TOSHIBA 2SC5064 Service manual
東芝トランジスタ シリコン NPN エピタキシャルプレーナ形
2SC5064
2SC5064
○ VHF~UHF 低雑音増幅用
· 雑音特性が優れています。
: NF = 1.1dB, |S
最大定格
最大定格
最大定格最大定格
コレクタ･ベース間電圧 V
コレクタ･エミッタ間電圧 V
エミッタ･ベース間電圧 V
コレクタ電流 I
ベース電流 I
コレクタ損失 P
接合温度 T
保存温度 T
(Ta ==== 25°C)
項目 記号 定格 単位
|2 = 12dB (f = 1 GHz)
21e
CBO
CEO
EBO
C
B
C
j
stg
単位: mm
20 V
12 V
3 V
30 mA
15 mA
150 mW
125 °C
-55~125 °C
JEDEC ―
JEITA SC-59
東 芝 2-3F1A
質量: 0.012 g (標準)
1
2002-02-01
マイクロ波特性
マイクロ波特性
マイクロ波特性マイクロ波特性
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
(Ta ==== 25°C)
2SC5064
トランジション周波数 f
挿入電力利得
雑音指数
T
ïS
21e
ïS
21e
NF (1) VCE = 5 V, IC = 3 mA, f = 500 MHz ¾ 1 ¾
NF (2) V
VCE = 5 V, IC = 10 mA 5 7 ¾ GHz
V
ï2 (1)
ï2 (2) VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 1 GHz 8.5 12 ¾
= 5 V, IC = 10 mA, f = 500 MHz ¾ 17 ¾
CE
= 5 V, IC = 3 mA, f = 1 GHz ¾ 1.1 2
CE
電気的特性
電気的特性
電気的特性電気的特性
コレクタしゃ断電流 I
エミッタしゃ断電流 I
直流電流増幅率
コレクタ出力容量 C
帰還容量 C
(Ta ==== 25°C)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
CBO
EBO
h
FE
ob
re
VCB = 10 V, IE = 0 ¾ ¾ 1 mA
VEB = 1 V, IC = 0 ¾ ¾ 1 mA
(注 1)
= 5 V, IC = 10 mA 80 ¾ 240 ¾
V
CE
VCB = 5 V, IE = 0, f = 1 MHz (注 2)
注 1: hFE分類 O: 80~160, Y: 120~240
注 2: Creは 3 端子法でエミッタ端子をブリッジのガード端子に接続して測定する。
現品表示
現品表示
現品表示現品表示
dB
dB
¾ 0.7 ¾ pF
¾ 0.45 0.9 pF
3
形名
hFE分類
M A O
1 2
2
2002-02-01
h
300
200
FE
100
70
50
30
20
直流電流増幅率 h
10
VCE = 5 V
Ta = 25°C
3
2 7 20 70 10 0.1 3 1
FE
5 50
コレクタ電流 IC (mA)
f
10
(GHz)
T
VCE = 5 V
Ta = 25°C
8
6
T
4
2
トランジション周波数 f
0
1 3 5 7
コレクタ電流 IC (mA)
ïS
21e
25
(dB)
20
2
ï
21e
15
10
5
挿入電力利得 ïS
0
0.1 0.3 0.5 0.7
周 波 数 f (GHz)
– IC
– IC
ï2 – f
10
1
VCE = 5 V
IC = 10 mA
Ta = 25°C
2SC5064
, Cre – VCB
C
3
(pF)
ob
1
(pF)
re
0.7
0.5
0.3
帰還容量 C
0.1
f = 1 MHz
Ta = 25°C
コレクタ出力容量 C
100 1 30 10
コレクタ･ベース間電圧 VCB (V)
14
VCE = 5 V
f = 1 GHz
Ta = 25°C
12
(dB)
2
ï
10
21e
8
6
挿入電力利得 ïS
30
4
1 3 5 7
5
VCE = 5 V
f = 1 GHz
Ta = 25°C
4
3
2
雑音指数 NF (dB)
1
3
0
1 3 5 7
ob
Cob
Cre
0.3
0.5 5
0.7 7
ï2 – IC
ïS
21e
10
コレクタ電流 IC (mA)
NF – I
C
NF
10
コレクタ電流 IC (mA)
30
30
3
2002-02-01
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