TOSHIBA 1SS362FV Technical data

東芝ダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形

1SS362FV

1SS362FV

○ 超高速度スイッチング用

z 外形が小さい。
z 順方向特性が良い。 : V
z 逆回復時間が短い。 : t
z 端子間容量が小さい。 : C

= 0.97V (標準)

F (3)

= 1.6ns (標準)

rr

= 0.9pF (標準)

T

絶対最大定格 (Ta = 25°C)

項目 記号 定格 単位

せん頭逆電圧 VRM 85 V

逆電圧 VR 80 V

せん頭順電流 IFM 300* mA

平均整流電流 IO 100* mA

サ ー ジ 電 流 (10ms) I

許容損失 P 150** mW

接合温度 T

保存温度 T

1* A

FSM

150 °C

j

-55～150 °C

stg

注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内で

の使用においても､高負荷 (高温および大電流/高電圧印加､多大な
温度変化等) で連続して使用される場合は､信頼性が著しく低下す
るおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート､推定故障率等) をご確認の上､適切な信頼性設計をお願いします。

*: ユニット定格です。トータル定格はユニット定格の 70%値です。

** : FR4 基板実装時(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mmt)

0.5mm

0.45mm

0.45mm

0.4mm

電気的特性 (Ta = 25°C)

1.2±0.05

0.8±0.05

0.22±0.05

1

0.4 0.4

0.8±0.05

2

0.5±0.05

1. アノード1

2. カソード2

3. カソード1

アノード 2

1.2±0.05

VESM

JEDEC ― JEITA ― 東芝

1-1Q1A

質量:1.5 mg (標準)

単位: mm

0.32±0.05

3

0.13±0.05

項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位

V

IF = 1mA ― 0.63 ―

F (1)

順電圧

逆電流

端子間容量 CT VR = 0, f = 1MHz ― 0.9 ― pF

逆回復時間 t

V

IF = 10mA ― 0.75 ―

F (2)

V

IF = 100mA ― 0.97 1.20

F (3)

I

VR = 30V ― ― 0.1

R (1)

I

VR = 80V ― ― 0.5

R (2)

I

rr

= 10mA (図 1) ― 1.6 4.0 ns

F

1

2009-01-22

V

μA

図 1. 逆回復時間 (trr) 測定回路

現品表示 内部接続(top view)

1SS362FV

2

2009-01-22