TOSHIBA 2SC5196 Service manual
東芝トランジスタ シリコンNPN三重拡散形
2SC5196
2SC5196
○ 電力増幅用
• 2SA1939 とコンプリメンタリになります。
• 40 W ハイファイオーディオアンプ出力段に最適です。
絶対最大定格
コレクタ· ベース間電圧 V
コレクタ· エミッタ間電圧 V
エミッタ· ベース間電圧 V
コレクタ電流 I
ベース電流 I
コレクタ損失 P
接合温度 T
保存温度 T
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内で
の使用においても、高負荷 (高温および大電流/高電圧印加、多大な
温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下す
るおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いお
よびディレーティングの考え方と方法) および個別信頼性情報 (信
頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設
計をお願いします。
(Ta = 25°C)
項目 記号 定格 単位
CBO
CEO
EBO
C
B
C
j
stg
80 V
80 V
5 V
6 A
0.6 A
60 W
150 °C
−55~150 °C
単位: mm
JEDEC ―
JEITA ―
東 芝 2-16C1A
質量: 4.7 g (標準)
1
2006-11-08
2SC5196
電気的特性
コレクタしゃ断電流 I
エミッタしゃ断電流 I
コレクタ· エミッタ間降伏電圧 V
直流電流増幅率
コレクタ· エミッタ間飽和電圧 V
ベース· エミッタ間電圧 VBE VCE = 5 V, IC = 3 A ― 0.92 1.5 V
トランジション周波数 f
コレクタ出力容量 Cob VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz ― 75 ― pF
注: h
(Ta = 25°C)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
分類 R: 55~110, O: 80~160
FE (1)
VCB = 80 V, IE = 0 ― ― 5.0 μA
CBO
VEB = 5 V, IC = 0 ― ― 5.0 μA
EBO
(BR) CEOIC
h
FE (1)
h
FE (2)
CE (sat) IC
VCE = 5 V, IC = 1 A ― 30 ― MHz
T
= 50 mA, IB = 0 80 ― ― V
V
= 5 V, IC = 1 A 55 ― 160
CE
(注)
VCE = 5 V, IC = 3 A 35 75 ―
= 5 A, IB = 0.5 A ― 0.45 2.0 V
現品表示
TOSHIBA
C5196
特性区分記号
製品名 (または略号)
ロット No.
外装鉛フリー
識別マーク
( なし: 鉛含有
あり: 鉛フリー)
2
2006-11-08
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