TOSHIBA 2SC5089 Service manual
東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形
2SC5089
2SC5089
○ VHF~UHF 低雑音増幅用
• 雑音特性が優れています。
: NF = 1.1dB, |S
絶対最大定格
項目 記号 定格 単位
コレクタ･ベース間電圧 V
コレクタ･エミッタ間電圧 V
エミッタ･ベース間電圧 V
コレクタ電流 I
ベース電流 I
コレクタ損失 P
接合温度 T
保存温度 T
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内で
の使用においても、高負荷 (高温および大電流/高電圧印加、多大な
温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下す
るおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いお
よびディレーティングの考え方と方法) および個別信頼性情報 (信
頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
|2 = 13dB (f = 1 GHz)
21e
(Ta = 25°C)
CBO
CEO
EBO
C
B
C
j
stg
20 V
10 V
1.5 V
40 mA
20 mA
150 mW
125 °C
−55~125 °C
単位: mm
S-MINI
JEDEC ―
JEITA SC-59
東 芝 2-3F1A
質量: 12mg (標準)
1
2010-02-17
2SC5089
マイクロ波特性
トランジション周波数 f
挿入電力利得
雑音指数
(Ta = 25°C)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
⎪S
⎪S
電気的特性
コレクタしゃ断電流 I
エミッタしゃ断電流 I
直流電流増幅率
コレクタ出力容量 C
帰還容量 C
(Ta = 25°C)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
注 1: hFE分類 R: 50~100, O: 80~160
T
21e
21e
NF (1) VCE = 8 V, IC = 5 mA, f = 1 GHz ⎯ 1.1 2.5
NF (2) V
CBO
EBO
h
FE
ob
re
VCE = 8 V, IC = 20 mA 7 10 ⎯ GHz
V
⎪2 (1)
⎪2 (2) VCE = 8 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz ⎯ 7 ⎯
(注 1)
= 8 V, IC = 20 mA, f = 1 GHz 10 13 ⎯
CE
= 8 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz ⎯ 1.7 ⎯
CE
VCB = 10 V, IE = 0 ⎯ ⎯ 1 μA
VEB = 1 V, IC = 0 ⎯ ⎯ 1 μA
V
= 8 V, IC = 20 mA 50 ⎯ 160 ⎯
CE
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz (注 2)
⎯ 0.7 ⎯ pF
⎯ 0.5 1.0 pF
dB
dB
注 2: Creは 3 端子法でエミッタ端子をブリッジのガード端子に接続して測定する。
現品表示
3
M D R
1 2
形名
hFE分類
2
2010-02-17
2SC5089
h
– IC
300
200
FE
FE
100
70
50
30
直流電流増幅率 h
20
VCE = 8 V
Ta = 25°C
10
1 10 2
3 5 7 20 50
30
(pF)
ob
コレクタ出力容量 C
(pF)
re
帰還容量 C
4
3
2
1
0.7
0.5
0.3
0.2
f = 1 MHz
Ta = 25°C
0.1
0.1 10 1 0.3
0.2 0.5 0.7 2 5 7
コレクタ･ベース間電圧 VCB (V)
C
, Cre – VCB
ob
Cob
Cre
3
コレクタ電流 IC (mA)
f
– IC
12
10
(GHz)
T
8
6
T
12
10
(dB)
2
⎪
8
21e
6
⎪S
21e
2
⎪
– I
C
トランジション周波数 f
4
2
0
1
3 30
5 7
10 2
VCE = 8 V
Ta = 25°C
20
4
2
挿入電力利得 ⎪S
0
1 50
コレクタ電流 IC (mA)
⎪S
⎪2 – f
21e
VCE = 8 V
IC = 20 mA
Ta = 25°C
5
4
3
2
(dB)
2
⎪
21e
30
25
20
15
10
雑音指数 NF (dB)
5
挿入電力利得 ⎪S
0
0.1 3
0.3 0.2
0.5 0.7 2
1
1
0
1
周 波 数 f (GHz)
10 2
3 5 7
20
コレクタ電流 IC (mA)
NF – I
C
f = 2 GHz
f = 1 GHz
5 30 3 7
20
コレクタ電流 IC (mA)
VCE = 8 V
f = 2 GHz
Ta = 25°C
30
VCE = 8 V
Ta = 25°C
50 10 2
3
2010-02-17
Loading...