25°C)
項目 記号 定格 単位
|2 = 11dB (f = 2 GHz)
21e
CBO
CEO
EBO
C
B
C
j
stg
単位: mm
15 V
7 V
1.5 V
15 mA
7 mA
100 mW
125 °C
-55~125 °C
JEDEC ―
JEITA ―
東 芝 2-2K1A
質量: g (標準)
1
2002-02-04
マイクロ波特性
マイクロ波特性
マイクロ波特性マイクロ波特性
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
(Ta ==== 25°C)
2SC5263
トランジション周波数 f
挿入電力利得
雑音指数
T
ïS
21e
ïS
21e
NF (1) VCE = 5 V, IC = 3 mA, f = 1 GHz ¾ 1.3 ¾
NF (2) V
VCE = 5 V, IC = 7 mA 9 12 ¾ GHz
V
ï2 (1)
ï2 (2) VCE = 5 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz 8 11 ¾
= 5 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz 14 17 ¾
CE
= 5 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz ¾ 1.7 3
CE
電気的特性
電気的特性
電気的特性電気的特性
コレクタしゃ断電流 I
エミッタしゃ断電流 I
直流電流増幅率
コレクタ出力容量 C
帰還容量 C
(Ta ==== 25°C)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
CBO
EBO
h
FE
ob
re
VCB = 10 V, IE = 0 ¾ ¾ 1 mA
VEB = 1 V, IC = 0 ¾ ¾ 1 mA
V
= 5 V, IC = 7 mA 50 ¾ 160 ¾
(注 1)
CE
VCB = 5 V, IE = 0, f = 1 MHz (注 2)
注 1: hFE分類 R: 50~100, O: 80~160
注 2: Creは 3 端子法でエミッタ端子をブリッジのガード端子に接続して測定する。
現品表示
現品表示
現品表示現品表示
dB
dB
¾ 0.45 ¾ pF
¾ 0.35 0.75 pF
2
1
形名
hFE分類
M I R
3 4
2
2002-02-04
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