東芝トランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形
2SA2195
2SA2195
○ 高速スイッチング用
○ DC-DC コンバータ用
○ ストロボフラッシュ用
• 直流電流増幅率が高い。 : h
• コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低い。
: V
• スイッチング時間が速い。 : tf = 90 ns (標準)
絶対最大定格
コレクタ・ベース間電圧 V
コレクタ・エミッタ間電圧 V
エミッタ・ベース間電圧 V
コレクタ電流
ベース電流 IB −200 mA
コレクタ損失
接合温度 T
保存温度 T
(Ta = 25°C)
項目 記号 定格 単位
= 200~500 (IC = −0.5 A)
FE
CE (sat)
DC IC −1.7
パルス I
(注 1) 800
(注 2)
= −0.2 V (最大)
CBO
CEO
EBO
−3.5
CP
PC
150 °C
j
stg
−50 V
−50 V
−7 V
A
mW
500
−55~150 °C
2.1±0.1
1.7±0.1
1
0.65±0.05
2.0±0.1
2
0.7±0.05
1.ベース
2.エミッタ
3.コレクタ
UFM
JEDEC ―
JEITA ―
東 芝 2-2U1A
質量: 6.6mg (標準)
単位: mm
-0.05
+0.1
0.3
3
0.166±0.05
注 1: 25.4mm×25.4mm×0.8t , Cu Pad=645mm2 セラミック基板実装
注 2: 25.4mm×25.4mm×1.6t , Cu Pad=645mm2 FR4 基板実装
注 3: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても、高負荷 (高温および大電
流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
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2007-10-01
電気的特性
2SA2195
(Ta = 25°C)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
コレクタ遮断電流 I
エミッタ遮断電流 I
コレクタ・エミッタ間降状電圧 V
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 V
ベース・エミッタ間飽和電圧 V
コレクタ出力容量 Cob VCB = −10 V, IE = 0, f = 1 MHz ⎯ 20 ⎯ pF
上昇時間 t
スイッチング時間
蓄積時間 t
下降時間 tf
VCB = −50 V, IE = 0 ⎯ ⎯ −100 nA
CBO
VEB = −7 V, IC = 0 ⎯ ⎯ −100 nA
EBO
(BR) CEOIC
hFE (1) VCE = −2 V, IC = −0.3 A 200 ⎯ 500
(2) VCE = −2 V, IC = −1.0 A 100 ⎯ ⎯
h
FE
CE (sat)
BE (sat)
⎯ 60 ⎯
r
⎯ 250 ⎯
stg
= −10 mA, IB = 0 −50 ⎯ ⎯ V
IC = −1.0 A, IB = −0.033 A ⎯ ⎯ −0.2 V
IC = −1.0 A, IB = −0.033 A ⎯ ⎯ −1.1 V
図 1 回路において
−30 V, RL = 30 Ω
V
CC
= −IB2 = −33 mA
I
B1
⎯ 90 ⎯
現品表示
V
20 μs
IB2
I
B1
入力
I
B1
CC
L
R
出力
製品名 (または略号)
ns
W F
繰り返し周期 < 1%
I
B2
図 1 スイッチング時間測定回路
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2007-10-01