TOSHIBA 2SC5096FT Service manual

東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形

2SC5096FT

2SC5096FT

○ VHF~UHF 低雑音増幅用

• 雑音特性が優れています。
: NF = 1.8dB, |S

絶対最大定格

項目 記号 定格 単位

コレクタ･ベース間電圧 V

コレクタ･エミッタ間電圧 V

エミッタ･ベース間電圧 V

コレクタ電流 I

ベース電流 I

コレクタ損失 P

接合温度 T

保存温度 T

注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内で

の使用においても、高負荷 (高温および大電流/高電圧印加、多大な
温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下す
るおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。

|2 = 7.5dB (f = 2 GHz)

21e

(Ta = 25°C)

CBO

CEO

EBO

C

B

C

j

stg

20 V

8 V

1.5 V

15 mA

7 mA

100 mW

125 °C

−55~125 °C

単位: mm

JEDEC ―

JEITA ―

東 芝 2-1B1A

質量: 0.0022 g (標準)

1

2007-11-01

2SC5096FT

A

マイクロ波特性

トランジション周波数 f

挿入電力利得

雑音指数

(Ta = 25°C)

項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位

⎪S
⎪S

電気的特性

コレクタしゃ断電流 I

エミッタしゃ断電流 I

直流電流増幅率

コレクタ出力容量 C

帰還容量 C

(Ta = 25°C)

項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位

注 1: hFE分類 R: 50~100, O: 80~160

T

21e

21e

NF (1) VCE = 6 V, IC = 3 mA, f = 1 GHz ⎯ 1.4 ⎯

NF (2) V

CBO

EBO

h

FE

ob

re

VCE = 6 V, IC = 7 mA 7 10 ⎯ GHz

V

⎪2 (1)
⎪2 (2) VCE = 6 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz 4.5 7.5 ⎯

(注 1)

= 6 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz ⎯ 13 ⎯

CE

= 6 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz ⎯ 1.8 3.0

CE

VCB = 10 V, IE = 0 ⎯ ⎯ 1 μA

VEB = 1 V, IC = 0 ⎯ ⎯ 1 μA

V

= 6 V, IC = 7 mA 50 ⎯ 160 ⎯

CE

VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz (注 2)

⎯ 0.5 ⎯ pF

⎯ 0.4 0.85 pF

dB

dB

注 2: Creは 3 端子法でエミッタ端子をブリッジのガード端子に接続して測定する。

現品表示

3

M 9

1 2

形名

hFE分類

9: R 分類

: O 分類

2

2007-11-01