東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形
2SC5106
2SC5106
○ VHF~UHF 発振用
絶対最大定格
コレクタ・ベース間電圧 V
コレクタ・エミッタ間電圧 V
エミッタ・ベース間電圧 V
コレクタ電流 I
ベース電流 I
コレクタ損失 P
接合温度 T
保存温度 T
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内で
の使用においても、高負荷 (高温および大電流/高電圧印加、多大
な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下
するおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いお
よびディレーティングの考え方と方法) および個別信頼性情報
(信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼
性設計をお願いします。
(Ta = 25°C)
項目 記号 定格 単位
CBO
CEO
EBO
C
B
C
j
stg
20 V
10 V
3 V
30 mA
15 mA
150 mW
125 °C
−55~125 °C
単位: mm
JEDEC ―
JEITA SC-59
東 芝 2-3F1A
質量: 0.012 g (標準)
1
2010-01-26
2SC5106
電気的特性
コレクタしゃ断電流 I
エミッタしゃ断電流 I
直流電流増幅率
トランジション周波数 f
挿入電力利得 ⎪S
コレクタ出力容量 C
帰還容量 C
(Ta = 25°C)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
Cc・rbb’積 C
CBO
EBO
h
FE
T
21e
ob
re
c・rbb
VCB = 10 V, IE = 0 ⎯ ⎯ 1 μA
VEB = 1 V, IC = 0 ⎯ ⎯ 1 μA
V
= 5 V, IC = 5 mA 80 ⎯ 240 ⎯
(注 1)
CE
VCE = 5 V, IC = 5 mA 4 6 ⎯ GHz
⎪2 VCE = 5 V, IC = 5 mA, f = 1 GHz 7 11 ⎯ dB
VCB = 5 V, IE = 0, f = 1 MHz (注 2)
’ VCB = 5 V, IC = 3 mA, f = 30 MHz ⎯ 6 15 ps
注 1: hFE分類 O: 80~160, Y: 120~240
注 2: Creは 3 端子法でエミッタ端子をブリッジのガード端子に接続して測定する。
現品表示
3
形名
hFE分類
⎯ 0.75 ⎯ pF
⎯ 0.55 0.95 pF
M F O
1 2
2
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