
東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形
2SC5106
2SC5106
○ VHF~UHF 発振用
絶対最大定格
コレクタ・ベース間電圧 V
コレクタ・エミッタ間電圧 V
エミッタ・ベース間電圧 V
コレクタ電流 I
ベース電流 I
コレクタ損失 P
接合温度 T
保存温度 T
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内で
の使用においても、高負荷 (高温および大電流/高電圧印加、多大
な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下
するおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いお
よびディレーティングの考え方と方法) および個別信頼性情報
(信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼
性設計をお願いします。
(Ta = 25°C)
項目 記号 定格 単位
CBO
CEO
EBO
C
B
C
j
stg
20 V
10 V
3 V
30 mA
15 mA
150 mW
125 °C
−55~125 °C
単位: mm
JEDEC ―
JEITA SC-59
東 芝 2-3F1A
質量: 0.012 g (標準)
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電気的特性
コレクタしゃ断電流 I
エミッタしゃ断電流 I
直流電流増幅率
トランジション周波数 f
挿入電力利得 ⎪S
コレクタ出力容量 C
帰還容量 C
(Ta = 25°C)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
Cc・rbb’積 C
CBO
EBO
h
FE
T
21e
ob
re
c・rbb
VCB = 10 V, IE = 0 ⎯ ⎯ 1 μA
VEB = 1 V, IC = 0 ⎯ ⎯ 1 μA
V
= 5 V, IC = 5 mA 80 ⎯ 240 ⎯
(注 1)
CE
VCE = 5 V, IC = 5 mA 4 6 ⎯ GHz
⎪2 VCE = 5 V, IC = 5 mA, f = 1 GHz 7 11 ⎯ dB
VCB = 5 V, IE = 0, f = 1 MHz (注 2)
’ VCB = 5 V, IC = 3 mA, f = 30 MHz ⎯ 6 15 ps
注 1: hFE分類 O: 80~160, Y: 120~240
注 2: Creは 3 端子法でエミッタ端子をブリッジのガード端子に接続して測定する。
現品表示
3
形名
hFE分類
⎯ 0.75 ⎯ pF
⎯ 0.55 0.95 pF
M F O
1 2
2
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h
– IC
300
200
FE
100
70
50
30
20
直流電流増幅率 h
10
3
2 7 20 70
コレクタ電流 IC (mA)
FE
VCE = 5 V
Ta = 25°C
5 50
100 1 30 10
(pF)
ob
コレクタ出力容量 C
(pF)
re
帰還容量 C
3
2
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.3
0.2 2
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
C
, Cre – VCB
ob
Cob
Cre
f = 1 MHz
Ta = 25°C
0.5 5
0.7 7
10 0.1 3 1
f
10
VCE = 5 V
Ta = 25°C
8
(GHz)
T
6
T
4
2
トランジション周波数 f
0
1 3 5 7
2 20
コレクタ電流 IC (mA)
⎪S
25
21
dB
20
2
⎪
15
21e
10
5
挿入電力利得 ⎪S
0
0.1 0.3 0.5 0.7
0.2 2
周 波 数 f (GHz)
– IC
2
– f
10
1
VCE = 5 V
IC = 5 mA
Ta = 25°C
30
2
S
– I
14
21
dB
12
2
⎪
10
21e
8
10
VCE = 5 V
f = 1 GHz
Ta = 25°C
30
6
挿入電力利得 ⎪S
4
1 3 5 7
2 20
コレクタ電流 IC (mA)
S
12
dB
10
2
⎪
8
21e
6
4
2
挿入電力利得 ⎪S
3
0
0 2 4 6
V
21
E
IC = 5 mA
f = 1 GHz
Ta = 25°C
10
12
8
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
3
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P
– Ta
200
160
(mW)
C
120
80
40
コレクタ損失 P
0
0 50 75
25 100 125 150
C
周囲温度 Ta (°C)
Sパラメータ ZO = 50 Ω, Ta = 25°C
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VCE = 5 V, IC = 5 mA
周波数 S11 S21 S12 S22
(MHz) Mag. Ang. Mag. Ang. Mag. Ang. Mag. Ang.
200 0.654 −45.3 9.794 136.6 0.047 64.8 0.775 −27.8
400 0.414 −75.6 7.062 112.6 0.071 58.7 0.570 −35.0
600 0.273 −94.9 5.232 98.7 0.090 58.5 0.472 −35.8
800 0.193 −111.7 4.118 89.4 0.108 59.5 0.424 −35.5
1000 0.146 −128.1 3.412 82.0 0.127 60.4 0.398 −35.5
1200 0.116 −147.4 2.927 75.5 0.147 61.0 0.381 −36.2
1400 0.101 −169.6 2.571 69.8 0.169 60.7 0.373 −37.9
1600 0.098 171.6 2.299 64.4 0.189 59.5 0.363 −40.4
1800 0.105 155.8 2.079 59.8 0.208 58.6 0.351 −43.5
2000 0.118 142.1 1.928 55.4 0.230 58.4 0.338 −46.1
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製品取り扱い上のお願い
• 本資料に掲載されているハードウェア、ソフトウェアおよびシステム(以下、本製品という)に関する情
報等、本資料の掲載内容は、技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。
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得て本資料を転載複製する場合でも、記載内容に一切変更を加えたり、削除したりしないでください。
• 当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体製品は一般に誤作動または故障する場合があります。
本製品をご使用頂く場合は、本製品の誤作動や故障により生命・身体・財産が侵害されることのないよう
に、お客様の責任において、お客様のハードウェア・ソフトウェア・システムに必要な安全設計を行うこ
とをお願いします。なお、設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報(本資料、仕様書、デー
タシート、アプリケーションノート、半導体信頼性ハンドブックなど)および本製品が使用される機器の
取扱説明書、操作説明書などをご確認の上、これに従ってください。また、上記資料などに記載の製品デー
タ、図、表などに示す技術的な内容、プログラム、アルゴリズムその他応用回路例などの情報を使用する
場合は、お客様の製品単独およびシステム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断し
てください。
• 本製品は、一般的電子機器(コンピュータ、パーソナル機器、事務機器、計測機器、産業用ロボット、家
電機器など)または本資料に個別に記載されている用途に使用されることが意図されています。本製品は、
特別に高い品質・信頼性が要求され、またはその故障や誤作動が生命・身体に危害を及ぼす恐れ、膨大な
財産損害を引き起こす恐れ、もしくは社会に深刻な影響を及ぼす恐れのある機器(以下“特定用途”とい
う)に使用されることは意図されていませんし、保証もされていません。特定用途には原子力関連機器、
航空・宇宙機器、医療機器、車載・輸送機器、列車・船舶機器、交通信号機器、燃焼・爆発制御機器、各
種安全関連機器、昇降機器、電力機器、金融関連機器などが含まれます。本資料に個別に記載されている
場合を除き、本製品を特定用途に使用しないでください。
• 本製品を分解、解析、リバースエンジニアリング、改造、改変、翻案、複製等しないでください。
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情報の正確性の保証、第三者の権利の非侵害保証を含むがこれに限らない。)をしておりません。
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るいはその他軍事用途の目的で使用しないでください。また、輸出に際しては、「外国為替及び外国貿易法」、
「米国輸出管理規則」等、適用ある輸出関連法令を遵守し、それらの定めるところにより必要な手続を行っ
てください。
• 本製品の RoHS 適合性など、詳細につきましては製品個別に必ず弊社営業窓口までお問合せください。本
製品のご使用に際しては、特定の物質の含有・使用を規制する RoHS 指令等、適用ある環境関連法令を十分
調査の上、かかる法令に適合するようご使用ください。お客様がかかる法令を遵守しないことにより生じ
た損害に関して、当社は一切の責任を負いかねます。
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